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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC548BTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC548BTAonsemi
2,898税込3,188
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTAonsemi
1,598税込1,758
1袋(100個)
4日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200, 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CBU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CBUonsemi
3,298税込3,628
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200, 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTF onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTFonsemi
2,798税込3,078
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200, 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BBU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BBUonsemi
3,298税込3,628
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200, 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC546BTF onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC546BTFonsemi
1,898税込2,088
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, KSD1616AYTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, KSD1616AYTAonsemi
37,980税込41,778
1セット(2000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 135, 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDP18N50 onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDP18N50onsemi
2,598税込2,858
1袋(5個)
5日以内出荷
パッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 235 Wピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmUniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDA38N30 onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDA38N30onsemi
3,698税込4,068
1袋(5個)
5日以内出荷
パッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 312 Wピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mmUniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -800 mA, MMBT3906LT3G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -800 mA, MMBT3906LT3Gonsemi
28,980税込31,878
1セット(10000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -700 mA, 30A02CH-TL-E onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -700 mA, 30A02CH-TL-Eonsemi
2,498税込2,748
1袋(50個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -700 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = CPH実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 700 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 520 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.6 x 0.9mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, MMBT4403LT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, MMBT4403LT1Gonsemi
499税込549
1袋(50個)
翌々日出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -500 mA, MMBT5401LT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -500 mA, MMBT5401LT1Gonsemi
15,980税込17,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, BC856BDW1T1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, BC856BDW1T1Gonsemi
919税込1,011
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 220最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BDW1T1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BDW1T1Gonsemi
459税込505
1袋(25個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -15 A, D45VH10G onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -15 A, D45VH10Gonsemi
899税込989
1袋(5個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 83 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, SMMBT4401LT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, SMMBT4401LT1Gonsemi
21,980税込24,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT2369ALT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT2369ALT1Gonsemi
2,598税込2,858
1袋(250個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4.5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MBT3904DW1T3G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MBT3904DW1T3Gonsemi
1,998税込2,198
1セット(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5233DW1T1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5233DW1T1Gonsemi
1,798税込1,978
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mmこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 7 A, KSC2334YTU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 7 A, KSC2334YTUonsemi
6,298税込6,928
1セット(50個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.9 x 4.5 x 18.95mmパワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 5 A, KSD5041RTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 5 A, KSD5041RTAonsemi
47,980税込52,778
1セット(2000個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 340トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 300 mA, KSP44TF onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 300 mA, KSP44TFonsemi
2,798税込3,078
1袋(50個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 300 mA, KSP44TA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 300 mA, KSP44TAonsemi
449税込494
1袋(5個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 3 A, KSD2012GTU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 3 A, KSD2012GTUonsemi
4,998税込5,498
1セット(50個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 25 W最小DC電流ゲイン = 150トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.16 x 2.54 x 15.87mmパワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 3 A, KSC5027OTU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 3 A, KSC5027OTUonsemi
1,698税込1,868
1袋(10個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.9 x 4.5 x 18.95mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 16 A, MJW21196G onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 16 A, MJW21196Gonsemi
1,998税込2,198
1袋(2個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 16 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFR onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFRonsemi
3,298税込3,628
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -500 mA, MMBTA92LT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -500 mA, MMBTA92LT1Gonsemi
15,980税込17,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -500 mA, MMBTA56LT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -500 mA, MMBTA56LT1Gonsemi
779税込857
1袋(50個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 900 mA, MMBT3904LT3G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 900 mA, MMBT3904LT3Gonsemi
31,980税込35,178
1セット(10000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 900 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT5551LT3G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT5551LT3Gonsemi
35,980税込39,578
1セット(10000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT5551LT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT5551LT1Gonsemi
12,980税込14,278
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 140 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT4401LT3G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT4401LT3Gonsemi
1,498税込1,648
1袋(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT4401LT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT4401LT1Gonsemi
679税込747
1袋(50個)
6日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT2222LT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT2222LT1Gonsemi
1,798税込1,978
1袋(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3Gonsemi
389税込428
1袋(25個)
翌々日出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT6429LT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT6429LT1Gonsemi
959税込1,055
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 500トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 55 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT3904LT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT3904LT1Gonsemi
11,980税込13,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMBT2484LT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMBT2484LT1Gonsemi
19,980税込21,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 250トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm低ノイズバイポーラトランジスタ、ON Semiconductor
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