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589 税込648
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仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃TC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
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219 税込241
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幅(mm)6.4 ピン数(ピン)14 論理HC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージPDIP 実装タイプスルーホール 動作供給電圧(V)【最小】2【最大】6 低レベル出力電流(mA)【最大】5.2 高レベル出力電流(mA)【最大】-5.2 最大伝播遅延時間@最大CL100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V ロジック機能AND エレメント数2 ゲートあたりの入力数4 シュミットトリガー入力なし
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229 税込252
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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399 税込439
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仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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409 税込450
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仕様ロジック機能 = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
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199 税込219
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仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA動作温度 Min = -40 ℃TC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
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199 税込219
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
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549 税込604
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幅(mm)5.3 ピン数(ピン)14 論理HC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOP 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)【最小】2【最大】6 低レベル出力電流(mA)【最大】5.2 高レベル出力電流(mA)【最大】-5.2 最大伝播遅延時間@最大CL100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V ロジック機能AND エレメント数2 ゲートあたりの入力数4 シュミットトリガー入力なし
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449 税込494
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寸法19.25 x 6.4 x 3.5mm 入力シングルエンド ピン数(ピン)16 極性反転 回路数6 使用条件【伝播遅延テスト】150pF 論理HC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージPDIP 実装タイプスルーホール 動作供給電圧(V)【最小】2 低レベル出力電流(mA)【最大】7.8 高レベル出力電流(mA)【最大】-7.8 最大伝播遅延時間@最大CL100 ns @ 2 V ロジック機能バッファ, コンバータ
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569 税込626
欠品中

仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm高さ = 0.9mm動作温度 Min = -40 ℃TC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
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259 税込285
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仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃TC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
259 税込285
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 4.4mmTC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
339 税込373
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仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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329 税込362
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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349 税込384
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仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm動作供給電圧 Max = 6 VTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
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179 税込197
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA高さ = 1.1mmTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
239 税込263
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA動作温度 Max = +85 ℃TC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
199 税込219
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仕様ロジック機能 = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA動作温度 Min = -40 ℃TC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
199 税込219
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仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm伝播遅延テスト条件 = 50pFTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
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219 税込241
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仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
199 税込219
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1枚(10個)
269 税込296
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
219 税込241
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仕様●パッケージ:SC-61●用途:超高速度スイッチング●最大定格尖塔逆方向電圧VR:85V●最大定格直流逆方向電圧VR:80V●最大定格直流順方向電流IF:300mA●最大定格平均整流電流Io:100mA●順方向電圧VF(max):1.2V●順方向電圧VF条件:IF=100mA●逆方向電流IR(max):0.5μA●逆方向電流IR条件:VR=80V●逆回復時間trr(MAX):4ns●逆回復時間trr条件:IF=10mA●VR=6V●RL=50Ω●端子間容量Ct(max):2.0pF●端子間容量Ct条件:V アズワン品番67-0400-54
1個
48 税込53
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