受動部品 ：「COD」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 6.5V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5ns。最大入力電流 = 10 μA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 4.8ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。ピン数 = 5。パッケージタイプ = SO。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = Mini-Flat。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = Mini-Flat。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 22ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 3ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 75ns。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 55ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 400%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 400%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 70V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 260%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 400%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。シリーズ = FODM。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。最大電流変換率 = 1200%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FODM。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 300μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 15000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 300μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 15000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MFP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FODM。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途