制御機器/はんだ・静電気対策用品 ：「低電圧led」の検索結果

ピーク波長 = 940nm。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。放射束 = 40mW。放射強度 = 65mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 3 x 4.5mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay VSLB3940シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSLB3940は赤外線(IR)発光ダイオードです。この高速IR LEDは、標準のT-1 (3 mm)透明エポキシパッケージに収納されています。VSLB3940赤外線LEDに最適な用途には、赤外線リモコン装置、空気伝送システム、光学式カウンタやカードリーダー用の赤外線光源があります。. VSLB3940 IR LEDの特長: T-1 (3 mm)パッケージ スルーホール ピーク波長: 940 nm 高速 高出力及び高輝度 低順方向電圧

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 29 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 37 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.63mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 47 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。シリーズ = E Series。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 357 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 19 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 179 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 15.87mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

ピーク波長 = 950nm。パッケージタイプ = サブミニチュア。放射束 = 35mW。放射強度 = 7mW/sr。実装タイプ = 表面実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mm。レンズ形状 = ドーム。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSML1000 / 20 / 30 / 40シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSML10x0ファミリは、高出力赤外線(IR)発光ダイオードです。 波長940 nmのTSML10x0赤外線LEDにより、高放射出力が得られます。 このファミリは、ドームレンズ付きで無色透明の表面実装(SMT)プラスチックパッケージに収められています。 TSML10x0赤外線エミッタに最適な用途には、リモートコントロール、穿孔テープリーダー、エンコーダ、フォトインタラプタなどがあります。 TSML1000 - 逆ガルウィング TSML1020 - ガルウィング TSML1030 - ヨークリード TSML1040 - アキシャルリード. TSML10x0赤外線LEDの特長: 寸法: 2.5 x 2 x 2.7 mm ピーク波長: 940 nm 高放射出力 / 強度 ビーム角度: 24 ° 低順方向電圧