「半導体 ウェハー」の検索結果
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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
材質セミプラスト(R)P(PP)
寸法(mm)125.5×142.24×114.3
収納数25枚
アズワン品番7-177-07
適合ウェハー寸法(Φmm)100
1個
￥2,910
税込￥3,201
当日出荷
耐酸性で長寿命です。エレクトリック関係パーツに適するようすべて非磁性です。使いやすくするために滑り止めや、ハンドル部にギザグリップを付けてあります。クラス100で表面洗浄、クリーンパック。用途：普通のピンセットでは取り扱いにくいもの、半導体ウェハーや、雲母のような薄く壊れやすい物の移動やピックアップに。
材質クロームスチール(硬度390VC及び40RC)
寸法D(mm)-
寸法E(mm)-
![2インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono02447019-241206-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様●グレード：ダミーグレード●タイプ：4H●Surface orientation error：＜11-20＞4±0.5 °●ドーパント：N型 Nitrogen●抵抗率：0.015～0.025 ohm・cm●直径：200.0±0.2mm●厚み：500±25 μm●主要ノッチ方位：[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ：1-1.5 mm●セカンドオリフラ：None●LTV：≦10(10mm×10mm)μm●TTV：≦15μm●Bow：0±65μm●Warp：≦70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness：Ra≦0.2 nm●マイクロパイプ：≦50ea/cm●金属不純物：NA●TED：NA●BPD：NA●TSD：NA●＜表面状態＞●フロントサイド：Si●面状態：Si-face CMP●パーティークル：NA●スクラッチ：NA●＜裏面状態＞●面状態：C-face polished●スクラッチ：NA ea/mm●裏面粗さ：Ra≦5 nm●レーザーマーク：On●エッジ：Chamfer●Notes："NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量：1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
アズワン品番67-3018-45
1箱(1枚)
￥454,000
税込￥499,400
23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様●6インチLNウェハ●結晶方位：Y127°●厚み：350±25μm●面状態：両面ポリッシュ●数量：1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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![2インチINPウェハ 研究用[S-C-N/S 100 ]片面ポリッシュ アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono84411935-241017-02.jpg)
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