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4点ユニットリレー。省配線・省施工を実現するインターフェース ターミナル 制御機器・盤のコンパクト化を実現
仕様●最大負荷電流:2 A●最小負荷電圧:0 V ac●最大負荷電圧:30 V ac●ターミナルタイプ:スルーホール●出力装置:PhotoMOS●寸法:67 x 33 x 32mm●動作温度範囲:-20 → +55℃●コード番号:352-5877 アズワン品番65-8090-47
1個
9,798 税込10,778
7日以内出荷

Panasonic DIP6 ピンタイプは、低オン抵抗で絶縁が強化されています。40 V、60 V、100 V、200 V、250 V、400 V、600 V、1、000 V の幅広い負荷電圧タイプ 低オン抵抗(標準) 0.6O です ( AQV251 ) 5、000 Vrms I/O 絶縁の強化絶縁タイプを用意しています
仕様●最小負荷電流:0.02 A●範囲:AQV●シリーズ:PhotoMOS●最小負荷電圧:1200 V●最大負荷電圧:1500 V●スイッチングタイプ:AC/DC●接点構成:SPNO●出力装置:MOSFET●コード番号:205-6867 アズワン品番65-8068-63
1個
1,698 税込1,868
欠品中

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)4.4×4.3×2.1 取付方式表面実装 極数1 奥行(mm)4.3 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOP 最大ターンオン時間3ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)5 dc 最大負荷電圧(V)60 電圧制御範囲(V)1.5→5
1個
249 税込274
5日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)4.4×4.3×2.1 取付方式表面実装 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.1 漏れ電流(μA)1 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOP 最小負荷電流(mA)100 最大ターンオン時間3ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)5 dc 最大負荷電圧(V)400 最小負荷電圧(V)0 電圧制御範囲(V)1.5→5
1個
249 税込274
5日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)4.4×4.3×2.1 取付方式表面実装 極数1 奥行(mm)4.3 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOP 最大ターンオン時間3ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)5 dc 最大負荷電圧(V)60 電圧制御範囲(V)1.5→5
1個
249 税込274
5日以内出荷


仕様UL、C-UL、VDE. AQHシリーズ. この小型DIPタイプ基板実装ソリッドステートリレーは、AC負荷制御に最適で、高絶縁耐力を備えています。 主な用途には、家庭用電化製品、産業機器などがあります。. AC負荷制御に最適な小型DIPタイプSSR ゼロクロス(15 Vと50 V)及びランダムという2つのタイプを用意 高絶縁耐力、5000 V ac (入出力間) 寸法(mm)9.78×6.4×3.9 取付方式基板実装 最大負荷電流(A)0.9 スイッチング方式ランダム RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-30 → +85 パッケージDIP8 ターミナルタイプスルーホール 最大ターンオン時間0.1ms 出力装置フォトトライアック 最大電圧制御(V)1.3 最大負荷電圧(V)600 電圧制御範囲(V)1.21→1.3
1個
299 税込329
5日以内出荷

仕様リレータイプ:ソリッドステートリレー 寸法(mm)9.78×6.4×3.4 取付方式基板実装 極数1 シリーズAQ-H 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.6 スイッチング方式ゼロクロス RoHS指令(10物質対応)対応 特性UL、C-UL、VDE. AQHシリーズ. この小型DIPタイプ基板実装ソリッドステートリレーは、AC負荷制御に最適で、高絶縁耐力を備えています。 主な用途には、家庭用電化製品、産業機器などがあります。. AC負荷制御に最適な小型DIPタイプSSR ゼロクロス(15 Vと50 V)及びランダムという2つのタイプを用意 高絶縁耐力、5000 V ac (入出力間) 動作温度範囲(℃)-30 → +85 出力装置フォトトライアック 最小電圧制御(V)1.3 最大負荷電圧(V)600 電圧制御範囲(V)1.3→6
1個
269 税込296
5日以内出荷

仕様Panasonic DIP6 ピンタイプは、低オン抵抗で絶縁が強化されています。40 V 、 60 V 、 100 V 、 200 V 、 250 V 、 400 V 、 600 V 、 1 、 000 V の幅広い負荷電圧タイプ 低オン抵抗(標準) 0.6O ( AQV251 ) I/O 絶縁の強化絶縁タイプ: 5 、 000 Vrms 可能 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.75 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.25 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)200 最小負荷電圧(V)160
1個
929 税込1,022
7日以内出荷

仕様UL / C-UL に適合. AQW シリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 寸法(mm)9.37×4.4×2.1 取付方式基板実装 接点構成DPST 最大負荷電流(mA)80 RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.08 最大ターンオン時間0.5ms 出力装置MOSFET 最大電圧制御(V)1.5 最大動作温度(℃)85 最大負荷電圧(V)400
1個
819 税込901
7日以内出荷

仕様Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁: 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成2 x SPNO 範囲AWQ 最大負荷電流(A)1.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)60 最小負荷電圧(V)48
1個
949 税込1,044
7日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)4.4×4.3×2.1 取付方式表面実装 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.12 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-40 → +85 パッケージSOP 最小負荷電流(mA)120 最大ターンオン時間3ms 出力装置PhotoMOS 最小電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)350 最小負荷電圧(V)0 電圧制御範囲(V)1.5→5
1個
199 税込219
5日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 最大負荷電流(A)1.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.5 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)60 最小負荷電圧(V)60 ac/dc
1個
309 税込340
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.3 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.12 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)400 最小負荷電圧(V)320
1個
489 税込538
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 範囲AQY 最大負荷電流(A)1.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)60 最小負荷電圧(V)48
1個
389 税込428
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 範囲AQV 最大負荷電流(A)0.3 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)400 最小負荷電圧(V)320
1個
449 税込494
7日以内出荷

仕様UL / C-UL に適合. AQW シリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 適合RoHS対応 寸法(mm)9.86×6.4×2.9 取付方式表面実装 極数2 接点構成DPST 最大負荷電流(A)0.12 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージDIP 最大ターンオン時間2ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)5 dc 最大負荷電圧(V)350 電圧制御範囲(V)1.5→5
1個
579 税込637
5日以内出荷

仕様UL / C-UL に適合. AQW シリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 寸法(mm)9.86×6.4×3.2 取付方式基板実装 接点構成DPST 最大負荷電流(A)0.1 RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-40 → +85 パッケージDIP8 最小負荷電流(A)0.1 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)400 定格電圧範囲(V)400 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
669 税込736
翌々日出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)4.3×4.4×2.1 取付方式基板実装 最大負荷電流(mA)500 漏れ電流(μA)1 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOP4 ターミナルタイプ表面実装 最大ターンオン時間2ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)60 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
649 税込714
翌々日出荷

仕様Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁: 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成2 x SPNO 範囲AWQ 最大負荷電流(A)0.3 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)400 最小負荷電圧(V)320
1個
999 税込1,099
7日以内出荷

仕様UL / C-UL に適合. AQW シリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 寸法(mm)9.86×6.4×3.2 取付方式基板実装 接点構成DPST 最大負荷電流(mA)40 RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-40 → +85 パッケージDIP8 最小負荷電流(A)0.04 最大ターンオン時間2ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)600 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
799 税込879
5日以内出荷

仕様UL、CSA. AQV210E / AQV210EHソリッドステートリレー. MOSFET出力段を備えた光電子PhotoMOSリレー 用途: 電話機、通信機器、高速通信システム 寸法(mm)8.8×6.4×3.9 取付方式基板実装 接点構成SPST 最大負荷電流(mA)130 漏れ電流(μA)1 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージDIP6 最大ターンオン時間2ms 出力装置PhotoMOS 最小電圧制御(V)1.14 最大負荷電圧(V)350 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1セット(50個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 長さ(mm)4.3 寸法(mm)4.3×4.4×2.1 取付方式基板実装 接点構成SPST 最大負荷電流(mA)100 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOP4 最小負荷電流(A)0.1 最大ターンオン時間0.5ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)400 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
669 税込736
5日以内出荷

仕様UL、CSA. AQV210E / AQV210EHソリッドステートリレー. MOSFET出力段を備えた光電子PhotoMOSリレー 用途: 電話機、通信機器、高速通信システム 寸法(mm)8.8×6.4×3.9 取付方式基板実装 最大負荷電流(mA)130 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージDIP6 ターミナルタイプスルーホール 最大ターンオン時間2ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最小動作温度(℃)-40 最大負荷電圧(V)350 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
499 税込549
5日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズAQV 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(A)2.5 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)60 ac/dc
1個
929 税込1,022
翌々日出荷

取付方式表面実装 シリーズAQ-H 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.6 スイッチング方式ゼロクロスリレースイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置トライアック 最大負荷電圧(V)200 rms 最小負荷電圧(V)100 rms
1袋(2個)
399 税込439
7日以内出荷

仕様Panasonic マイクロミニチュア SON パッケージ C x R5 : 25 V の負荷電圧超小型 SON パッケージは、スペースの節約と高さに貢献します 実装密度 SON タイプは、約の新しい Photo MOS です 既存の SSOP タイプの体積比は 43 % C x R5 - 出力静電容量(標準) 1.1 pF 、オン抵抗(標準) 5.5 O 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.15 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.15 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)25 最小負荷電圧(V)15
1個
1,198 税込1,318
7日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)2.65×4.45×1.8 取付方式基板実装 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.12 RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-40 → +85 パッケージSSOP 最大ターンオン時間0.5ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)40 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
999 税込1,099
5日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQV 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)150 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)400 ac/dc
1個
969 税込1,066
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズAQV 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)30 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)1000 ac/dc
1個
969 税込1,066
7日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)2.2×2.95×1.4 取付方式基板実装 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.25 RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-40 → +85 最小負荷電流(A)0.25 最大ターンオン時間0.5ms 出力装置MOSFET 最小電圧制御(V)1.5 dc 最大負荷電圧(V)40
1個
1,098 税込1,208
5日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)2.65×4.45×1.8 取付方式基板実装 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.15 RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-40 → +85 パッケージSSOP 最大ターンオン時間0.2ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)25 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
1,298 税込1,428
5日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQW 接点構成DPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)100 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)350 ac/dc
1個
739 税込813
7日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQV 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)500 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)60 ac/dc
1個
579 税込637
7日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)2.65×4.45×1.8 取付方式基板実装 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.12 RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-40 → +85 パッケージSSOP 最大ターンオン時間0.5ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)40 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
999 税込1,099
5日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQY 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(A)1.6 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)40 ac/dc
1個
949 税込1,044
7日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQY 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)250 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)40 ac/dc
1個
1,698 税込1,868
7日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQY 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)250 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)40 ac/dc
1個
1,398 税込1,538
7日以内出荷

1個
8,598 税込9,458
4日以内出荷から6日以内出荷
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仕様住宅分電盤用、端子カバー付 型式BCWA-60 質量(kg)0.45 種類サーキットブレーカ フレーム60AF 外形寸法(高さH×幅W×奥行D)(mm)96(端子カバー含む 106)×70×52(ハンドル含む 67.6) 極数・素子数3P3E 定格電圧・遮断容量AC200V 5kA、AC415V 2.5kA 入数1台 引外し方式電磁式
1台
5,698 税込6,268
4日以内出荷から31日以内出荷
バリエーション一覧へ (5種類の商品があります)