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RoHS
仕様出力電圧 Max：1.8 V、3.3 V 、 入力電圧 Min：2.5 V 、 入力電圧 Max：5.5 V 、 出力電流 Max：1A 、 コンバータタイプ：ステップダウン 、 出力数：2 、 出力タイプ：固定 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：12 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 寸法：3.05 x 3.05 x 0.75mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥229,800
税込￥252,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥77,980
税込￥85,778
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.8mm。高さ = 1.3mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥189,800
税込￥208,780
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V。最大パワー消費 = 1.08 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥42,980
税込￥47,278
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 720 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥29,980
税込￥32,978
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥68,980
税込￥75,878
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥81,980
税込￥90,178
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥39,980
税込￥43,978
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 113 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、12 V → 25 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥28,980
税込￥31,878
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥129,800
税込￥142,780
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 630 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3mm。高さ = 1.1mm。NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥799
税込￥879
7日以内出荷
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