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チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.35 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

論理回路 = 74AHCTロジックタイプ = バッファ， ドライバチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = CMOS、シュミットトリガ出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74AHCT1Gファミリ、Diodes Inc. 供給電圧範囲: 4.5 → 5.5 V 入力はTTL電圧レベル互換 ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = PowerDI 123最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 25nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 75Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速ピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 80Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 3ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4448Hシリーズ、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 380mV1チップ当たりのエレメント数 = 4ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 800mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 3μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 70mAピーク逆繰返し電圧 = 70Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。