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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 6 A， BD243CGonsemi

￥1,598税込￥1,758

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 65 W●最小DC電流ゲイン： 20●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -1 A， MJE5731Gonsemi

￥1,398税込￥1,538

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -350 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 30●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 350 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 2 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 6 A， TIP41BGonsemi

￥1,198税込￥1,318

1袋(10個)

5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 80 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 65 W●最小DC電流ゲイン： 15●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 80 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 10 A， MJE200Gonsemi

￥3,398税込￥3,738

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 40 V●パッケージタイプ： TO-225●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 15 W●最小DC電流ゲイン： 45●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 25 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 8 V dc●最大動作周波数： 10 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 7.8×3×11.1mm●バイポーラ・パワー・トランジスタは、低電圧、低消費電力、高利得オーディオ・アンプ・アプリケーション向けに設計されています。MJE200 ( NPN )と MJE210 ( PNP )は、補完的なデバイスです。高 DC 電流ゲイン低コレクタ-エミッタ飽和電圧高電流利得帯域幅製品低漏洩のための環形構造これらのデバイスは鉛フリーですRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 8 A， MJE15028Gonsemi

￥7,998税込￥8,798

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 120 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 50 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 120 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 30 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 9.28×10.28×4.82mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -15 A， MJ2955Gonsemi

￥5,198税込￥5,718

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -70 V●パッケージタイプ： TO-204AA●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 115 W●最小DC電流ゲイン： 20●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 7 V dc●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 39.37×26.67×8.51mmRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -15 A， MJ15016Gonsemi

￥999税込￥1,099

1個

5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -120 V●パッケージタイプ： TO-204AA●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 180 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 200 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 7 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 2●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +200 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -8 A， MJE15033Gonsemi

￥6,698税込￥7,368

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -250 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 50 W●最小DC電流ゲイン： 50●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 250 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 30 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， 2N4923Gonsemi

￥33,980税込￥37,378

1箱(500個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 80 V●パッケージタイプ： TO-225●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 30 W●最小DC電流ゲイン： 30●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 3 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 11.04×7.74×2.66mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 7 A， 2N6292Gonsemi

￥1,298税込￥1,428

1袋(5個)

6日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 7 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 70 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 30●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， TIP35CGonsemi

￥8,998税込￥9,898

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●パッケージタイプ： SOT-93●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 125 W●最小DC電流ゲイン： 15●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V dc●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Min ： -65 ℃mm●このバイポーラトランジスタは、汎用パワーアンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。TIP35A 、 TIP35B 、 TIP35C ( NPN )、 TIP36A 、 TIP36B 、 TIP36C ( PNP )は補助装置です。コレクタ電流： 25 A 低漏洩電流： ICEO ： 1.0 mA @ 30 及び 60 V 優れた DC ゲイン hFE ： 40 (標準) @ 15 A 高電流ゲイン帯域幅製品鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 4 A， BD437Gonsemi

￥2,998税込￥3,298

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 45 V●パッケージタイプ： TO-225●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 36 W●最小DC電流ゲイン： 85●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 45 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V dc●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 7.8×3×11.1mmRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -10 A， BDV64BGonsemi

￥9,898税込￥10,888

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -100 V●パッケージタイプ： TO-218●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V dc●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 15.2×4.9×20.35mm●10 A 、 100 V NPN バイポーラパワートランジスタは、コンプリメンタリの汎用アンプ用途で出力デバイスとして使用します。BDV65B ( NPN )及び BDV64B ( PNP )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン HFE ： 1000 (最小) @ 5 ADC ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造鉛フリーパッケージで提供されます。ここに記載されている仕様は、標準デバイスと鉛フリーデバイスの両方に適用されますRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -15 A， MJL4302AGonsemi

￥17,980税込￥19,778

1セット(25個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -350 V●パッケージタイプ： TO-3BPL●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 230 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 350 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 35 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -8 A， MJD45H11-1Gonsemi

￥7,998税込￥8,798

1セット(75個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -80 V●パッケージタイプ： IPAK (TO-251)●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 20 W●最小DC電流ゲイン： 60●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 10 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 20 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 6.73×2.38×6.22mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -3 A， TIP32AGonsemi

￥4,798税込￥5,278

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -60 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 10●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 10.28×4.82×15.75mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -3 A， BD242CGonsemi

￥4,998税込￥5,498

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -90 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 25●トランジスタ構成：シングル●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 10.53×4.83×15.75mm●汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計された 3 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタです。BD241C ( NPN )、 BD242B ( PNP )、 BD242C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ： 1.2 V dc (最大) @ IC ： 3.0 ADC コレクタ - エミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) ： 80 V dc (最小) BD242B ： 100 V dc (最小) BD241C 、 BD242C 高電流ゲイン帯域幅製品 fT ： 3.0 MHz (最小) @ IC ： 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -10 A， MJE2955TGonsemi

￥5,898税込￥6,488

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -60 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 75 W●最小DC電流ゲイン： 20●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 70 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 2 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 9.28×10.28×4.82mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -16 A， MJL21193Gonsemi

￥14,980税込￥16,478

1セット(25個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -250 V●パッケージタイプ： TO-264●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 200 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 400 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 20.3×5.3×29mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， TIP47Gonsemi

￥4,998税込￥5,498

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 250 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 30●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 350 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 2 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -4 A， 2N5195Gonsemi

￥439税込￥483

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -80 V●パッケージタイプ： TO-225AA●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 40 W●最小DC電流ゲイン： 20●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -3 A， MJE172Gonsemi

￥1,298税込￥1,428

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -80 V●パッケージタイプ： TO-225AA●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 12.5 W●最小DC電流ゲイン： 50●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 7 V●最大動作周波数： 10 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -3 A， TIP32CGonsemi

￥2,898税込￥3,188

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -100 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 2 W●最小DC電流ゲイン： 10●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 3 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -8 A， MJE15031Gonsemi

￥8,098税込￥8,908

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -150 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 50 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 150 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 30 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 200V スルーホール 5 Wonsemi

￥98,980税込￥108,878

1セット(4000個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(2)

onsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mWonsemi

￥19,980税込￥21,978

1セット(3000個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 200 mW●パッケージタイプ： SOD-323●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 2%●ピン数： 2●テスト電流： 5mA●最大ツェナーインピーダンス： 95Ω●最大逆漏れ電流： 5μA●寸法： 1.8×1.35×1mm●動作温度 Min ： -65 ℃mV/K●ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 3V 表面実装 300 mWonsemi

￥10,980税込￥12,078

1セット(3000個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 300 mW●パッケージタイプ： SOD-323●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 5%●ピン数： 2●テスト電流： 5mA●最大ツェナーインピーダンス： 100Ω●最大逆漏れ電流： 10μA●寸法： 1.8×1.35×1mm●動作温度 Min ： -65 ℃mV/K●ツェナーダイオード300 mW、MM3Z、SZMM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 62V 表面実装 3 Wonsemi

￥37,980税込￥41,778

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 3 W●パッケージタイプ：ケース 403A●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： ±5%●ピン数： 2●テスト電流： 6mA●最大ツェナーインピーダンス： 1500Ω●最大逆漏れ電流： 1μA●寸法： 4.6×3.95×2.27mm●動作温度 Min ： -65 ℃V●この 3.0 W ツェナーダイオードは、汎用電圧調整用途向けに設計されています。ツェナー電圧範囲： 3.3 → 200 V >人体モデルごとにクラス 3 ( 16 KV )の ESD 定格を備えています平らな取り扱い面で正確に配置できます TOP サイド / ボトム回路基板実装用のパッケージ設計機械的特性：ケース：無骨、転写成型プラスチック仕上げ：外部表面はすべて耐腐食性で、簡単にはんだ付け可能なリードを備えていますはんだ付け用の最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) リード：変更された L ベンドにより、パッドを結合するための接触面積が増加します極性：カソードは成形極性ノッチで表示 PPAP対応品番の先頭が「 SZ 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件を必要とする車載用途やその他の用途向けですRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 6.8V 表面実装 550 mWonsemi

￥35,980税込￥39,578

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 550 mW●パッケージタイプ： SMB●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 5%●ピン数： 2●テスト電流： 55.1mA●最大ツェナーインピーダンス： 2.5Ω●最大逆漏れ電流： 5μA●寸法： 4.32×3.56×2.13mm●動作温度 Max ： +150 ℃●ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

onsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 3 Wonsemi

￥35,980税込￥39,578

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 3 W●パッケージタイプ： SMB●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 5%●ピン数： 2●テスト電流： 79.8mA●最大ツェナーインピーダンス： 5Ω●最大逆漏れ電流： 5μA●寸法： 4.6×3.95×2.28mm●動作温度 Min ： -65 ℃●ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 11V 表面実装 3 Wonsemi

￥1,898税込￥2,088

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 3 W●パッケージタイプ： SMB●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 5%●ピン数： 2●テスト電流： 34.1mA●最大ツェナーインピーダンス： 5.5 Ω， 550Ω●最大逆漏れ電流： 1μA●寸法： 4.6×3.95×2.28mm●動作温度 Min ： -65 ℃●ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 5 Wonsemi

￥98,980税込￥108,878

1セット(4000個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(2)

onsemi ツェナーダイオード 18V 表面実装 300 mWonsemi

￥6,998税込￥7,698

1セット(3000個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(2)

onsemi ツェナーダイオード 9.1V 表面実装 300 mWonsemi

￥359税込￥395

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費： 300 mW●パッケージタイプ： SOT-23●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ピン数： 3●テスト電流： 5mA●最大ツェナーインピーダンス： 15Ω●最大逆漏れ電流： 500nA●寸法： 3.04×1.4×1.01mm●動作温度 Min ： -65 ℃VRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 91V 表面実装 500 mWonsemi

￥10,980税込￥12,078

1セット(3000個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 500 mW●パッケージタイプ： SOD-123●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 5%●ピン数： 2●テスト電流： 1.4mA●最大ツェナーインピーダンス： 400Ω●最大逆漏れ電流： 100nA●寸法： 2.84×1.8×1.35mm●動作温度 Min ： -55 ℃●ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 500 mWonsemi

￥9,998税込￥10,998

1セット(3000個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 500 mW●パッケージタイプ： SOD-123●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 5%●ピン数： 2●テスト電流： 5mA●最大ツェナーインピーダンス： 80Ω●最大逆漏れ電流： 3μA●寸法： 2.69×1.6×1.12mm●動作温度 Min ： -55 ℃●ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 3 Wonsemi

￥579税込￥637

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 3 W●パッケージタイプ： DO-41●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 5%●ピン数： 2●テスト電流： 31.2mA●最大ツェナーインピーダンス： 550Ω●最大逆漏れ電流： 1μA●寸法： 2.7 (Dia.) x 5.2mm●動作温度 Min ： -65 ℃●ツェナーダイオード3 W、1N59xxBシリーズSurmetic(TM)、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 43V スルーホール 5 Wonsemi

￥1,198税込￥1,318

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 5 W●パッケージタイプ：ケース017AA●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： ±5%●ピン数： 2●テスト電流： 30mA●最大ツェナーインピーダンス： 190Ω●最大逆漏れ電流： 500nA●寸法： 3.68 (Dia.) x 8.89mm●動作温度 Min ： -65 ℃VRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi ツェナーダイオード 43V 表面実装 3 Wonsemi

￥1,198税込￥1,318

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 3 W●パッケージタイプ： SMB●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性： 5%●ピン数： 2●テスト電流： 8.7mA●最大ツェナーインピーダンス： 53 Ω， 950Ω●最大逆漏れ電流： 1μA●寸法： 4.6×3.95×2.28mm●動作温度 Min ： -65 ℃●ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応