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実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長：. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性： IEC92.1 UL94VO > 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 100V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長：. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性： IEC92.1 UL94VO > 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 11.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 10V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 35.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 24.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 27.6V。最小ブレークダウン電圧 = 18.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 17V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 21.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 42.1V。最小ブレークダウン電圧 = 28.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 26V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 14.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。幅 = 3.8mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.7mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.3V。最小ブレークダウン電圧 = 6.67V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 6V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 58.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 30.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ソフトリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.07V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 15ns。直径 = 3.6mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay シリコンジャンクションダイオード： ES1A 、 ES1B 、 ES1C 、 ES1D. 特長 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化ペレットチップジャンクション 高効率の超高速リカバリ時間 低順方向電圧、低電力損失 高順方向サージ機能 MSL レベル 1 ( J-STD-020 、 LF 最大 Peak )に対応 ( 260 ° C ) AEC-Q101 認定済み - 自動車注文コード： P/NHE3 または P/NHM3 代表的な用途 高周波整流及びフリーホイーリングで使用します 用途には、のスイッチングモードコンバータ及びインバータがあります 民生機器、コンピュータ、自動車、通信 機械データ ケース： SMA ( DO-214AC ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード ベース P/N-M3-ハロゲン フリー、 RoHS 準拠、商用 グレード ベース P/NHE3_X - RoHS 準拠、 AEC-Q101 認定 ベース P/NHM3_X - ハロゲンフリー、 RoHS 準拠、および AEC-Q101認定 (「 _X 」はリビジョンコード(例： A 、 B 、 ... ) 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 末尾が E3 、 M3 、 HE3 、 HM3 は、 JESD 201 クラス 2 に適合します ウィスカ試験 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay シリコンジャンクションダイオード： ES1A 、 ES1B 、 ES1C 、 ES1D. 特長 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化ペレットチップジャンクション 高効率の超高速リカバリ時間 低順方向電圧、低電力損失 高順方向サージ機能 MSL レベル 1 ( J-STD-020 、 LF 最大 Peak )に対応 ( 260 ° C ) AEC-Q101 認定済み - 自動車注文コード： P/NHE3 または P/NHM3 代表的な用途 高周波整流及びフリーホイーリングで使用します 用途には、のスイッチングモードコンバータ及びインバータがあります 民生機器、コンピュータ、自動車、通信 機械データ ケース： SMA ( DO-214AC ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード ベース P/N-M3-ハロゲン フリー、 RoHS 準拠、商用 グレード ベース P/NHE3_X - RoHS 準拠、 AEC-Q101 認定 ベース P/NHM3_X - ハロゲンフリー、 RoHS 準拠、および AEC-Q101認定 (「 _X 」はリビジョンコード(例： A 、 B 、 ... ) 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 末尾が E3 、 M3 、 HE3 、 HM3 は、 JESD 201 クラス 2 に適合します ウィスカ試験 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-80。ピン数 = 2。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MicroMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 600V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長：. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性： IEC92.1 UL94VO > 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MiniMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.7mm。幅 = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 1.6 x 3.7 x 1.6mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 400V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長：. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性： IEC92.1 UL94VO > 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。

最大順方向電流 = 2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOD-80。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。長さ = 3.7mm。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。直径 = 1.6mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = MicroMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2mm。寸法 = 1.2 (Dia.) x 2mm。直径 = 1.2mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MiniMELF。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.7mm。幅 = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AA。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.68mm。寸法 = 3.683 x 1.67mm。直径 = 1.67mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 250mA。ピーク逆繰返し電圧 = 2000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 300ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20A。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.4mm。幅 = 1.7mm。高さ = 1.7mm。寸法 = 1.75 (Dia.) x 3.4mm。直径 = 1.75mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = コモンカソードmA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 70V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。最大ダイオードキャパシタンス = 1.5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.1mm。幅 = 1.43mm。高さ = 1.05mm。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

最大順方向電流 = 150mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = Quadro Melf。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.5mm。幅 = 1.7mm。高さ = 1.5mm。寸法 = 3.5 x 1.7 x 1.5mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 890mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-64。最大連続 順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 90A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.07V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示