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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●4インチシングルウェハケース(1枚入)●ケースサイズ：112mm●ケース厚み：15mm●ケース重量：41g●ケース材質：PP(ポリプロピレン)●ケースセット内容：本体・カバー・スプリング×各1枚●▼シリコンウェハ、SICウェハ等の基板を入れる用途でご利用下さいませ。●▼クリーンパック：無(本商品はクリーンパックはしておりません。)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供
仕様(面方位)100、(OF位置)110、パーティクル不問、多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)
抵抗値0.1～100Ω・cm※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm
製造方法CZ法
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●2インチシングルウェハケース(1枚入)●ケースサイズ：60mm●ケース厚み：12mm●ケース重量：11.5g●ケース材質：PP(ポリプロピレン)●ケースセット内容：本体・カバー・スプリング×各1枚●▼シリコンウェハ、SICウェハ等の基板を入れる用途でご利用下さいませ。●▼クリーンパック：無(本商品はクリーンパックはしておりません。)
ガス分析装置用標準・特殊ガス用に開発されたクリーン洗浄・組み立てタイプです。
仕様側圧力計：入力/25MPa、出力/0.6MPa
材質本体/真鍮、弁シート/PTFE またはダイフロン、ダイアフラム/ニトリルゴム・PTFE
質量(kg)1.5
タイプボンベ取り付け型出口バルブ付き1段式
使用圧力入口/14.8MPa(MAX)、出口/0.4MPa(MAX)
流量25L/min
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●4インチシングルウェハケース(1枚入)●ケースサイズ：112mm●ケース厚み：15mm●ケース重量：41g●ケース材質：PP(ポリプロピレン)●ケースセット内容：本体・カバー・スプリング×各1枚●▼シリコンウェハ、SICウェハ等の基板を入れる用途でご利用下さいませ。●▼クリーンパック：有(本商品はクリーンパックはしております。)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●2インチシングルウェハケース(1枚入)●ケースサイズ：60mm●ケース厚み：12mm●ケース重量：11.5g●ケース材質：PP(ポリプロピレン)●ケースセット内容：本体・カバー・スプリング×各1枚●▼シリコンウェハ、SICウェハ等の基板を入れる用途でご利用下さいませ。●▼クリーンパック：有(本商品はクリーンパックはしております。)
![4インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono02447019-241206-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
![10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono05087261-241204-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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