「ct12」の検索結果

論理回路 = ACT。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 24mA。低レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 12.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 100W。最大ピークパルス電流 = 8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +125 ℃mm。幅 = 1.35mm。ESD保護用5ライン過渡電圧サプレッサ

標準ツェナー電圧 = 6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 7.5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 10nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 33V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 10nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 40Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 23Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 20μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 33V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 3.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 58Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 28V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 4.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 44Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 19V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 6.6mA。最大ツェナーインピーダンス = 23Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 8.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 16Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 700nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 24Ω。最大逆漏れ電流 = 15μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 56V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 200Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 47V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 170Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 27V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 19Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5.6mA。最大ツェナーインピーダンス = 29Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 13V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 9.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 13Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 95Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 100μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 50μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 8.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 16Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 29Ω。最大逆漏れ電流 = 50μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123