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onsemi 差動ラインレシーバ表面実装， 8-Pin，回路数:3， MC100EP16VADG
onsemi
￥1,898税込￥2,088
1個
7日以内出荷
仕様●インターフェース：差動ラインレシーバIC●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 5 x 4 x 1.5mm●クロックバッファ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 4 A， 3-Pin TO-225
onsemi
￥39,980税込￥43,978
1箱(500個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-225●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 750●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.2mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi コンパレータ， 0.85 → 6 V，オープンドレイン出力表面実装， 5-Pin SC-70
onsemi
￥81,980税込￥90,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●コンパレータタイプ：ローパワー●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SC-70●電源タイプ：単一電源●出力タイプ：オープンドレイン●回路数： 1●標準応答時間： 35μs●ピン数： 5●標準シングル供給電圧： 0.85 → 6 V●寸法： 2.2 x 1.35 x 1mm●長さ： 2.2mm●幅： 1.35mm●高さ： 1mm●標準CMRR ： 65dB●標準PSRR ： 55dB●コンパレータ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ESD保護ダイオード，双方向，表面実装， NUF2114MNT1G
onsemi
￥199,800税込￥219,780
1セット(3000個)
8日以内出荷
仕様●方向性タイプ：双方向●最小ブレークダウン電圧： 13.7V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DFN8●最大逆スタンドオフ電圧： 12V●ピン数： 8●ピークパルスパワー消費： 0.36W●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 4●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +85 ℃mm●高さ： 0.95mm●ESD保護付きEMIフィルタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 15 V， 3-Pin， MC7815CD2TG
onsemi
￥1,998税込￥2,198
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧A●出力数： 1●ラインレギュレーション： 30 mV●ロードレギュレーション： 55 mV●極性：正●パッケージタイプ： D2PAKmA●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 10.236 x 9.347 x 4.572mm●動作温度 Min ： 0 ℃mm●長さ： 10.24mm●MC7815リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor. ON Semiconductorのリニア電圧レギュレータは●2 %又は4 %の公差で15 Vの固定電圧を出力します。 MC7815正電圧レギュレータには●安全動作領域補償が組み込まれています。また●内部の電流制限及びサーマルシャットダウン過負荷保護の機能も備えています。出力を調整する場合を除き●外部コンポーネントは不要です。このデバイスは●電子産業におけるさまざまな用途に適しています。. 出力電圧: 15 V 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード，単方向，表面実装， 9V， ESD9L3.3ST5G
onsemi
￥85,980税込￥94,578
1セット(8000個)
8日以内出荷
仕様●方向性タイプ：単方向●最大クランピング電圧： 9V●最小ブレークダウン電圧： 4.8V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOD-923●最大逆スタンドオフ電圧： 3.3V●ピン数： 2●ピークパルスパワー消費： 0.15W●最大ピークパルス電流： 1A●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●最大逆漏れ電流： 1μA●ESDプロテクタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， MC74HC245ADTG
onsemi
￥4,998税込￥5,498
1セット(75個)
8日以内出荷
仕様●ロジックタイプ：トランシーバ●インターフェース：バッファ&ラインドライバIC●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： TSSOP●ピン数： 20●高レベル出力電流 Max ： 35mA●低レベル出力電流 Max ： -35mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 165ns●寸法： 6.6 x 4.5 x 1.05mm●動作供給電圧 Min ： -0.5 V●伝播遅延テスト条件： 50pF●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は●データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり● I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは●データが A から B ●または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 GatesRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 基準電圧IC，出力：2.5 - 36V 表面実装可変， 8ピン， TL431BIDR2G
onsemi
￥72,980税込￥80,278
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●公称電圧： 2.5 - 36V●パッケージタイプ： SOIC●基準タイプ：可変●立上がり精度： ±0.4 %●実装タイプ：表面実装●トポロジー：シャント●出力電流 Max ： 100mA●入力電圧 Max ： 37 V●出力電圧 Min ： 2.5 V●出力電圧 Max ： 36 V●ピン数： 8●寸法： 5 x 4 x 1.5mm●高さ： 1.5mm●電圧リファレンス●調節可能●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード，単方向，表面実装， 60V， SM36T1G
onsemi
￥1,998税込￥2,198
1袋(100個)
8日以内出荷
仕様●ダイオード構成：コモンアノード●最大クランピング電圧： 60V●最小ブレークダウン電圧： 40V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOT-23●最大逆スタンドオフ電圧： 36V●ピン数： 3●ピークパルスパワー消費： 300W●最大ピークパルス電流： 4A●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 2●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ： 3.04mm●ESDプロテクタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ，表面実装， 4回路，デュアル電源， MC33079DR2G
onsemi
￥399税込￥439
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●電源タイプ：デュアル電源●回路数： 4●ピン数： 14●標準ゲイン帯域幅積： 16MHz●標準デュアル供給電圧： ±5 → ±18V●標準スルーレート： 7V/μs●最大動作周波数： 100 kHz●動作温度 Max ： +85 ℃●レール to レール： No●標準入力電圧ノイズ密度： 4.5nV/√Hz●MC33078●MC33079●低ノイズデュアル / クワッドオペアンプ●ON Semiconductor. MC33078/9シリーズは●モノリシックオペアンプのファミリです。バイポーラテクノロジーを採用し●オーディオ及びデータ信号処理用途に適しています。高周波数PNP入力トランジスタを使用して●低入力電圧ノイズ●高ゲイン帯域幅積●高スルーレートのアンプを実現しています。 MC33078/9 ファミリは●デュアルバージョンとクワッドバージョンがあり●プラスチックDIP又はSOICパッケージに収められています(サフィックスP及びDに対応)。. デュアル電源動作: ±5 → ±18 V 低電圧ノイズ: 4.5 nV/Hz 低入力オフセット電圧: 0.15 mV 低入力オフセット電圧温度係数: 2 μV/℃ 低総調波歪み: 0.002 % 高ゲイン帯域幅積: 16 MHz 高スルーレート: 7 V/μs 高オープンループACゲイン: 800 @ 20 kHz 優れた周波数安定性大出力電圧スイング: +14.1 V / -14.6 V 入力にESDダイオード付きRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 15 V， 3-Pin， MC7815BD2TR4G
onsemi
￥49,980税込￥54,978
1セット(800個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1A●出力電圧： 15 V●ラインレギュレーション： 300 mV●ロードレギュレーション： 300 mV●実装タイプ：表面実装●静止電流： 8mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定W●寸法： 10.236 x 9.347 x 4.572mm●高さ： 4.572mm●幅： 9.347mm●MC7815リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor. ON Semiconductorのリニア電圧レギュレータは●2 %又は4 %の公差で15 Vの固定電圧を出力します。 MC7815正電圧レギュレータには●安全動作領域補償が組み込まれています。また●内部の電流制限及びサーマルシャットダウン過負荷保護の機能も備えています。出力を調整する場合を除き●外部コンポーネントは不要です。このデバイスは●電子産業におけるさまざまな用途に適しています。. 出力電圧: 15 V 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi スイッチングレギュレータ， 500mA， 40 V，表面実装 LM2594DADJR2G
onsemi
￥2,298税込￥2,528
1袋(10個)
8日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 500mA●出力電圧 Max ： 37 V●レギュレータ機能：バックコントローラ●出力電圧 Min ： 1.23 V●入力電圧 Min ： 4.5 V●入力電圧 Max ： 40 V●出力タイプ：可変●実装タイプ：表面実装●出力数： 1●ピン数： 8●パッケージタイプ： SOIC●スイッチングレギュレータ：あり●動作温度 Min ： -40 ℃mm●スイッチングレギュレータ●ステップダウンDC-DCコンバータ●ON Semiconductor. バック(ステップダウン)●ブースト(ステップアップ)●フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi スイッチングレギュレータバックブーストスイッチング降圧 15 (標準) V， 5-Pin， LM2576D2T-15G
onsemi
￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
8日以内出荷
仕様●レギュレータ機能：ステップダウン●レギュレータタイプ：バックブーストスイッチングA●出力電圧： 15 (標準) V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： D2PAK●ピン数： 5●出力タイプ：固定●最大スイッチング周波数： 52 kHz●スイッチングレギュレータ：あり●効率： 88 (Typ.)%●寸法： 10.23 x 10.61 x 4.57mm●入力電圧 Max ： 40 Vmm●長さ： 10.23mm●LM2576 バックスイッチングレギュレータは●ステップダウンスイッチングレギュレータ(バックコンバータ)の簡単で便利な設計に最適なモノリシック集積回路です。このシリーズのすべての回路は●優れたライン / 負荷調整で 3.0 A の負荷を駆動できます。これらのデバイスは●固定出力電圧 3.3 V ● 5.0 V ● 12 V ● 15 V ●出力調整可能なタイプが用意されています。バックスイッチングレギュレータは●外部コンポーネントの数を最小限に抑えて電源設計を簡素化するように設計されています。LM2576 との併用に最適化された標準シリーズのインダクタは●複数のインダクタメーカーによって提供されています。LM2576 コンバータはスイッチモード電源であるため●特に高い入力電圧の一般的な 3 端子リニアレギュレータと比較して効率が大幅に向上しています。多くの場合●消費電力が非常に低いため●ヒートシンクが不要であるか●サイズが大幅に縮小されます。LM2576 と組み合わせて使用するように最適化された標準シリーズのインダクタは●さまざまなメーカー製が用意されています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 基準電圧IC，出力：2.5 - 36V 表面実装可変， 8ピン， TL431BCDR2G
onsemi
￥73,980税込￥81,378
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●公称電圧： 2.5 - 36V●パッケージタイプ： SOIC●基準タイプ：可変●立上がり精度： ±0.4 %●実装タイプ：表面実装●トポロジー：シャント●出力電流 Max ： 100mA●入力電圧 Max ： 37 V●出力電圧 Min ： 2.5 V●出力電圧 Max ： 36 V●ピン数： 8●寸法： 5 x 4 x 1.5mm●長さ： 5mm●電圧リファレンス●調節可能●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi LEDドライバ IC， 15mA， 208mW， PWM 調光 2-Pin SOD-123
onsemi
￥46,980税込￥51,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●出力電流： 15mA●入力電圧： 45 V●AC/DC入力電圧： dc●減光操作： PWM●最大出力パワー： 208mW●パッケージタイプ： SOD-123●ピン数： 2●先頭にNSVの付いたメーカー品番は●AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi HCTシリーズフリップフロップ表面実装 20-Pin SOIC
onsemi
￥3,798税込￥4,178
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●論理回路： HCT●ロジックタイプ： D タイプ●入力タイプ： CMOS●出力タイプ： TTL●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 20●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 35 ns @ 50 pF●動作供給電圧 Max ： 5.5 Vmm●高さ： 2.4mm●74HCTファミリ●ON Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL●出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi インバータインバータシュミットトリガー CMOS 74
onsemi
￥2,998税込￥3,298
1袋(100個)
8日以内出荷
仕様●ロジックタイプ：インバータシュミットトリガー●入力タイプ： CMOS●1チップ当たりのエレメント数： 1●シュミットトリガ入力：あり●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 48ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： TSSOP●ピン数： 14●論理回路： 74HCT●寸法： 5.1 x 4.5 x 1.05mm●高さ： 1.05mm●幅： 4.5mm●高性能シリコンゲート CMOS ● MC74HCT14A は● TTL または NMOS 出力を高速 CMOS 入力にインターフェイスするレベルコンバータとして使用できます。HCT14A は LS14 と同じピン配列です。HCT14A は●入力の上昇時間と下降時間を「スクエアアップ」するのに便利です。シュミットトリガのヒステリシス電圧により● HCT14A はノイズの多い環境でのアプリケーションを検出します。出力駆動能力： 10LSTTL 負荷 TTL/NMOS 互換の入力レベル CMOS ● NMOS ●および TTL に直接インタフェースします動作電圧範囲： 4.5 ～ 5.5 V 低入力電流： 1.0mA チップの複雑さ： 72 個または 18 個の同等 GatesRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ロジックゲート， OR/NOR，表面実装， 4-入力， MC100EL01DG
onsemi
￥2,498税込￥2,748
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ： OR/NOR●実装タイプ：表面実装●エレメント数： 1●ゲートあたりの入力数： 4●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●論理回路： ECL●入力タイプ： ECL●動作供給電圧 Max ： 5.7 V●動作供給電圧 Min ： 4.2 V●高さ： 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ロジックゲート， NOR，表面実装， 2-入力， MC14001BDR2G
onsemi
￥82,980税込￥91,278
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ： NOR●実装タイプ：表面実装●エレメント数： 4●ゲートあたりの入力数： 2●シュミットトリガ入力：なし●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 14●論理回路： 4000●入力タイプ： CMOS●動作供給電圧 Max ： 18 V●高レベル出力電流 Max ： -4.2mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 350ns●動作供給電圧 Min ： 0.5 V●低レベル出力電流 Max ： 4.2mA●高さ： 1.5mm●4000シリーズロジックゲート●ON SemiconductorsRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 基準電圧IC，出力：2.5V 表面実装固定， 8ピン， LM285D-2.5G
onsemi
￥229税込￥252
1袋(2個)
8日以内出荷
仕様●公称電圧： 2.5V●パッケージタイプ： SOIC●基準タイプ：固定●立上がり精度： ±1.5 %●実装タイプ：表面実装●トポロジー：シャント●出力電流 Max ： 20mA●出力電圧 Min ： 2.462 V●出力電圧 Max ： 2.538 V●ピン数： 8●ロードレギュレーション： 10 mV●寸法： 5 x 4 x 1.5mm●動作温度 Max ： +85 ℃mm●電圧基準●0.6 → 4.096 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi インバータインバータシュミットトリガ 74
onsemi
￥3,398～税込￥3,738～
1袋(50個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(3)
onsemi オペアンプ，表面実装， 2回路，デュアル電源， MC33178DR2G
onsemi
￥379税込￥417
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●電源タイプ：デュアル電源●回路数： 2●ピン数： 8●標準ゲイン帯域幅積： 5MHz●標準デュアル供給電圧： ±2 → ±18V●標準スルーレート： 2V/μs●最大動作周波数： 100 kHz●動作温度 Min ： -40 ℃●標準電圧ゲイン： 106 dB●高さ： 1.5mm●MC33178●MC33179●低消費電力●低ノイズオペアンプ●ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC33178/9シリーズのオペアンプは●バイポーラテクノロジーを使用する高品質のオーディオとデータ信号処理用途向けの製品です。高周波数PNP入力トランジスタを使用して●低入力オフセット電圧●低ノイズ●及び低歪みを実現しています。また●アンプ1つあたりわずか420 μAのドレイン電流で高出力電流駆動能力を発揮します。デュアルバージョンとクワッドバージョンがあり●DIP及びSOICパッケージで提供されます。. 600 W出力駆動能力大出力電圧スイング低オフセット電圧: 0.15 mV (平均) 低全高調波歪み: 0.0024 % (@ 1 kHz●600 W負荷) 高ゲイン帯域幅: 5 MHz 高スルーレート: 2 V/μs デュアル電源動作: ±2 → ±18 V 入力にESDクランプ付きRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi シフトレジスタ HCシリーズ 8ステージシフトレジスター単方向， 16-Pin TSSOP 1 74
onsemi
￥62,980税込￥69,278
1セット(2500個)
8日以内出荷
仕様●パッケージタイプ： TSSOP●ロジックタイプ：シフトレジスター●ステージ数： 8●論理回路： HC●実装タイプ：表面実装●動作/操作モード：パラレル-シリアル●シリアル●エレメント数： 1●ピン数： 16●動作供給電圧 Min ： 2 V●動作供給電圧 Max ： 6 V●寸法： 5.1 x 4.5 x 1.05mm●方向性タイプ：単方向●74HC シリーズ●ON Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS●出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317MABDTG
onsemi
￥2,598税込￥2,858
1セット(75個)
8日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 500mA●出力電圧： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション： 0.04 %/V●ロードレギュレーション： 25 mV●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DPAK●ピン数： 3V●出力タイプ：可変●寸法： 6.73 x 6.22 x 2.25mm●入力電圧 Max ： 40 Vmm●幅： 6.22mm●LM317M は●調整可能な 3 端子ポジティブリニア電圧レギュレータで● 1.2 → 37 V の出力電圧範囲で 500 mA を超える電流を供給できますこのリニア電圧レギュレータは●非常に使いやすく●出力電圧を設定するのに 2 つの外部抵抗器のみが必要です。さらに●内部電流制限●サーマルシャットダウン●安全領域補償を採用しているため●本質的に防爆性があります。LM317M は●ローカルのカード規則などのさまざまな用途で使用できます。このリニア電圧レギュレータは●特にシンプルな調整可能スイッチングレギュレータ●プログラマブル出力レギュレータ●又は調整と出力の間に固定抵抗器を接続することで● LM317M は高精度電流レギュレータとして使用することもできます。出力電流: 500 mA超出力は 1.2 → 37 V の範囲で調整可能です内部の熱的過負荷保護内部の短絡電流制限出力トランジスタ安全動作領域補償高電圧用途向けのフローティング動作多数の固定電圧のストッキングを除去します工場管理の変更が必要な車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用しますRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオードアレイ，単方向，表面実装， 10V， NUP2114UCMR6T1G
onsemi
￥85,980税込￥94,578
1セット(3000個)
8日以内出荷
仕様●方向性タイプ：単方向●最大クランピング電圧： 10V●最小ブレークダウン電圧： 5.5V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： TSOP●最大逆スタンドオフ電圧： 5V●ピン数： 6●最大ピークパルス電流： 12A●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 3●動作温度 Min ： -40 ℃●寸法： 3.1 x 1.7 x 1mm●高さ： 1mm●ESDプロテクタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi MOSFETゲートドライバ 5 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装
onsemi
￥229,800税込￥252,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ： CMOS， TTL●出力電流： 5 A●供給電圧： 20V●ピン数： 8●パッケージタイプ： SOIC●出力数： 2●トポロジー：ローサイド●ドライバ数： 2●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ラッチ， 16-Pin デコーダ表面実装 MC14536BDWG
onsemi
￥5,398税込￥5,938
1セット(47個)
7日以内出荷
仕様●ラッチエレメント：デコーダ●ビット数： 4●出力タイプ：パルス●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 16●セット/リセット： Yes●寸法： 10.45 x 7.6 x 2.4mm●高さ： 2.4mm●長さ： 10.45mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●MC14536B プログラマブルタイマは● 24 段バイナリリップルカウンタで● 16 段階はバイナリコードで選択できます。オンチップ RC 発振器又は外部クロックを用意しています。パルスタイプ出力を内蔵したオンチップモノステーブル回路が搭載されています。適切な入力クロック周波数と組み合わせて適切なカウンタ段を選択することで●さまざまなタイミングを実現できます。24 のフリップフロップの段階 - 20 から 224 まで数える 4 ビット選択コードで選択可能な最新 16 段階 8 バイパス入力により●最初の 8 つのステージをバイパスできます入力を設定およびリセットしますクロックインヒビット及びオシレータインヒビット入力オンチップ RC オシレータによりプロビジョニングされていますオンチップモノステーブル出力プロビジョニングクロック調整回路は●非常に長い立ち上がり時間及び立ち下がり時間で動作できます Test Mode \81\5c Fast Test Sequence (高速テストシーケンス)を可 \94\5c に供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動可能鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi PWMコントローラ IC， 8-Pin SOIC
onsemi
￥159,800税込￥175,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(3)
onsemi ESD保護ダイオード，単方向，表面実装， 10.1V， NZL5V6AXV3T1G
onsemi
￥1,498税込￥1,648
1袋(50個)
8日以内出荷
仕様●方向性タイプ：単方向●最大クランピング電圧： 10.1V●最小ブレークダウン電圧： 5.32V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOT-523 (SC-89)●最大逆スタンドオフ電圧： 3V●ピン数： 3●ピークパルスパワー消費： 50W●最大ピークパルス電流： 4.8A●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 2●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ： 1.7mm●低静電容量ESD保護アレイRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11.4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン
onsemi
￥179,800税込￥197,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 11.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 30 V●パッケージタイプ： SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 19 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最大パワー消費： 2.5 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin，回路数:8， MC74HC541ADTG
onsemi
￥1,798税込￥1,978
1袋(20個)
8日以内出荷
仕様●論理回路： 74HC●ロジックタイプ：バッファ●ラインドライバ●ラインレシーバ●インターフェース：バッファ&ラインドライバIC●入力タイプ： CMOS●出力タイプ： 3ステート●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： TSSOP●ピン数： 20●高レベル出力電流 Max ： 7.8mA●低レベル出力電流 Max ： 7.8mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 165 ns@ 50 pF●寸法： 6.6 x 4.5 x 1.05mm●動作供給電圧 Max ： 6 V●伝播遅延テスト条件： 50pF●74HC シリーズ●ON Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS●出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ，表面実装， 1回路，単一電源， LMV931SQ3T2G
onsemi
￥129,800税込￥142,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●アンプタイプ：低電圧●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SC-88A●電源タイプ：単一電源●回路数： 1●ピン数： 5●標準シングル供給電圧： 1.8 → 5.5 V●標準ゲイン帯域幅積： 1.4MHz●標準スルーレート： 0.48V/μs●最大動作周波数： 50 kHz●動作温度 Min ： -40 ℃●標準電圧ゲイン： 105 dB●高さ： 1mm●LMV931 / LMV932●低電力●75 μA●レールツーレールI / O●ON Semiconductor. 電源電圧: 1.8 → 5 V 低静止電流: 210 μA(最大●1チャンネル当たり)RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 1.8 V， 5-Pin， NCP551SN18T1G
onsemi
￥91,980税込￥101,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧mA●出力電圧： 1.8 V●ラインレギュレーション： 30 mV●精度： 2%●実装タイプ：表面実装●静止電流： 8μA●ピン数： 5●出力タイプ：固定●寸法： 3 x 1.5 x 1mm●入力電圧 Max ： 12 Vmm●幅： 1.5mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●最大 1.8 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 3.2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi
￥36,980税込￥40,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 3.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 80 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.2V●最大パワー消費： 1.25 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -12 V， +12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 0.94mm●NチャンネルパワーMOSFET●20 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 2.6 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン
onsemi
￥79,980税込￥87,978
1セット(1000個)
8日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 2.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 185 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最大パワー消費： 2.3 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi インバータヘキサインバータ / バッファシングルエンド MC14049BDR2G
onsemi
￥1,498税込￥1,648
1袋(25個)
8日以内出荷
仕様●ロジックタイプ：ヘキサインバータ / バッファ●入力タイプ：シングルエンド●出力タイプ：シングルエンド●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 140ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 16●寸法： 10 x 4 x 1.5mm●動作供給電圧 Max ： 18 Vmm●幅： 4mm●MC14049B ヘキサインバータ / バッファおよび MC14050B 非反転ヘキサバッファは●単一モノリシック構造の MOS P チャネルおよび N チャネル拡張モードデバイスで構成されます。これらの補完的な MOS デバイスは●低消費電力や高ノイズ耐性が求められる場合に●主に使用されます。これらのデバイスは● 1 つの電源電圧 VDD のみを使用してロジックレベル変換を行います。入力信号の高レベル (VIH) は●ロジックレベル変換用の VDD 供給電圧を超えることができます。デバイスを CMOS から TTL/DTL へのコンバータとして使用する場合● 2 つの TTL/DTL 負荷を駆動でき<>ます (VDD ： 5.0V ● VOL ： 0.4V ● IOL ： 3.2mA) 。ソースおよびシンク電流が高い高レベルから低レベルへのコンバータ供給電圧範囲： 3.0V ～ 18V すべての入力の ESD 保護を強化RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 -6 V， 3-Pin， MC7906CTG
onsemi
￥6,998税込￥7,698
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1A●出力数： 1●ラインレギュレーション： 120 mV●ロードレギュレーション： 120 mV%●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 10.28 x 4.82 x 9.28mm●動作温度 Min ： 0 ℃mm●長さ： 10.28mm●負電圧リニアレギュレータ●ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード，双方向，表面実装， ESD5B5.0ST1G
onsemi
￥16,980税込￥18,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ：双方向●最小ブレークダウン電圧： 5.8V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOD-523●最大逆スタンドオフ電圧： 5V●ピン数： 2●ピークパルスパワー消費： 50W●最大ピークパルス電流： 30A●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法： 1.3 x 0.9 x 0.7mm●高さ： 0.7mm●ESDプロテクタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ディスプレイドライバ NSI45020JZT1G
onsemi
￥46,980税込￥51,678
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ： SOT●ディスプレイタイプ： LED●ピン数： 223●供給電圧： 45 V●最大供給電流： 40mA●動作温度 Min ： -55℃●実装タイプ：表面実装℃●幅： 3.7mm●高さ： 1.75mm●長さ： 6.7mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は●AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi N， Pチャンネル MOSFET8 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-363 6 ピン
onsemi
￥72,980税込￥80,278
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N， P●最大連続ドレイン電流： 1.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 8 V●パッケージタイプ： SOT-363●実装タイプ：表面実装●ピン数： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗： 320 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 400 mW●トランジスタ構成： N+P負荷スイッチ●最大ゲート-ソース間電圧： +8 V●幅： 1.35mm●高さ： 1mm●ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET. NTJD1155Lは●デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し●低制御信号●低バッテリ電圧●高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており●1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また●PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応