「1.4mm」の検索結果

ダイオード構成 = シングルmA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 250V。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。パワー消費 = 385mW

ダイオード構成 = シングルmA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 70V。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 2.5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。パワー消費 = 300mW

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。パワー消費 = 300mW

公称電圧 = 1.24V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 高精度、プログラマブル。立上がり精度 = ±1 %， ±2 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シリーズ / シャント。出力電流 Max = 20mA。入力電圧 Max = 16 V。出力電圧 Min = 1.24 V。出力電圧 Max = 16 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。幅 = 1.4mm

最大順方向電流 = 225mA。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 250V。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mW

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38V。最小ブレークダウン電圧 = 25.65V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 7V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3mV。最大ダイオードキャパシタンス = 1pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.11mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.11mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. RF帯スイッチングダイオード、ON Semiconductor. HF、RF、マイクロ波の混合及び検出用途に最適なRF (無線周波数)ダイオードです。

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 70V。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 2.5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。パワー消費 = 300mW。コモンカソードスイッチングダイオードは、超高速スイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 10000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。幅 = 1.4mm。ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 260 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V。最低ゲートしきい値電圧 = 1.9V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±30 V。幅 = 1.4mm。順方向ダイオード電圧 = 1.2V

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 400 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +12 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃V

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8.7V。最小ブレークダウン電圧 = 5.89V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 2.7A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mW。このスイッチングダイオードは、高速スイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、自動挿入に最適な SOT-23 表面実装パッケージに収容されています。鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 46V。最小ブレークダウン電圧 = 31.35V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 26V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 0.87A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最小DC電流ゲイン = 5000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。幅 = 1.4mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 11V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 300W。最大ピークパルス電流 = 17A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。高速ライン保護のための300 W低静電容量TVS. 補償ダイオードにTVSダイオードを直列接続することで、静電容量を5 pF未満に抑制 ピーク定格出力: 300 W、8 x 20 μs

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8V。最小ブレークダウン電圧 = 5.32V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。24 Wデュアルツェナートランジェント電圧サプレッサ、ON Semiconductor. ESD保護のためのSOT-23デュアルコモンアノードツェナー。 コンピュータ、プリンタ、ビジネスマシン、通信システム、医療機器など、電圧や静電気放電に敏感な機器で使用。

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最小DC電流ゲイン = 5000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。幅 = 1.4mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 800 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 1.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 2000Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mA

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 5.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 250nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mA