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Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A PDIP 8-Pin ローサイドスルーホールMICROCHIP

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(2)

Microchip 調整式スイッチングレギュレータ， 3A， 40 V，スルーホール LM2576-12WTMICROCHIP

￥1,498税込￥1,648

1袋(5個)

5日以内出荷

仕様出力電流 Max = 3A出力電圧 Max = 12 V入力電圧 Min = 4 V入力電圧 Max = 40 V出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール出力数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = TO-220スイッチングレギュレータ = あり高さ = 14.68mmRoHS指令(10物質対応)対応

12ビット D/Aコンバータ MicrochipMICROCHIP

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

翌々日出荷から7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

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マイクロチップ，フラッシュメモリ 4MB パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4I-NHEMICROCHIP

￥2,198税込￥2,418

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応

Microchip オペアンプ，表面実装， 2回路，単一電源， MCP6L02T-E/MSMICROCHIP

￥739税込￥813

1袋(15個)

7日以内出荷

仕様●アンプタイプ：汎用●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： MSOP●電源タイプ：単一電源●回路数： 2●ピン数： 8●標準シングル供給電圧： 1.8→ 6 V●標準ゲイン帯域幅積： 1MHz●標準スルーレート： 0.6V/μs●動作温度 Min： -40 ℃●レール to レール：レール to レール入力/出力●標準入力電圧ノイズ密度： 24nV/√Hz●MCP6L01 / 02 / 04オペアンプ. Microchip MCP6L01/02/04シリーズのデバイスは、シングル、デュアル、クワッドのバージョンが揃った汎用オペアンプです。. 特長. ゲイン帯域幅積(GBWP): 1 MHz 静止電流: 85 μA (代表値) 供給電圧範囲: 1.8 → 6 V レールツーレール入力 / 出力幅広い使用温度範囲: -40 → +125 ℃RoHS指令(10物質対応)対応

Microchip 調整式スイッチングレギュレータ， 3A， 40 V，表面実装 LM2576-12WUMICROCHIP

￥1,498税込￥1,648

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様出力電流 Max = 3A出力電圧 Max = 12 V入力電圧 Min = 4 V入力電圧 Max = 40 V出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装出力数 = 1最大スイッチング周波数 = 52 kHzパッケージタイプ = TO-263スイッチングレギュレータ = あり動作温度 Max = +85 ℃RoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ，フラッシュメモリ 4Mbit パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4C-NHEMICROCHIP

￥849税込￥934

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応

Microchip オペアンプ，表面実装， 4回路，単一電源， MCP6L04T-E/STMICROCHIP

￥999税込￥1,099

1袋(15個)

7日以内出荷

仕様●アンプタイプ：汎用●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： TSSOP●電源タイプ：単一電源●回路数： 4●ピン数： 14●標準シングル供給電圧： 1.8→ 6 V●標準ゲイン帯域幅積： 1MHz●標準スルーレート： 0.6V/μs●動作温度 Min： -40 ℃●レール to レール：レール to レール入力/出力●標準入力電圧ノイズ密度： 24nV/√Hz●MCP6L01 / 02 / 04オペアンプ. Microchip MCP6L01/02/04シリーズのデバイスは、シングル、デュアル、クワッドのバージョンが揃った汎用オペアンプです。. 特長. ゲイン帯域幅積(GBWP): 1 MHz 静止電流: 85 μA (代表値) 供給電圧範囲: 1.8 → 6 V レールツーレール入力 / 出力幅広い使用温度範囲: -40 → +125 ℃RoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ，フラッシュメモリ 2Mbit， 48-Pin， SST39VF200A-70-4I-EKEMICROCHIP

￥1,898税込￥2,088

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ： 2Mbit●パッケージタイプ： TSOP●ピン数： 48●構成： 128 K x 16RoHS指令(10物質対応)対応

Microchip MOSFETゲートドライバ 1.2 A SOIC W 4 16-Pin ローサイド反転，非反転表面実装MICROCHIP

￥1,798税込￥1,978

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様●ロジックタイプ： CMOS●出力電流： 1.2 A●供給電圧： 18V●ピン数： 16●パッケージタイプ： SOIC W●出力数： 4●トポロジー：ローサイド●ドライバ数： 4●極性：反転，非反転●実装タイプ：表面実装●TC4467 / 4468 / 4469 MOSFETドライバ. Microchip TC4467、TC4468、TC4469は、4出力ローサイドMOSFETドライバのシリーズです。これらのMOSFETドライバでは、各出力用の2つの入力をロジックゲートとして設定しています。. 特長. 動作範囲: 4.5 → 18 V 対称立ち上がり及び立下り: 25 ns 短い等価遅延時間: 75 ns ラッチ防止 - 500 mAの誘導性キックバックに耐える出力あたり2つの入力ロジックゲート - TC4467用のNAND、TC4468用のAND、TC4469用のAND/INV すべてのピンに2 kV ESD保護RoHS指令(10物質対応)対応

マイクロチップ，シリアルEEPROM 32kbit シリアル-I2CMICROCHIP

￥1,498～税込￥1,648～

1袋(20個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(2)

マイクロチップ，フラッシュメモリ 32Mbit SPI， 8-Pin， SST26VF032B-104I/MFMICROCHIP

￥1,898税込￥2,088

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応