トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 250 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc
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トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
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