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Toshiba CMOSシリーズバスバッファ， 32mA， 1.5～5.5 V， 5-Pin SSOP東芝

￥1,298税込￥1,428

1袋(100個)

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仕様ロジックファミリー = CMOSエレメント入力数 = 11チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6 ns@ 50 pF高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5寸法 = 2.9 x 1.6 x 1mm高さ = 1mm長さ = 2.9mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.5 VL-MOS SHSシリーズ、低電圧、東芝. 東芝SHSシリーズのTC7SZ / WZ / PZは、低電圧ワンゲートCMOS (L-MOS)ロジックデバイスのファミリです。. 1.8 → 5.5 V動作RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba VHCシリーズロジックゲート， 8mA， 2～5.5 V， 5-Pin SSOP 2-入力東芝

￥999税込￥1,099

1袋(100個)

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仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.6mmL-MOS超高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS TC7SHシリーズの超高速ロジックデバイス. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 4 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性広い動作電圧範囲: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 3.3 V 固定出力， 1.5～5.5 V入力， 5-Pin SOT-25東芝

￥1,598税込￥1,758

1袋(100個)

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仕様出力電圧 = 3.3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SOT-25出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 1.5 V入力電圧 Max = 5.5 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 60μA精度 = ±1%動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 200mWイネーブル = ありLDO (低ドロップアウト)レギュレータ(高速負荷トランジェント応答特性)、TCR2EFシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP2309(E(T， IC出力， 5-Pin東芝

￥919税込￥1,011

1袋(5個)

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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.7Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y最大電流変換率 = 15%オプトカプラ、トランジスタ出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 800 V， 10 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥2,698税込￥2,968

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ東芝

￥1,398税込￥1,538

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-236MOD東芝

￥859税込￥945

1袋(50個)

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-236MOD実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 2.9mm小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP2303(E(T， IC出力， 5-Pin東芝

￥359税込￥395

1袋(5個)

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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y最大電流変換率 = 8000%フォトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP185(BL，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin東芝

￥899税込￥989

1袋(25個)

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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 1 A絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 9μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP183(GB，E(T，トランジスタ出力， 4-Pin東芝

￥1,598税込￥1,758

1袋(25個)

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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 65 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥2,298税込￥2,528

1袋(5個)

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 62 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ東芝

￥1,898税込￥2,088

1個

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥829税込￥912

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 650 V， 49 A， 3 ピンパッケージTO-247 TK シリーズ東芝

￥1,998税込￥2,198

1個

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W幅 = 5.02mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ東芝

￥1,898税込￥2,088

1個

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wシリーズ = TKMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 120 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥749税込￥824

1袋(5個)

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220 TK シリーズ東芝

￥1,298税込￥1,428

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥1,398税込￥1,538

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥2,498税込￥2,748

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 650 V， 11.1 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥1,798税込￥1,978

1袋(5個)

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 390 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba 74 CMOSシリーズフリップフロップIC 2～6 V， 8-Pin SSOP東芝

￥599税込￥659

1袋(10個)

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仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = D タイプ入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = C2MOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃L-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷対称型出力ドライブ容量広い動作電圧範囲: 2 → 6 VRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル IGBT， 1200 V， 40 A， 3-Pin TO-3P シングル東芝

￥919税込￥1,011

1個

翌々日出荷

仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.4μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mmゲート静電容量 = 1500pFIGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

東芝過渡電圧サプレッサツェナーダイオード， 15V， 700 mW， 2-Pin S-FLAT東芝

￥289税込￥318

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm幅 = 1.6mmツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

東芝過渡電圧サプレッサツェナーダイオード， 6.8V， 700 mW， 2-Pin S-FLAT東芝

￥289税込￥318

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

東芝，整流ダイオード， 700mA， 400V， 2-Pin S-FLAT東芝

￥1,298税込￥1,428

1袋(50個)

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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 16.5A高効率高速整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

東芝，整流ダイオード， 1A， 30V， 2-Pin S-FLAT東芝

￥1,998税込￥2,198

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 390mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3PL東芝

￥9,198税込￥10,118

1袋(5個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-323 (SC-70)東芝

￥879税込￥967

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥519税込￥571

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP トランジスタ， 30 V， 500mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥1,998税込￥2,198

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝

￥449税込￥494

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.4 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Photocoupler， MOSFET， 1a， DIP4東芝

￥1,498税込￥1,648

1袋(2個)

翌々日出荷

接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm高さ = 3.65mm光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Photocoupler， MOSFET， 1a， DIP4東芝

￥1,298税込￥1,428

1袋(2個)

翌々日出荷

接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 16 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm特殊機能 = 高電流光リレー光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Photocoupler， MOSFET， 1a， DIP6東芝

￥1,398税込￥1,538

1袋(2個)

翌々日出荷

接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 7.12 x 6.4 x 3.65mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Photocoupler， MOSFET， 1a， 4pin SO6東芝

￥2,698税込￥2,968

1袋(10個)

翌々日出荷

接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = SO6最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 3.7 x 4.55 x 2.1mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Photocoupler， MOSFET， 1a， 4pin SO6東芝

￥2,398税込￥2,638

1袋(10個)

翌々日出荷

フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP358HF(F)， IC出力， 8-Pin東芝

￥2,898税込￥3,188

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.75Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP標準上昇時間 = 17μs最大入力電流 = 2 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 17μsシリーズ = TLP 358HFフォトカプラ、バッファロジック出力(トーテムポール)、東芝. ロジック駆動のプッシュプル出力(「トーテムポール」)を備えた東芝フォトカプラ製品です。RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP358H(F)， IC出力， 8-Pin東芝

￥2,198税込￥2,418

1袋(4個)

翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.75Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP標準上昇時間 = 17ns最大入力電流 = 2 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 17nsシリーズ = TLP 358フォトカプラ、インバータロジック出力(オープンコレクタ)、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP5214(E(O， IC出力， 16-Pin東芝

￥1,698税込￥1,868

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC標準上昇時間 = 32ns最大入力電流 = 3.5 mA絶縁電圧 = 5 kVrms標準降下時間 = 18nsシリーズ = TLP 5214フォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP5214(D4，E(O， IC出力， 16-Pin東芝

￥1,498税込￥1,648

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 16パッケージタイプ = SO-16L標準上昇時間 = 32ns最大入力電流 = 3.5 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms標準降下時間 = 18nsシリーズ = TLP 5214フォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

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