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出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 反転実装タイプ = 表面実装ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

出力電流 = 350 mA 、 650 mA供給電圧 = 20Vピン数 = 20パッケージタイプ = SOIC出力数 = 6トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 3ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 反転実装タイプ = 表面実装3相ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

パッケージタイプ = DIP実装タイプ = 表面実装オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 2シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、シングルエンド実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.2 ns @ 15 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mmNL27Wシリーズ、ON Semiconductor. LVTTL互換の入力及び出力を備えているCMOSロジックゲートであり、74LCXデバイスよりも高速で大きな駆動能力を提供します。. 幅広い動作供給電圧: 1.65 → 5.5 V LVCMOS互換 3.0 Vで24 mAのソース / シンク容量

論理回路 = ACロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = TTL出力信号タイプ = シングルエンドトリガータイプ = 正エッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20セット/リセット = マスターリセット1チップ当たりのエレメント数 = 8最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns@ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.5mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = 74HCロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = CMOS出力タイプ = LSTTLトリガータイプ = 正エッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20セット/リセット = リセット1チップ当たりのエレメント数 = 8最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 170ns寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 4000ロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 6入力タイプ = CMOS極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16高レベル出力電流 Max = -4.7mA低レベル出力電流 Max = 30mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 140 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = +18 Vmm幅 = 4mm4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

論理回路 = 4000ラッチモード = 透明ラッチエレメント = RSラッチ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 4出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16セット/リセット = Yes寸法 = 10 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 10mm幅 = 4mmMC14043B / MC14044B クワッド R-S ラッチは、 1 つのモノリシック構造に MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスが組み込まれています。各ラッチには、独立した Q 出力、セット入力、リセット入力があります。Q 出力は、共通のイネーブル入力を備えた 3 ステートバッファによってゲートされます。出力はイネーブル入力で論理「 1 」又は「高」でイネーブルにし、論理「 0 」又は「低」によってラッチを Q 出力から切り離して、 Q 出力で開回路にします。ダブルダイオード入力保護 3 ステート出力と共通イネーブル 定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動できる出力 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 鉛フリーパッケージを用意

ロジックタイプ = ディレイライン実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = LQFPピン数 = 32全タップ数 = 1024mm絶対増加 = 10psファーストタップ遅延時間 = 2.2ns最大遅延時間 = 12.2ns独立遅延入力数 = 10動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = 74HCロジックタイプ = Dフリップフロップ入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、LSTTL、NMOS、TTL出力信号タイプ = Dタイプフリップフロップトリガータイプ = 正エッジ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14セット/リセット = セット / リセット1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.5mm

論理回路 = ACロジックタイプ = OR入力タイプ = TTL出力タイプ = TTL極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 141チップ当たりのエレメント数 = 4最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm高さ = 1.5mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

出力電流 = 30mA入力電圧 = 2.7 → 5.5 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = デジタル用途 = バックライト、携帯電話パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 6定格電流 = 5 → 30mAディスプレイドライバ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = ACTロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 24mA低レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4mmMC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

論理回路 = 74HC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.2mA低レベル出力電流 Max = 7.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 45 ns@ 150 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 7.59mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 7.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 4.5mm74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm高さ = 2.34mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

出力電流 = 1.6A入力電圧 = 3 → 5.5 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM用途 = ビルボードディスプレイ、汎用ディスプレイ、機器ディスプレイ、大テント用ディスプレイパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 24出力電圧 Max = 5.5V出力電圧 Min = 0.4V定格電流 = 150mA先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

論理回路 = 74HCロジックタイプ = Dフリップフロップ入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、LSTTL、NMOS、TTL出力信号タイプ = Dタイプフリップフロップトリガータイプ = 正エッジ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14セット/リセット = セット / リセット1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm幅 = 4mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

出力電流 = 20mA入力電圧 = 45 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 460mW用途 = AC照明パネル、車載照明、チャンネル文字、装飾照明、標識照明、スイッチコンタクトウェッティングパッケージタイプ = SOD-123ピン数 = 2出力電圧 Max = 7.5V先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

論理回路 = 74ACロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = LCXロジックタイプ = D タイプ出力タイプ = 3ステートトリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転， 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8ns動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 4.4mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74LCXロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DQFNピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 50 pF寸法 = 3 x 2.5 x 0.75mm幅 = 2.5mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm幅 = 4mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LSTTLロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm幅 = 4.5mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = CMOS出力タイプ = LSTTL出力信号タイプ = シングルエンドトリガータイプ = 正エッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 201チップ当たりのエレメント数 = 8最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 28 ns @ 45 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 7.5mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ UniFET実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 570 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 56 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.22mm動作温度 Min -55 ℃mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

ドライバ数 = 1入力タイプ = HSTL、LVPECL出力タイプ = LVDSトランスミッションデータレート = 1600Mbps1チップ当たりのエレメント数 = 1実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = USピン数 = 8差動入力低閾値電圧 = -100mV寸法 = 2.3 x 2 x 0.7mm高さ = 0.7mm長さ = 2.3mm動作供給電圧 Max = 3.6 V幅 = 2mmLVDSリピータ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 333 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 9.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 114 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 2mm高さ = 0.75mmPowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 900 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmデジタルFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 560 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大パワー消費 = 690 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.04mm高さ = 1.01mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 220 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V長さ = 2.92mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vシリーズ = QFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.45 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 225 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 7.8 nC @ 5 Vmm高さ = 16.51mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。