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TDK 表面実装インダクタ， TDK
TDKTDK 表面実装インダクタ，
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TDK 積層表面実装インダクタ TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ
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￥839～ 税込￥923～
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MLF1608DR12K TDK 積層表面実装インダクタ， 120 nH， 200mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 120 nH， 200mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 120 nH許容差 = ±10%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 550MHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥209 税込￥230
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MLK1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥57 税込￥63
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MLG1005SR15JT TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥129 税込￥142
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MLG1005S1N5CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥159 税込￥175
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MLG1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥129 税込￥142
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MLK1005S4N7ST TDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥57 税込￥63
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MLG1608B1N2ST TDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥219 税込￥241
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MLG1005S6N2ST TDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥129 税込￥142
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MLG1005S47NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥139 税込￥153
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MLG1005S39NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥109 税込￥120
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MLG1005S2N7CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥129 税込￥142
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MLF2012C820K TDK 積層表面実装インダクタ， 82 μH， 2mA， 2 x 1.25 x 1.25mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 μH， 2mA， 2 x 1.25 x 1.25mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 82 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 2mA最大自己共振周波数 = 14MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 3Ωコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥219 税込￥241
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MLF2012A1R5K TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 1.5 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 80mA最小品質ファクター = 45パッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥229 税込￥252
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MLF1608A3R9K TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 3.9 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 30mA最大自己共振周波数 = 90MHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.45Ωコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥189 税込￥208
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MLG1608B1N5ST TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥60 税込￥66
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MLK1005S15NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥30 税込￥33
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MLG0603SR10JT TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 900MHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 4.5Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥90 税込￥99
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MLG1005S10NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 10 nH， 500mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 10 nH， 500mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 10 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 500mA最大自己共振周波数 = 3.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥179 税込￥197
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MLG1005S56NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥159 税込￥175
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MLK1005S6N8DT TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥73 税込￥80
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MLG1005S5N6ST TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥129 税込￥142
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MLG1005S3N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 3 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 6.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥159 税込￥175
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MLG1005S2N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 9.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥159 税込￥175
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MLG1005S1N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥159 税込￥175
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MLG1005S15NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 550mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥139 税込￥153
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MLF2012DR68K TDK 積層表面実装インダクタ， 680 nH， 150mA， 2 x 1.25 x 1.25mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 680 nH， 150mA， 2 x 1.25 x 1.25mm
エコ商品
仕様シリーズ = MLFインダクタンス = 680 nH許容差 = ±10%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 190MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 600mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(10個)
￥209 税込￥230
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MLG0603S1N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 14.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥90 税込￥99
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MLK1005S8N2DT TDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥73 税込￥80
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MLK1005S22NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥149 税込￥164
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MLK1005S18NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥58 税込￥64
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MLG1005SR39JT TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥119 税込￥131
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MLG1005S3N9CT TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥139 税込￥153
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MLG1005S12NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 12 nh， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 12 nh， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 12 nh許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最大自己共振周波数 = 3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 400mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥119 税込￥131
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MLK0603L33NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 33 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK0603シリーズ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥68 税込￥75
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MLK1005SR10JT TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥149 税込￥164
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MLK1005S68NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 68 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥58 税込￥64
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MLG1005S5N1ST TDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥129 税込￥142
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MLG1005S2N2CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
エコ商品
仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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