「論理回路」の検索結果

ロジックタイプ = インバータ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = 4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

論理回路 = AC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 12.95mm。幅 = 7.6mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = バッファ。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 6。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = LCX。動作供給電圧 Max = 5.5 V。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.7 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 4.5mm

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ， 非反転バッファ。回路数 = 1。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120ns。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 10pF

論理回路 = AC。ラッチモード = アドレス可能。ラッチエレメント = デコーダ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 差動。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。セット/リセット = マスターリセット。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = AC。ロジックタイプ = OR。入力タイプ = TTL。出力タイプ = TTL。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。1チップ当たりのエレメント数 = 4。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。高さ = 1.5mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

パッケージタイプ = SOIC。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = CMOS。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = パラレル to シリアル。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = -0.5 V。動作供給電圧 Max = 18 V。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。リセットタイプ = 非シンクロナス。4000シリーズカウンタ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

論理回路 = AC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = TTL。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。セット/リセット = マスターリセット。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。幅 = 7.6mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

パッケージタイプ = SOIC W。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 64。論理回路 = CMOS。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = -0.5 V。動作供給電圧 Max = 18 V。寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mm。トリガータイプ = 負エッジ。4000シリーズカウンタ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

論理回路 = VHC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 8mA。高レベル出力電流 Max = -8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm

論理回路 = FXL。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroPak。ピン数 = 10。寸法 = 2.1 x 1.6 x 0.5mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 15pF。動作供給電圧 Max = 3.6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.1 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = ACT。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。出力タイプ = 3ステート。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = 24mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = ACT。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。伝播遅延テスト条件 = 45pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 45 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。自動車規格 = AEC-Q100

論理回路 = 74HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.2mA。低レベル出力電流 Max = 7.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 45 ns@ 150 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.59mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

パッケージタイプ = SOIC。ロジックタイプ = カウンター。ステージ数 = 4。論理回路 = CMOS。実装タイプ = 表面実装。カウンタタイプ = バイナリー。動作/操作モード = ダウン カウンター， Up カウンター。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = -0.5 V。動作供給電圧 Max = 18 V。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。リセットタイプ = シンクロナス。4000シリーズカウンタ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

論理回路 = LCX。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。出力タイプ = 3ステート。寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 3.6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -55 ℃

論理回路 = HC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 12.95mm。幅 = 7.6mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = ECL。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = 差動、シングルエンド。出力タイプ = ECL。出力信号タイプ = 差動。トリガータイプ = ネガティブエッジ、ポジティブエッジ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 8。セット/リセット = Yes。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 410ps。動作供給電圧 Max = ±5.5 Vmm。高さ = 0.95mm。ECLフリップフロップ / ラッチ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

パッケージタイプ = TSSOP。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = 74VHC。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル， パラレル。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = 2 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。方向性タイプ = 単方向。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = ECL。ロジックタイプ = D タイプ。出力タイプ = ECL。出力信号タイプ = 差動。トリガータイプ = 正エッジ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。セット/リセット = Yes。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 645ps。動作供給電圧 Max = ±5.7 Vmm。幅 = 4mm。ECLフリップフロップ / ラッチ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

論理回路 = 4000。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 6。入力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。高レベル出力電流 Max = -4.7mA。低レベル出力電流 Max = 30mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 140 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = +18 Vmm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 1。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74HC。動作供給電圧 Max = 6 V。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns。動作供給電圧 Min = 2 V。幅 = 4mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。高さ = 2.642mm。長さ = 13.01mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = FXMA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UMLP。ピン数 = 8。寸法 = 1.4 x 1.2 x 0.525mm。低レベル出力電流 Max = 50mA。高レベル出力電流 Max = -50mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.65 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = LCX。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝送 = CMOS。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm

論理回路 = 4000。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = SRタイプ。ビット数 = 4bit。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。セット/リセット = Yes。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。動作供給電圧 Max = 18 Vmm。4000シリーズフリップフロップ及びラッチ、ON Semiconductor

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = Dフリップフロップ。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = CMOS、LSTTL、NMOS、TTL。出力信号タイプ = Dタイプフリップフロップ。トリガータイプ = 正エッジ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。セット/リセット = セット / リセット。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.5mm

論理回路 = FXLP。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-70。ピン数 = 5。寸法 = 2 x 1.25 x 1mm。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。伝播遅延テスト条件 = 30pF。動作供給電圧 Max = 3.6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = シングルエンド。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 250 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 2。ゲートあたりの入力数 = 4。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 18 V。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = -5 V。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。自動車規格 = AEC-Q100mm。4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = AC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = TTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。セット/リセット = マスターリセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns@ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.5mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = HCT。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = TTL。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 36 ns @ 50 pF。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。幅 = 4mm。74HCTファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = HCT。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 9。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 6mA。低レベル出力電流 Max = 6mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 38 ns @ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 4.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF

パッケージタイプ = SOP。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = VHC。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル to パラレル。エレメント数 = 1。ピン数 = 14。動作供給電圧 Min = 2 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。寸法 = 10.2 x 5.3 x 1.8mm。リセットタイプ = 非シンクロナス。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.2 ns @ 30 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = S70。ピン数 = 5。論理回路 = LVCMOS。寸法 = 2 x 1.25 x 1mm。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 1.25mm。TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor