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onsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 5 Wonsemi
24,980税込27,478
1箱(1000個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 5 Wonsemi
26,980税込29,678
1箱(1000個)
7日以内出荷
ダイオード構成 シングルV実装タイプ スルーホール最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 240mA最大ツェナーインピーダンス 1.5Ω最大逆漏れ電流 1μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Max +200 ℃ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 120V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 120V スルーホール 5 Wonsemi
22,980税込25,278
1箱(1000個)
7日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 120V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = ケース017AAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 1150Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm順方向電流 = 1Aツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDA59N30 onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDA59N30onsemi
3,898税込4,288
1箱(5個)
7日以内出荷
ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)500最大動作温度(℃)150
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
769税込846
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:13 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:21 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi MOSFETゲートドライバ 3 A SOT-23 1 5-Pin ローサイド 反転, 非反転 表面実装 onsemionsemi MOSFETゲートドライバ 3 A SOT-23 1 5-Pin ローサイド 反転, 非反転 表面実装onsemi
819税込901
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様ロジックタイプ:TTLピン数(ピン)5極性反転, 非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流0.125供給電圧(V)18パッケージSOT-23実装タイプ表面実装ドライバ数1トポロジーローサイド出力数1
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 12.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 12.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
699税込769
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:12.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:16 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET40 V 8.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET40 V 8.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
689税込758
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:8.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:19 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi MOSFETゲートドライバ -5 A 、 5 A SOIC 2 8-Pin ローサイド 非反転 表面実装 onsemionsemi MOSFETゲートドライバ -5 A 、 5 A SOIC 2 8-Pin ローサイド 非反転 表面実装onsemi
1,598税込1,758
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様ロジックタイプ:TTL出力電流(A)-5 、 5ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ドライバ数2トポロジーローサイド高/低サイド依存性独立、同期出力数2
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 35A, 200V, 29 x 29 x 11.23mm, GBPC3502 onsemionsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 35A, 200V, 29 x 29 x 11.23mm, GBPC3502onsemi
4,798税込5,278
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●ジャンクション静電容量:200pF●ダイオードテクノロジー:シリコンジャンクション長さ(mm)29ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC 4L実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 1.7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET100 V 1.7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンonsemi
769税込846
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:1.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:4.6 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)350最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 8A, 600V, 22.3 x 18.8 x 3.56mm, GBU8J onsemionsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 8A, 600V, 22.3 x 18.8 x 3.56mm, GBU8Jonsemi
2,798税込3,078
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)3.56ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBU 4L実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)8ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi PWMコントローラ IC, 8-Pin PDIP onsemionsemi PWMコントローラ IC, 8-Pin PDIPonsemi
1,298税込1,428
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予約販売
仕様PWM コントローラタイプ:SMPS、PWM (パルス幅変調)コントローラ、Fairchild Semiconductor幅(mm)6.4寸法(mm)9.6×6.4×3.4高さ(mm)3.4ピン数(ピン)8動作温度(℃)-25 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールスイッチング周波数(kHz)最大600最大供給電流(mA)1.8最大ソース電流(μA)-5最大シンク電流(μA)65スタートアップ供給電流(mA)15
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンonsemi
1,898税込2,088
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:40 nC @ 5 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)110チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 1 Wonsemi
889税込978
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)21最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)9
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 16 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET50 V 16 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
899税込989
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:16 AシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)60チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)47最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 , +10トランジスタ構成シングル
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 800V, 8.51 x 6.5 x 3.3mm, DF08S onsemionsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 800V, 8.51 x 6.5 x 3.3mm, DF08Sonsemi
599税込659
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流長さ(mm)8.51高さ(mm)3.3ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージSDIP実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 100V, 8.51 x 6.5 x 3.3mm, DF01S onsemionsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 100V, 8.51 x 6.5 x 3.3mm, DF01Sonsemi
869税込956
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×3.3高さ(mm)3.3ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55~+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
1,198税込1,318
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンonsemi
879税込967
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0.2083333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチングパッケージSOT-223実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)3000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-65
onsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 Wonsemi
779税込857
1箱(100個)
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)14最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
onsemi TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 21.2V, P6KE15CA onsemionsemi TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 21.2V, P6KE15CAonsemi
349税込384
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様ダイオード構成:シングル寸法(mm)7.62×3.56×3.56ピン数(ピン)2特性TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild SemiconductorパッケージDO-15実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)12.8最大クランピング電圧(V)21.2最小ブレークダウン電圧(V)14.3ピークパルスパワー消費(W)600最大ピークパルス電流(A)28最大逆漏れ電流(μA)5最小動作温度(℃)-65
onsemi ツェナーダイオード 24V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 24V スルーホール 1 Wonsemi
829税込912
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)10.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)25
onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 500 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 500 mWonsemi
879税込967
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)5最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)17ツェナー電圧(V)標準5.1
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
999税込1,099
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、 +10トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 5 A, BUT11AFTU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 5 A, BUT11AFTUonsemi
2,598税込2,858
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)450最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)1000トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)5トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン0最大パワー消費40 W
onsemi ツェナーダイオード 33V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 33V スルーホール 1 Wonsemi
1,798税込1,978
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)7.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)45
onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 500 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 500 mWonsemi
1,298税込1,428
1箱(250個)
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)1.91 (Dia.)×4.56ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)-65 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)1600 @ 0.25 mA、 17 @ 20 mA最大パワー消費500 mW
onsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 1 Wonsemi
799税込879
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)15.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)16
onsemi ツェナーダイオード 27V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 27V スルーホール 1 Wonsemi
849税込934
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)9.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)35
onsemi ツェナーダイオード 13V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 13V スルーホール 1 Wonsemi
569税込626
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)19最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)10
onsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 W onsemionsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 Wonsemi
889税込978
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仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)14最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
onsemi ツェナーダイオード 56V スルーホール 5 W onsemionsemi ツェナーダイオード 56V スルーホール 5 Wonsemi
25,980税込28,578
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標準ツェナー電圧 = 56V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = ケース017AAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 280Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm順方向電流 = 1Aこれは、厳格な制限及び優れた動作特性を備えた 5.0 W ツェナーダイオード電圧レギュレータの全シリーズで、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらはすべて、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供するアキシャルリード型のトランスファー成形プラスチックパッケージに収容されています。8.3 ms で最大 180 W のサージ定格電圧 7 つの電気パラメータで保証される最大制限値 ケース:無骨、転写成型、熱設定プラスチック 仕上げ:外側のすべての表面に耐腐食性があり、リードは簡単にはんだ付けできます 極性:カソードはカラーバンドで表示ツェナーモードで操作すると、陽極に対して正の陰極が使用されます。 取り付け位置:任意 重量: 0.7 グラム(概算)
RoHS指令(10物質対応)対応
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