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Toshiba (東芝) フォトカプラ，トライアック出力
東芝(1件のレビュー)
￥2,698税込￥2,968
1袋(15個)
3日以内出荷
バリエーション一覧へ(35)
Toshiba (東芝) フォトカプラ，ダーリントン出力
東芝
￥899～税込￥989～
1袋(10個)ほか
3日以内出荷
チャンネル数1電流の種類(入力)DC実装タイプ表面実装最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)4000
バリエーション一覧へ(4)
Photorelay
東芝
￥829～税込￥912～
1袋(2個)
3日以内出荷
仕様光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
東芝，ショットキーバリアダイオード， 1.5A， 30V 表面実装， 2-Pin S-FLAT ショットキー 460mV
東芝
￥999～税込￥1,099～
1袋(20個)ほか
8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
ヘキサバッファ 74HCシリーズ非反転， 16-Pin SOIC
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(20個)
8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
Toshiba CMOSシリーズバスバッファ， 32mA， 1.5～5.5 V， 5-Pin SSOP
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(100個)
3日以内出荷
仕様ロジックファミリー = CMOSエレメント入力数 = 11チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6 ns@ 50 pF高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5寸法 = 2.9 x 1.6 x 1mm高さ = 1mm長さ = 2.9mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.5 VL-MOS SHSシリーズ、低電圧、東芝. 東芝SHSシリーズのTC7SZ / WZ / PZは、低電圧ワンゲートCMOS (L-MOS)ロジックデバイスのファミリです。. 1.8 → 5.5 V動作RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba VHCシリーズロジックゲート， 8mA， 2～5.5 V， 5-Pin SSOP 2-入力
東芝
￥1,098税込￥1,208
1袋(100個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.6mmL-MOS超高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS TC7SHシリーズの超高速ロジックデバイス. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 4 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性広い動作電圧範囲: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP2309(E(T， IC出力， 5-Pin
東芝
￥999税込￥1,099
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.7Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y最大電流変換率 = 15%オプトカプラ、トランジスタ出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 800 V， 10 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥5,998税込￥6,598
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥639税込￥703
1袋(5個)
6日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP291(Y，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(25個)
当日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 7μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240G(F(O AC入力， MOSFET出力， 4-Pin
東芝
￥719税込￥791
1袋(2個)
欠品中
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240A(F(O AC入力， MOSFET出力， 4-Pin
東芝
￥799税込￥879
1袋(2個)
当日出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP2366(E(T， IC出力， 5-Pin
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.85Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 15ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms標準降下時間 = 15nsオプトカプラ、トランジスタ出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP2303(E(T， IC出力， 5-Pin
東芝
￥399税込￥439
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y最大電流変換率 = 8000%フォトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP185(BL，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(25個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 1 A絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 9μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP183(GB，E(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥2,398税込￥2,638
1袋(25個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 80 V， 72 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 65 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 62 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1個
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 650 V， 49 A， 3 ピンパッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
￥1,798税込￥1,978
1個
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W幅 = 5.02mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
￥1,198税込￥1,318
1個
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1個
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wシリーズ = TKMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
￥1,998税込￥2,198
1袋(2個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,298税込￥2,528
1袋(2個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥4,198税込￥4,618
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージTO-3P TK シリーズ
東芝
￥519税込￥571
1個
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 650 V， 11.1 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 390 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 263 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 263 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 CMOSシリーズフリップフロップIC 2～6 V， 8-Pin SSOP
東芝
￥749税込￥824
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = D タイプ入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = C2MOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃L-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷対称型出力ドライブ容量広い動作電圧範囲: 2 → 6 VRoHS指令(10物質対応)対応
東芝過渡電圧サプレッサツェナーダイオード， 15V， 700 mW， 2-Pin S-FLAT
東芝
￥349税込￥384
1袋(25個)
3日以内出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm幅 = 1.6mmツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝過渡電圧サプレッサツェナーダイオード， 6.8V， 700 mW， 2-Pin S-FLAT
東芝
￥349税込￥384
1袋(25個)
3日以内出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝，整流ダイオード， 700mA， 400V， 2-Pin S-FLAT
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 16.5A高効率高速整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 900 V， 3 A， 3 ピンパッケージSC-67 2SK シリーズ
東芝
￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-323 (SC-70)
東芝
￥969税込￥1,066
1袋(25個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3P
東芝
￥3,298税込￥3,628
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 30 V， 500mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝
￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Photocoupler， MOSFET， 1a， DIP4
東芝
￥1,598税込￥1,758
1袋(2個)
3日以内出荷
仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm高さ = 3.65mm光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
Photocoupler， MOSFET， 1a， DIP4
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
3日以内出荷
仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 16 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm特殊機能 = 高電流光リレー光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応

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