4インチSICウェハ 研究用
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
- 長さ(mm)
- 【1次オリフラ】32.5±1.5、【2次オリフラ】18±1.5
- 直径(Φmm)
- 99.5～100
- タイプ
- 4H
- 厚さ(μm)
- 350±25
- 表面粗さ(μm)
- (Si-face)Ra≦0.0002(5μm×5μm)
- 表面仕上げ
- Si面 CMP Si-faceCMP
- 抵抗値(Ω)
- 0.015～0.025
注意
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。全8種類を絞り込む
アズワン品番
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