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RoHS10物質対応(934)
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 200 mA， 2N3904BUonsemi￥999税込￥1,099
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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)200トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 800 mA， BC33740TAonsemi￥259税込￥285
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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100最大パワー消費625 mW
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi￥329税込￥362
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)500最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5最大ゲートしきい値電圧(V)3最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費830 mW
onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 60 V， 8 A， 3-Pin TO-220onsemi￥689税込￥758
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翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 1000●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.5mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード， 3A， 200V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 950mVonsemi￥639税込￥703
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仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)950ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(ns)20
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817B300onsemi￥419税込￥461
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5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：2.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-B実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)70最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1 A， KSC2383YTAonsemi￥2,498税込￥2,748
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160最大動作周波数(MHz)100
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805CTGonsemi￥4,598税込￥5,058
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5日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1A●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 20 mV●精度 ： ±4%●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220mA●ピン数 ： 3●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min ： 0 ℃mm●長さ ： 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 3+Tab-Pin， LM317MSTT3Gonsemi￥149税込￥164
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予約販売
仕様●出力電流 Max ： 250mA●出力数 ： 1●ラインレギュレーション ： 0.07 %/V●ロードレギュレーション ： 1.5 %%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： SOT-223●ピン数 ： 3+TabV●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 6.5 x 3.5 x 1.57mm●高さ ： 1.57mm●幅 ： 3.5mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805ABTGonsemi￥379税込￥417
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翌々日出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧A●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 10 mV●ロードレギュレーション ： 25 mV%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： TO-220mA●ピン数 ： 3●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805BDTGonsemi￥359税込￥395
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仕様●出力電流 Max ： 2.2A●出力数 ： 1●ラインレギュレーション ： 100 mV●ロードレギュレーション ： 100 mV%●実装タイプ ： 表面実装●静止電流 ： 3.2mA●ピン数 ： 3●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.73 x 6.22 x 2.38mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 6.73mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317MABTGonsemi￥1,498税込￥1,648
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション ： 0.07 %/V●精度 ： 2%●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220●ピン数 ： 3V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ ： 10.28mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi￥329税込￥362
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 500 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： TO-92●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.8V●最大パワー消費 ： 830 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は●Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは●オンステート抵抗を最小限に抑え●頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル JFET， 3-Pin SOT-23onsemi￥419税込￥461
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 ： 1.5 to 20mA●最大ドレイン-ゲート間電圧 ： 25V dc●回路構成 ： シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 300 Ω●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●ピン数 ： 3●ソースゲート オンキャパシタンス ： 11pF●寸法 ： 3.04 x 1.4 x 1.01mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●PチャンネルJFET●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 汎用 整流ダイオード， 3A， 200V スルーホール， 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1Vonsemi￥469税込￥516
1袋(10個)
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-201AD●最大連続 順方向電流 ： 3A●ピーク逆繰返し電圧 ： 200V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： 汎用●ダイオードタイプ ： 整流器●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： 1V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●直径 ： 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 200A●メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 ARoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FOD817Aonsemi￥439税込￥483
1袋(10個)
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， 6N137SMonsemi￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = 6N137オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥549税込￥604
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：12 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 2.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥419税込￥461
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：3 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET100 V 6.6 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥769税込￥846
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：6.6 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥2,198税込￥2,418
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(mW)120000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 25A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2502onsemi￥1,998税込￥2,198
1箱(2個)
5日以内出荷
仕様UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 ファストン端子寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリュー マウントピーク平均順方向電流(A)25ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンonsemi￥1,898税込￥2,088
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)110チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi 整流ダイオード， 1A， 1000V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7Vonsemi￥269税込￥296
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続 順方向電流：1A直径(Φmm)2.7ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応特性ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不パッケージDO-41実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.7ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)75
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， スルーホール， KSC2383OTAonsemi￥1,398税込￥1,538
1箱(25個)
翌々日出荷
寸法(mm)5.1×4.1×8.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 600 mA， 2N4401BUonsemi￥199税込￥219
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)600トランジスタタイプNPN最大パワー消費625 mW
onsemi スイッチングダイオード 表面実装， 300mA， 75V， シングル，エレメント数 1 SOD-323， 2-Pin 1Vonsemi￥789税込￥868
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.8幅(mm)1.35高さ(mm)1寸法1.8 x 1.35 x 1mmダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1最大順方向電流(mA)300最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1 A， PN2222ABUonsemi￥299税込￥329
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)300最大パワー消費625 mW
onsemi ツェナーダイオード 3.3V スルーホール 500 mWonsemi￥869税込￥956
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールテスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)25最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)28
onsemi 小信号 整流ダイオード， 300mA， 100V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi￥329税込￥362
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.53ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， 4N25Monsemi￥439税込￥483
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-W実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2μs標準降下時間2μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5絶縁電圧(Vrms)4170
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC547BTAonsemi￥559税込￥615
1箱(25個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)300
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 5 V， 5-Pin， NCP699SN50T1Gonsemi￥2,998税込￥3,298
1袋(50個)
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仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 3 mV/V●精度 ： 2%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： TSOP●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定mW●寸法 ： 3 x 1.5 x 1mm●入力電圧 Min ： 2.1 Vmm●長さ ： 3mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●5 V●8 V●10 V●及び調整式●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 3.3 V， 3+Tab-Pin， MC33375ST-3.3T3Gonsemi￥699税込￥769
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7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 300mA●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 10 mV●精度 ： 2%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-223μA●ピン数 ： 3+Tab●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.65mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 6.7mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●250 → 300 mA●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧監視 IC 1チャンネル， 1.245V， 電圧モニター， 8-Pin SOIConsemi￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●電圧管理タイプ ： 電圧モニター●管理数 ： 1●最大リセット閾値電圧 ： 1.295V●最小リセット閾値電圧 ： 1.245V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●最大リセット閾値電圧 ： 40V●動作供給電圧 Max ： 40 V●動作温度 Min ： 0 ℃V●マイクロプロセッサ監視/リセット回路●On SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 -1.2 → -37 V， 3 + Tab-Pin， LM337D2TR4Gonsemi￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.5A●出力電圧 ： -1.2 → -37 V●ラインレギュレーション ： 0.04 %/V●ロードレギュレーション ： 50 mV●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK●ピン数 ： 3 + TabV●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.23 x 9.34 x 4.57mm●高さ ： 4.57mm●幅 ： 9.34mm●出力電流： 1.5 A 超 出力は -1.2 → -37 V の範囲で調整可能 内部の熱的過負荷保護 内部短絡電流制限定(温度あり 出力トランジスタ安全動作領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作 多数の固定電圧のストッキングを除去します 表面実装 D2PAK パッケージ及び標準 3 リードトランジスタパッケージで提供されます 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 3.3 V， 3+Tab-Pin， NCP1117LPST33T3Gonsemi￥91,980税込￥101,178
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.1A●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 0.2 %●ロードレギュレーション ： 33 mV●実装タイプ ： 表面実装●静止電流 ： 700μA●ピン数 ： 3+TabV●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.69mm●入力電圧 Max ： 18 Vmm●幅 ： 3.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器RoHS指令(10物質対応)対応
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