「ma6」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 350 mA 、 650 mA供給電圧 = 20Vピン数 = 20パッケージタイプ = SOIC出力数 = 6トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 3ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 反転実装タイプ = 表面実装3相ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-563最大連続 順方向電流 = 200mA整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆回復時間 = 6nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-563実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = デュアルピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2ベースエミッタ抵抗器 = 10kΩこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

出力電流 = 30mA入力電圧 = 2.7 → 5.5 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = デジタル用途 = バックライト、携帯電話パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 6定格電流 = 5 → 30mAディスプレイドライバ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 18回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20入力レベル = CMOS出力レベル = CMOS高レベル出力電流 Max = -35mA低レベル出力電流 Max = 35mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 135ns幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74ACロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 18回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20入力レベル = TTL出力レベル = TTL高レベル出力電流 Max = -75mA低レベル出力電流 Max = 75mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 900 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmデジタルFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃mm強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-563実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.2mm動作温度 Min = -55 ℃mm強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 900 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm高さ = 1mmデジタルFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 540 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-563実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.45V最大パワー消費 = 250 mW最大ゲート-ソース間電圧 = ±7 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mm20 V N チャンネルパワー MOSFET です。低 RDS ( on )により、システム効率が向上します 低しきい値電圧 省スペース： 1.6 x 1.6 mm ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 880 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.35mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 266 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

論理回路 = HCTロジックタイプ = バッファ回路数 = 9入力タイプ = CMOS出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 6mA低レベル出力電流 Max = 6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 38 ns @ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 4.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF

標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 500 Ω @ 0.25 mA， 6 Ω @ 20 mA最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm標準電圧温度係数 = 0.058%/℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 121 ns @ 2 V， 20 ns @ 6 V， 24 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 113ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 5論理回路 = TinyLogic HS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA幅 = 1.7mmTinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SMT最大入力電流 = 10 mA絶縁電圧 = 4.17 kVrmsシリーズ = MOC

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアックチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアックチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 4170Vrms 交流シリーズ = MOC

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトライアックチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアックチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = AC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4mm74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS