エコ商品
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
直径(Φmm)1.53
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)100
ピーク逆回復時間(ns)4
最大連続順方向電流(mA)300
仕様●出力電流 Max ： 1A●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 6 mV●精度 ： ±1%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： SOT-223mA●ピン数 ： 3+Tab●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.69mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ ： 6.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,798
税込￥1,978
翌々日出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション ： 0.07 %/V●精度 ： 2%●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220●ピン数 ： 3V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ ： 10.28mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ ： NAND●入力タイプ ： シュミットトリガ●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●シュミットトリガ入力 ： あり●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 190ns●高レベル出力電流 Max ： -25mA●低レベル出力電流 Max ： 25mA●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 14●寸法 ： 8.75 x 4 x 1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC132A は● LS132 とピン配列が同じです。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC2A を使用して●ノイズ耐性を強化したり●波形をゆっくり変化させたりすることができます。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の Gates
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥459
税込￥505
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥379
税込￥417
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)44
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥899
税込￥989
7日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ7 nC @ 4.5 V
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥699
税込￥769
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：85 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(
パッケージTO-3PN
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)214000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1個
￥539
税込￥593
5日以内出荷
仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596
幅(mm)29
寸法(mm)29×29×11.23
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
回路構成シングル
パッケージGBPC
実装タイプスクリュー マウント
ピーク平均順方向電流(A)12
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300
ピーク逆電流(μA)500
ピーク順方向電圧(V)1.1
最大動作温度(℃)150
最小動作温度(℃)-55
1箱(2個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)600
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン135， 200
最大動作周波数(MHz)160
最大パワー消費750 mW
1箱(10個)
￥359
税込￥395
5日以内出荷
仕様最大動作周波数：30 MHz
寸法(mm)20×5×26
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-264
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)250
最大パワー消費(W)150
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)250
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)17
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン80
1箱(5個)
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
仕様●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続 順方向電流：15A
ピン数(ピン)2
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性整流ダイオード、10 A → 80 A、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-220AC
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)3.2
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200
ピーク逆回復時間(ns)75
1個
￥349
税込￥384
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)53
最大逆漏れ電流(μA)10
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
1箱(100個)
￥899
税込￥989
翌々日出荷
仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.15
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50
最大連続順方向電流(A)2
ピーク逆回復時間(μs)2
1セット(50個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
長さ(mm)1.3
幅(mm)0.9
高さ(mm)0.7
寸法1.3 x 0.9 x 0.7mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大ダイオードキャパシタンス(pF)4
最大逆電圧(V)75
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
最大パワー消費625 mW
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-800
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥259
税込￥285
5日以内出荷
直径(Φmm)1.91
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
ピーク逆繰返し電圧(V)150
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(μs)3
最大連続順方向電流(mA)200
1箱(50個)
￥939
税込￥1,033
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法1.91 (Dia.) x 4.56mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
テスト電流(mA)20
最大逆漏れ電流(μA)1
最大パワー消費(mW)500
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)30
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：6
チャンネル数2
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
パッケージSMT
実装タイプ表面実装
標準上昇時間2.4μs
標準降下時間2.4μs
出力デバイスフォトトランジスタ
最大順方向電圧(V)1.3
最大入力電流(mA)10
絶縁電圧(kVrms)5
1箱(10個)
￥1,398
税込￥1,538
欠品中
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Max)+200
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)7.5
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)45
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)500
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5
最大ゲートしきい値電圧(V)3
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費830 mW
1箱(10個)
￥329
税込￥362
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)1.2
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)300
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)40
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-600
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)14
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
1箱(100個)
￥889
税込￥978
5日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 3 mV/V●精度 ： 2%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： TSOP●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定mW●寸法 ： 3 x 1.5 x 1mm●入力電圧 Min ： 2.1 Vmm●長さ ： 3mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●5 V●8 V●10 V●及び調整式●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥3,298
税込￥3,628
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 300mA●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 10 mV●精度 ： 2%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-223μA●ピン数 ： 3+Tab●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.65mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 6.7mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●250 → 300 mA●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥999
税込￥1,099
7日以内出荷
仕様●電圧管理タイプ ： 電圧モニター●管理数 ： 1●最大リセット閾値電圧 ： 1.295V●最小リセット閾値電圧 ： 1.245V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●最大リセット閾値電圧 ： 40V●動作供給電圧 Max ： 40 V●動作温度 Min ： 0 ℃V●マイクロプロセッサ監視/リセット回路●On Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,798
税込￥1,978
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.5A●出力電圧 ： -1.2 → -37 V●ラインレギュレーション ： 0.04 %/V●ロードレギュレーション ： 50 mV●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK●ピン数 ： 3 + TabV●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.23 x 9.34 x 4.57mm●高さ ： 4.57mm●幅 ： 9.34mm●出力電流： 1.5 A 超 出力は -1.2 → -37 V の範囲で調整可能 内部の熱的過負荷保護 内部短絡電流制限定(温度あり 出力トランジスタ安全動作領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作 多数の固定電圧のストッキングを除去します 表面実装 D2PAK パッケージ及び標準 3 リードトランジスタパッケージで提供されます 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,898
税込￥2,088
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.1A●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 0.2 %●ロードレギュレーション ： 33 mV●実装タイプ ： 表面実装●静止電流 ： 700μA●ピン数 ： 3+TabV●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.69mm●入力電圧 Max ： 18 Vmm●幅 ： 3.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥96,980
税込￥106,678
7日以内出荷
仕様●公称電圧 ： 2.5V●パッケージタイプ ： SOIC●基準タイプ ： 固定●立上がり精度 ： ±3 %●実装タイプ ： 表面実装●トポロジー ： シャント●出力電流 Max ： 20mA●出力電圧 Min ： 2.425 V●出力電圧 Max ： 2.575 V●ピン数 ： 8●ロードレギュレーション ： 20 mV●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●幅 ： 4mm●電圧基準●0.6 → 4.096 V●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(98個)
￥5,998
税込￥6,598
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ ： 8kbit●インターフェースタイプ ： シリアル-I2C●パッケージタイプ ： TSSOP●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●構成 ： 1 k x 8ビット●動作供給電圧 Min ： 1.7 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●プログラミング電圧 ： 1.7 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 ： 8bit●寸法 ： 3 x 4. 4x 0.9mm●データ保持 ： 100年
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥109,800
税込￥120,780
7日以内出荷
仕様●論理回路 ： ECL●ロジックタイプ ： クロック ドライバ●入力信号タイプ ： ECL， HSTL， PECL●出力ロジックレベル ： ECL， PECL●動作/操作モード ： 差動●シングルエンド●クロック入力数 ： 2●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： LQFP●ピン数 ： 32●寸法 ： 7 x 7 x 1.45mm●長さ ： 7mm●幅 ： 7mm●高さ ： 1.45mm●動作供給電圧 Max ： 3.8 V●動作温度 Min ： -40 ℃●クロックバッファ●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ ： 1Mbit●インターフェースタイプ ： シリアル-I2C●パッケージタイプ ： UDFN●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●構成 ： 128 x 8ビット●動作供給電圧 Min ： 1.8 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●プログラミング電圧 ： 1.8 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 ： 8bit●寸法 ： 3 x 2 x 0.5mm●自動車規格 ： AEC-Q100ns●EEPROMシリアルI2C●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥369,800
税込￥406,780
7日以内出荷
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