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RoHS10物質対応(11)
「2n7002」の検索結果
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 280 mA 表面実装 パッケージSOT-563 6 ピンonsemi￥1,598税込￥1,758
1セット(50個)
5日以内出荷
仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)250チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)280最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥1,398税込￥1,538
1セット(100個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最小ゲートしきい値電圧(V)1.1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピンonsemi￥1,898税込￥2,088
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)200チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥1,498税込￥1,648
1箱(100個)
7日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥869税込￥956
1袋(20個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥32,980税込￥36,278
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピンonsemi￥1,898税込￥2,088
1袋(50個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃mm強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥24,980税込￥27,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 2.92mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 380 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥17,980税込￥19,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 380 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大パワー消費 = 420 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.04mm高さ = 1.01mmON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥19,980税込￥21,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 115 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 7.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 340 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピンonsemi￥18,980税込￥20,878
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 340 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 330 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm高さ = 0.9mmON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V
RoHS指令(10物質対応)対応
