仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.9
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧(V)2
カテゴリーパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥889
税込¥978
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = M-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 3.8mm幅 = 2.4mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,298
税込¥1,428
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W寸法 = 5 x 5 x 0.95mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,598
税込¥1,758
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥869
税込¥956
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2.8 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、TPCAxxxx、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥799
税込¥879
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = HCTロジック機能 = バッファ, ラインドライバチャンネル数 = 2シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 8高レベル出力電流 Max = -6mA低レベル出力電流 Max = 6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 33 ns @ 4.5 V寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃TC7WTシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥689
税込¥758
6日以内出荷
TOSHIBA製ハードディスクドライブ!安心の国産メーカー品 最大18 TB FC-MAMR採用 クラウドスケールのストレージインフラストラクチャ、ビジネスクリティカルサーバー/ストレージ、ファイル&オブジェクトストレージソリューションに
仕様内蔵・外付:内蔵
サイズ3.5インチ
インターフェースSerial ATA
キャッシュメモリ(MB)512
ディスク回転数(min-1[r.p.m])7200
RoHS指令(10物質対応)対応
グリーン購入法適合
容量(TB)12
1台
¥52,980
税込¥58,278
翌日出荷
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