「20型」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 69 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 266 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 29 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2000 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.5mm。自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 280 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-563。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 250 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.2mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 4.9mm。順方向ダイオード電圧 = 1.2V。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 82 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 1.6 W、2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.9mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、4.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ， 105 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2000 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrenchR MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度な技術を利用することで、このデバイスのFOM(性能指数)は前世代の製品よりも大幅に低くなっています。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.1mm。高さ = 2.3mm。QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 560 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V。最大パワー消費 = 830 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.01mm。NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 100 A、238 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.7 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 104 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.05mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 73 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 310000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.3mm。高さ = 0.75mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 30 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.3mm。高さ = 0.75mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 22 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 26 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.9mm。高さ = 16.07mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 340 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 0.9mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 36 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 62 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 33.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 105 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 135000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。高さ = 9.4mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 265 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 395 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.1mm。高さ = 15.38mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = ECH。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V。最大パワー消費 = 1.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.3mm。高さ = 0.9mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 560 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V。最大パワー消費 = 690 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.01mm。NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.3A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 58 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 55 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.9mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor