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Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 850 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 850 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 (TO-236AB)nexperia
859税込945
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 850 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 190 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 190 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 (TO-236AB)nexperia
159税込175
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 830 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 25 pF @ 10 VNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
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