モノタロウ
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TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 630V dc，1000pF ±5% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 630V dc，1000pF ±5%TDK
￥1,198税込￥1,318
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 1nF電圧 = 630V dcパッケージ/ケース = 1206 (3216M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = C0G許容差 = ±5%寸法 = 3.2 x 1.6 x 0.85mm長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 0.85mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -5%許容差(プラス) = +5%動作温度 Min = -55℃TDK Cタイプ1206シリーズ. TDKの1206シリーズセラミック多層コンデンサです。 優れた機械的強度及び信頼性を保証するモノリシック構造を備えたこの多層コンデンサは、電源回路からLEDディスプレイまで、様々な業務用グレード用途に最適です。 このセラミック多層コンデンサは、低ESLと優れた周波数特性を特長としています。この低ESL及び優れた周波数特性により、厳密に理論値に沿った回路設計が可能になります。. 特長と利点: 精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現 低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗. 1206シリーズコンポーネントは、以下を含む一般用途向けの業務用グレード:. 汎用電子機器 モバイル通信機器 電源回路 OA機器 TV LED表示 サーバー PC ノートブックRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 82 μH， 2mA， 2 x 1.25 x 1.25mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 μH， 2mA， 2 x 1.25 x 1.25mmTDK
￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 2mA最大自己共振周波数 = 14MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 3Ωコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 2 x 1.25 x 1.25mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 2 x 1.25 x 1.25mmTDK
￥179税込￥197
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 3.9 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 30mA最大自己共振周波数 = 80MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 650mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mmTDK
￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.5 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 80mA最小品質ファクター = 45パッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 μH， 2mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 μH， 2mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK
￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 15 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 2mA最小品質ファクター = 20パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.5Ωコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK
￥189税込￥208
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 3.9 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 30mA最大自己共振周波数 = 90MHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.45Ωコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK
￥41税込￥45
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 900MHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 4.5Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK
￥93税込￥102
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仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 14.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK
￥68税込￥75
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 33 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK0603シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 680 μH， 20mA， シールド， 3.2 x 2.5 x 2.2mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 680 μH， 20mA， シールド， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK
￥359税込￥395
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 680 μH最大直流電流 = 20mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mmシールド = Y許容差 = ±10%最大直流抵抗 = 20Ω最大自己共振周波数 = 3MHz最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、NLFC32シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 470 μH， 25mA， シールド， 3.2 x 2.5 x 2.2mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 470 μH， 25mA， シールド， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK
￥399税込￥439
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 470 μH最大直流電流 = 25mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mmシールド = Y許容差 = ±10%最大直流抵抗 = 16Ω最大自己共振周波数 = 4MHz最小品質ファクター = 10チップインダクタ、NLFC32シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 2.2A， シールド， 10 x 9.7 x 4.5mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 2.2A， シールド， 10 x 9.7 x 4.5mmTDK
￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 47 μH最大直流電流 = 2.2A長さ = 10mm奥行き = 9.7mm高さ = 4.5mm寸法 = 10 x 9.7 x 4.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 112mΩインダクタ構造 = 巻線型インダクタ、VLF10045シリーズ. 小型、低プロファイル設計 携帯電話DC-DCコンバータチョークコイルに最適RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 39V TDKTDK 酸化金属バリスタ， 39VTDK
￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 39V最大直流定格電圧 = 10V静電容量 = 1.1pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mm厚さ = 0.5mm寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRLシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 27V， 2A TDKTDK 酸化金属バリスタ， 27V， 2ATDK
￥449税込￥494
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 27V最大直流定格電圧 = 17V制限電圧 = 52Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.05J最大サージ電流 = 2A静電容量 = 15pF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 27V， 48A TDKTDK 酸化金属バリスタ， 27V， 48ATDK
￥309税込￥340
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 27V最大直流定格電圧 = 19V制限電圧 = 42Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.1J最大サージ電流 = 48A静電容量 = 430pF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 22V， 10A TDKTDK 酸化金属バリスタ， 22V， 10ATDK
￥299税込￥329
1袋(10個)
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仕様バリスタ電圧 = 22V最大直流定格電圧 = 16V制限電圧 = 37Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.03J最大サージ電流 = 10A静電容量 = 210pF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 18V， 30A TDKTDK 酸化金属バリスタ， 18V， 30ATDK
￥259税込￥285
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 18V最大直流定格電圧 = 11V制限電圧 = 30Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.1J最大サージ電流 = 30A静電容量 = 600pF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603 (1608M)バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 12V， 50A TDKTDK 酸化金属バリスタ， 12V， 50ATDK
￥279税込￥307
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 12V最大直流定格電圧 = 7.5V制限電圧 = 20Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.09J最大サージ電流 = 50A静電容量 = 1.05nF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 12V， 10A TDKTDK 酸化金属バリスタ， 12V， 10ATDK
￥169税込￥186
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 12V最大直流定格電圧 = 7.5V制限電圧 = 20Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.05J最大サージ電流 = 10A静電容量 = 130pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 1A TDKTDK 酸化金属バリスタ， 8V， 1ATDK
￥289税込￥318
1袋(10個)
欠品中
仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 19Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.01J最大サージ電流 = 1A静電容量 = 33pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A TDKTDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25ATDK
￥4,198税込￥4,618
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仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 14Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.04J最大サージ電流 = 25A静電容量 = 480pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 4.7 μH， 2.09A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 4.7 μH， 2.09A， シールド， 5.3 x 5 x 2mmTDK
￥439税込￥483
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 4.7 μH最大直流電流 = 2.09A長さ = 5.3mm奥行き = 5mm高さ = 2mm寸法 = 5.3 x 5 x 2mmシールド = Y許容差 = ±30%最大直流抵抗 = 122mΩシリーズ = VLCF最小動作温度 = -40℃VLCF5020シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. TDKのVLCFシリーズの業務用表面実装パワーインダクタ製品で、電源回路用磁気シールド型巻線インダクタを備えています。. 特長と利点:. 高磁気シールド構造 ポータブルDC-DCコンバータ回線の一般使用が可能 テスト周波数 = 100 kHz. 用途:. HDD、DVC、DSCなどの携帯デバイス用の電源インダクタ。LCDディスプレイ及びその他のDC-DCコンバータ。RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 2.2 μH， 2.76A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 2.2 μH， 2.76A， シールド， 5.3 x 5 x 2mmTDK
￥459税込￥505
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 2.2 μH最大直流電流 = 2.76A長さ = 5.3mm奥行き = 5mm高さ = 2mm寸法 = 5.3 x 5 x 2mmシールド = Y許容差 = ±30%最大直流抵抗 = 71mΩシリーズ = VLCF最小動作温度 = -40℃VLCF5020シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. TDKのVLCFシリーズの業務用表面実装パワーインダクタ製品で、電源回路用磁気シールド型巻線インダクタを備えています。. 特長と利点:. 高磁気シールド構造 ポータブルDC-DCコンバータ回線の一般使用が可能 テスト周波数 = 100 kHz. 用途:. HDD、DVC、DSCなどの携帯デバイス用の電源インダクタ。LCDディスプレイ及びその他のDC-DCコンバータ。RoHS指令(10物質対応)対応
Filter，Common Mode，2Line，700ohm，5A TDKFilter，Common Mode，2Line，700ohm，5ATDK
￥999税込￥1,099
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様寸法 = 9 x 7 x 4.5mm動作温度範囲 = -25 → +85 ℃パッケージ/ケース = 9070高さ = 4.5mmコモンモードフィルタ(ACM3225/4532/ 7060/9070/1211/1513). 大電流巻線チップコモンモードフィルタ 最大10 AまでサポートRoHS指令(10物質対応)対応
TDK コモンモードフィルタ， 350mA， 2.5 x 2 x 1.2mm TDKTDK コモンモードフィルタ， 350mA， 2.5 x 2 x 1.2mmTDK
￥459税込￥505
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様最大直流電流 = 350mAパッケージ/ケース = 2520長さ = 2.5mm奥行き = 2mm高さ = 1.2mm寸法 = 2.5 x 2 x 1.2mm最大直流抵抗 = 400mΩ最小動作温度 = -25℃コモンモードフィルタ、ACM2012 / 2520 / 3225 / 4532. 巻線チップコモンモードフィルタ 高速信号にも最適 2行及び3行範囲の製品RoHS指令(10物質対応)対応
Filter，Common Mode，2Line，1000ohm，6A TDKFilter，Common Mode，2Line，1000ohm，6ATDK
￥269税込￥296
1個
翌々日出荷
仕様寸法 = 12 x 11 x 6mm動作温度範囲 = -25 → +85 ℃パッケージ/ケース = 1211長さ = 12mmコモンモードフィルタ(ACM3225/4532/ 7060/9070/1211/1513). 大電流巻線チップコモンモードフィルタ 最大10 AまでサポートRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 3.2mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 3.2mmTDK
￥939税込￥1,033
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 33 μH最大直流電流 = 750mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 3.2mm寸法 = 7 x 7 x 3.2mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 160mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7032シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 基板に安定して取り付けられるフラットな底部RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 540mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 540mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mmTDK
￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 47 μH最大直流電流 = 540mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 340mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 高密度設計に適した磁気シールドタイプRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 22 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 22 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mmTDK
￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 22 μH最大直流電流 = 750mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 180mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 高密度設計に適した磁気シールドタイプRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 590mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 590mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mmTDK
￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 33 μH最大直流電流 = 590mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 180mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF6025シリーズ. 高電流、省エネ電源用に最適な低いDC抵抗. 磁気シールドコイル付きパワーSMDインダクタ。モバイルデバイスやPCなど様々な電気的用途に最適RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 330mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 330mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mmTDK
￥919税込￥1,011
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 330mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 500mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ SLF6025シリーズ. 電源用SMDインダクタ(巻線、磁気シールド) 電源系に最適な低Rdc、大電流、省エネタイプ 携帯機器、パソコンその他の各種電子機器に最適RoHS指令(10物質対応)対応
TDK チップフェライトビーズ， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDKTDK チップフェライトビーズ， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK
￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様パッケージタイプ = 0603 (1608M)タイプ = チップビーズ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm材料 = フェライトチップビーズ、MMZ1608. 5つの材質でできたチップビーズ 高信頼性、完全モノリシック構造 閉磁気回路構造により高密度実装が可能RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
￥73税込￥80
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仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
￥57税込￥63
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仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
￥73税込￥80
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仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
￥57税込￥63
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仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
￥149税込￥164
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仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
￥58税込￥64
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仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
￥56税込￥62
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仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
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