カテゴリ
- 科学研究・開発用品(54)
絞り込み
ブランド
- アズワン
- モノタロウ(3)
- KOA(244)
- TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(161)
- WURTH ELEKTRONIK(135)
- MURATA(村田製作所)(95)
- RS PRO(87)
- VISHAY(80)
- Panasonic(パナソニック)(71)
- Alpha Wire(64)
- KEMET(54)
- YAGEO(36)
- onsemi(32)
- BOURNS(25)
- ARCOL(OHMITE)(25)
- エスコ(22)
- TAKMAN(22)
- omron(オムロン)(20)
- Ideal-Tek(19)
- DiodesZetex(18)
- ブランドをもっと見る
「300ω」の検索結果
特価
の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より
10mm×10mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥12,190～税込￥13,409～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
5mm×5mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥10,430～税込￥11,473～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
50mm×50mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥29,900～税込￥32,890～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥14,920～税込￥16,412～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
30mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥20,770～税込￥22,847～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から14日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
40mm×40mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥22,720～税込￥24,992～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
![5×5mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg)
5×5mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥15,300～税込￥16,830～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
6インチ SEMI シリコンウェハ 研究用 100アズワン￥149,000税込￥163,900
1箱(25枚)
当日出荷から31日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥24,100～税込￥26,510～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥19,600～税込￥21,560～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥17,900～税込￥19,690～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥21,800～税込￥23,980～
1箱(20枚)ほか
当日出荷から4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
6インチ JEIDA シリコンウェハ 研究用 100アズワン￥149,000税込￥163,900
1箱(25枚)
当日出荷から31日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
15mm×15mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥13,360～税込￥14,696～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷から5日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
10mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥13,360～税込￥14,696～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥19,600～税込￥21,560～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥30,400～税込￥33,440～
1箱(20枚)ほか
4日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：30×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
8インチシリコンウェハ 研究用 100アズワン￥220,000税込￥242,000
1箱(25枚)
4日以内出荷から30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥11,020～税込￥12,122～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,480～税込￥18,128～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,480～税込￥18,128～
1箱(20枚)ほか
14日以内出荷から15日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
50×50mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥36,100～税込￥39,710～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥24,100～税込￥26,510～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：25×35●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥16,200～税込￥17,820～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板アズワン￥33,200～税込￥36,520～
1箱(20枚)ほか
16日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
12インチシリコンウェハ 研究用(100)両面ミラーDF品アズワン￥86,300～税込￥94,930～
1箱(1枚)ほか
17日以内出荷から18日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
12インチシリコンウェハ 研究用(100)両面ミラーDF品アズワン￥193,000～税込￥212,300～
1箱(1枚)ほか
17日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
![3インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono02447019-241206-02.jpg)
3インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥104,000税込￥114,400
1箱(25枚)
17日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
2インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥98,000税込￥107,800
1箱(25枚)
17日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
4インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入アズワン￥111,000税込￥122,100
1箱(25枚)
17日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
12インチシリコンウェハ 研究用 100 両面ミラーDF品アズワン￥78,600～税込￥86,460～
1箱(1枚)ほか
22日以内出荷から30日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
シリコンラバーヒーターMG 200V仕様 幅300×長さ50mmアズワン￥9,990～税込￥10,989～
1枚
24日以内出荷
磁石の力で着脱。、ヒーター片面が磁化されているので金属面に容易に着脱できます。、金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体です。、耐熱温度はヒーターの表面で200℃になります。
シリコンラバーヒーター 200V仕様 幅300×長さ50mmアズワン￥7,890～税込￥8,679～
1枚
24日以内出荷
薄いシート状のため熱応答性に優れています(標準型1.5mm)。、柔軟性があります。、電力密度は通常多くの用途に対して0.6～0.8W/cm2が適していますが、ヒーターの取り付け状態・温度制御の方法によって大きく変動します。
シリコンラバーヒーターMG 200V仕様 幅250×長さ100mmアズワン￥11,200～税込￥12,320～
1枚
24日以内出荷
磁石の力で着脱。、ヒーター片面が磁化されているので金属面に容易に着脱できます。、金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体です。、耐熱温度はヒーターの表面で200℃になります。
