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TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 330mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mmTDK￥919税込￥1,011
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 330mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 500mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ SLF6025シリーズ. 電源用SMDインダクタ(巻線、磁気シールド) 電源系に最適な低Rdc、大電流、省エネタイプ 携帯機器、パソコンその他の各種電子機器に最適RoHS指令(10物質対応)対応
TDK チップフェライトビーズ， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様パッケージタイプ = 0603 (1608M)タイプ = チップビーズ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm材料 = フェライトチップビーズ、MMZ1608. 5つの材質でできたチップビーズ 高信頼性、完全モノリシック構造 閉磁気回路構造により高密度実装が可能RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥73税込￥80
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥57税込￥63
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥73税込￥80
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥57税込￥63
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥58税込￥64
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥56税込￥62
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥60税込￥66
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥129税込￥142
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥67税込￥74
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥67税込￥74
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥81税込￥89
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥81税込￥89
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 3 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 6.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥88税込￥97
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥84税込￥92
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 550mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 25V dc 10μF ±10%TDK￥849税込￥934
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 10μF電圧 = 25V dcパッケージ/ケース = 1210取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±10%寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.5mm長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.5mm許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%温度係数 = ±10%C Series 1210 (3225) size. 1210 (3225 metric) size chip capacitor: 3.2 (±0.4) x 2.5 (±0.3) mm Low stray capicitance ensures high conformity with the nominal values， thereby simplifying the design process Low residual inductance assures superior high frequency characteristicsRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 6.8 μH， 180mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK￥359税込￥395
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 6.8 μH最大直流電流 = 180mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 1.8Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 40MHz最小品質ファクター = 30TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ 高Q値による、シャープな周波数応答 耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ 動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなどRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 3.3 μH， 260mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK￥549税込￥604
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 3.3 μH最大直流電流 = 260mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 1.2Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 60MHz最小品質ファクター = 30TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ 高Q値による、シャープな周波数応答 耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ 動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなどRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 40mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK￥559税込￥615
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 40mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 10Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 10MHz最小品質ファクター = 20TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ 高Q値による、シャープな周波数応答 耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ 動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなどRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 25V dc 47μF ±20%TDK￥409税込￥450
1個
7日以内出荷
仕様静電容量 = 47μF電圧 = 25V dc取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X5R許容差 = ±20%寸法 = 6.5 x 5.5 x 5.5mm長さ = 6.5mm奥行き = 5.5mm高さ = 5.5mmシリーズ = CKG許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%端子タイプ = 表面実装TDK CKGスタックMLCCシリーズ. TDK製のMLCC (多層セラミックコンデンサ) CKGシリーズはダブルスタック構造を特長としています。この設計により、コンデンサの設置面積を変更することなく、2倍の静電容量が実現されています。CKG MLCCは、機械的及び熱的な応力を吸収できます。これらのMLCCは、アルミニウムコンデンサよりもESL及びESRが低く、振動性能が改善されています。. 特長と利点:. コンデンサ1個分のスペースで済む2個の積載チップ. ボードの屈曲によって生じる応力は金属フレームで吸収. 機械的な衝撃によって生じる応力は外部電極上の金属キャップで吸収. 製品の用途:. CKG MLCCの最適な用途としては、平滑化回路、LED / HID機器、圧電効果対策、DC-DC回路などがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc 100μF ±20%TDK￥649税込￥714
1個
7日以内出荷
仕様静電容量 = 100μF電圧 = 16V dc取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X5R許容差 = ±20%寸法 = 6.5 x 5.5 x 5.5mm長さ = 6.5mm奥行き = 5.5mm高さ = 5.5mmシリーズ = CKG許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%温度係数 = ±15%TDK CKGスタックMLCCシリーズ. TDK製のMLCC (多層セラミックコンデンサ) CKGシリーズはダブルスタック構造を特長としています。この設計により、コンデンサの設置面積を変更することなく、2倍の静電容量が実現されています。CKG MLCCは、機械的及び熱的な応力を吸収できます。これらのMLCCは、アルミニウムコンデンサよりもESL及びESRが低く、振動性能が改善されています。. 特長と利点:. コンデンサ1個分のスペースで済む2個の積載チップ. ボードの屈曲によって生じる応力は金属フレームで吸収. 機械的な衝撃によって生じる応力は外部電極上の金属キャップで吸収. 製品の用途:. CKG MLCCの最適な用途としては、平滑化回路、LED / HID機器、圧電効果対策、DC-DC回路などがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
TDK コモンモードフィルタ， 400mA， 2.5 x 2 x 1.2mmTDK￥139税込￥153
1個
7日以内出荷
仕様最大直流電流 = 400mAパッケージ/ケース = 2520長さ = 2.5mm奥行き = 2mm高さ = 1.2mm寸法 = 2.5 x 2 x 1.2mm最大直流抵抗 = 350mΩシリーズ = ACM最小動作温度 = -25℃TDK ACMシリーズSMDコモンモードチョーク. ミニチュアSMDコモンノード巻線型チップフィルタ コモンモードインピーダンス >1000 Ω @ 100 MHz 差動モードインピーダンスが低く、高速信号への悪影響がほとんどなし 2ラインタイプ及び3ラインタイプを用意 動作温度範囲: -25 → +85 ℃ 用途: 放射及びコモンノードノイズ抑制、パソコンなどのUSB及びIEEE1394ライン、LVDSパネルリンクラインなどRoHS指令(10物質対応)対応
TDK コモンモードフィルタ， 200mA， 2.5 x 2 x 1.2mmTDK￥109税込￥120
1個
翌々日出荷
仕様最大直流電流 = 200mAパッケージ/ケース = 2520長さ = 2.5mm奥行き = 2mm高さ = 1.2mm寸法 = 2.5 x 2 x 1.2mm最大直流抵抗 = 900mΩシリーズ = ACM最小動作温度 = -25℃TDK ACMシリーズSMDコモンモードチョーク. ミニチュアSMDコモンノード巻線型チップフィルタ コモンモードインピーダンス >1000 Ω @ 100 MHz 差動モードインピーダンスが低く、高速信号への悪影響がほとんどなし 2ラインタイプ及び3ラインタイプを用意 動作温度範囲: -25 → +85 ℃ 用途: 放射及びコモンノードノイズ抑制、パソコンなどのUSB及びIEEE1394ライン、LVDSパネルリンクラインなどRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc，0.47μF ±20%TDK￥1,098税込￥1,208
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 470nF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 1210取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%寸法 = 3.2 x 2.5 x 2mm長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2mm許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%温度係数 = ±10%高耐電圧、Cシリーズ(許容差: 20 %). 高電圧での使用を想定して設計された専用構造。小型サイズ、高耐電圧 定格電圧(Edc): 100、250、630 V 用途: 電源及び一般高電圧回路用スナバー回路RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 250V dc，4700pF ±20%TDK￥109税込￥120
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 4.7nF電圧 = 250V dcパッケージ/ケース = 0805 (2012M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%端子タイプ = 表面実装高耐電圧、Cシリーズ(許容差: 20 %). 高電圧での使用を想定して設計された専用構造。小型サイズ、高耐電圧 定格電圧(Edc): 100、250、630 V 用途: 電源及び一般高電圧回路用スナバー回路RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc 4.7μF ±20%TDK￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 4.7μF電圧 = 16V dcパッケージ/ケース = 1210 (3225M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%温度係数 = ±10%大容量Cシリーズ. 最大で電解コンデンサ製品に相当する静電容量。長期間の高信頼性電源の設計に最適 低ESRと良好な周波数特性。高周波数で高密度の電源に最適 用途: DC-DCコンバータ、スイッチング電源RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 50V dc 100pF -20 → +50%TDK￥599税込￥659
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 100pF電圧 = 50V dcパッケージ/ケース = 0805 (2012M)取り付けタイプ = 表面実装許容差 = -20 → +50%寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mmシリーズ = CKD許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +50%端子タイプ = 表面実装フィルタ、CKDシリーズ. EMC抑制用の小型、低コストのフィルタ 寄生インダクタンスが低いので、高周波数範囲での使用に最適RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 630V dc，0.22μF ±10%TDK￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 220nF電圧 = 630V dcパッケージ/ケース = 2220取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±10%寸法 = 5.7 x 5 x 2.3mm長さ = 5.7mm奥行き = 5mm高さ = 2.3mm許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%温度係数 = ±10%高耐電圧、Cシリーズ(許容差: 10 %). 高電圧での使用を想定して設計された専用構造。小型サイズ、高耐電圧 定格電圧(Edc): 100、250、630 V C3225及びその上位モデルはリフローはんだ付けのみをサポート 用途: 電源切り替え用スナバー回路、電話及びモデム用リンガー回路、その他汎用高電圧回路RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 250V dc，0.1μF ±10%TDK￥959税込￥1,055
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 100nF電圧 = 250V dcパッケージ/ケース = 1210取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±10%寸法 = 3.2 x 2.5 x 2mm長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2mm許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%温度係数 = ±10%高耐電圧、Cシリーズ(許容差: 10 %). 高電圧での使用を想定して設計された専用構造。小型サイズ、高耐電圧 定格電圧(Edc): 100、250、630 V C3225及びその上位モデルはリフローはんだ付けのみをサポート 用途: 電源切り替え用スナバー回路、電話及びモデム用リンガー回路、その他汎用高電圧回路RoHS指令(10物質対応)対応