4インチSICウェハ 研究用
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
長さ(mm)【1次オリフラ】32.5±1.5、【2次オリフラ】18±1.5直径(Φmm)99.5～100タイプ4H厚さ(μm)350±25表面粗さ(μm)(Si-face)Ra≦0.0002(5μm×5μm)表面仕上げSi面 CMP Si-faceCMP抵抗値(Ω)0.015～0.025
注意
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。全8種類を絞り込む
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