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onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， FODM611onsemi￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = Mini-Flat標準上昇時間 = 20ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms ac論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = FODMオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ， 表面実装， ロジックゲート出力， FODM8061onsemi￥419税込￥461
1個
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vピン数 = 5パッケージタイプ = SO入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 20ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = FODMオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， オープンコレクタ出力， 6N137SDMonsemi￥1,798税込￥1,978
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1機能(特殊機能)コンピュータ周辺機器インターフェイス、データ多重化、パルストランス代替品ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間30ns標準降下時間10ns出力デバイス光電センサ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)200絶縁電圧(V)5000 ac
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トライアック出力， FODM3083onsemi￥22,980税込￥25,278
1セット(100個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrmsシリーズ = FODMオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， オープンコレクタ出力， 6N137SDMonsemi￥1,798税込￥1,978
1袋(10個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = 光電センサ最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 200 mA絶縁電圧 = 5000 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = 6N137特殊機能 = コンピュータ周辺機器インターフェイス、データ多重化、パルストランス代替品オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET12 V 10 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピンonsemi￥899税込￥989
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷幅(mm)2シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)10最大ドレイン-ソース間電圧(V)12最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8トランジスタ構成シングル最大パワー消費2.4 W
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 16 A 表面実装 パッケージPower 33 8 ピンonsemi￥769税込￥846
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：16 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)35材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)212最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 10.6 A 表面実装 パッケージMLP8 8 ピンonsemi￥2,798税込￥3,078
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.6 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：32 nC @ 10 V高さ(mm)0.75ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージMLP8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， 6N136SDMonsemi￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 200 mA絶縁電圧 = 5000 V ac論理出力 = あり最大電流変換率 = 50%シリーズ = 6N136特殊機能 = パルストランス代替品、広帯域幅アナログカップリングオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 14 A 表面実装 パッケージPower 33 8 ピンonsemi￥689税込￥758
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)30チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)150
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM452R2onsemi￥859税込￥945
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMFP実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(Vrms)3750
onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装 パッケージMLPAK33 8 ピンonsemi￥1,198税込￥1,318
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V高さ(mm)0.95ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージMLPAK33実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)42000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， FODM8061Vonsemi￥23,980税込￥26,378
1セット(100個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = Mini-Flat標準上昇時間 = 20ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = FODMオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM124R2onsemi￥519税込￥571
1袋(5個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 1200%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODMオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 30 A 表面実装 パッケージPower 33 8 ピンonsemi￥529税込￥582
1箱(2個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：30 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)41チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM2701R2onsemi￥1,498税込￥1,648
1箱(20個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)300絶縁電圧(Vrms)3750
onsemi N， Pチャンネル MOSFET20 V 3.1 A、3.7 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピンonsemi￥99,980税込￥109,978
1リール(3000個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)2シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P最大パワー消費(W)1.4チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.1 、3.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6895最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成絶縁型
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM2705R2onsemi￥1,498税込￥1,648
1箱(20個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)300絶縁電圧(Vrms)3750
onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 76 A 表面実装 パッケージPQFN8 8 ピンonsemi￥1,498税込￥1,648
1箱(3個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：76 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：72 nC @ 10 V高さ(mm)1.05ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージPQFN8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)125チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi フォトカプラ， 表面実装， トランジスタ出力， FODM8801AR2onsemi￥489税込￥538
1箱(2個)
5日以内出荷
仕様●最大電流変換率：2.3●論理出力：ありピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMini-Flat実装タイプ表面実装標準上昇時間5μs標準降下時間5.5μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.8絶縁電圧(V)3750ac
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FDMB3800Nonsemi￥1,598税込￥1,758
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様これらの N チャンネルロジックレベル MOSFET は、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産され、特にオン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧及びバッテリ駆動用途に最適です。最大 rDS ( on )4.3 A 高速スイッチング速度 低ゲート電荷量 超低 rDS ( on )向けの高性能トレンチテクノロジー 高電力及び高電流処理能力 用寸法(mm)3×1.9×0.75ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージWDFN実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大パワー消費(W)1.6
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FDMA430NZonsemi￥2,798税込￥3,078
1箱(25個)
7日以内出荷
ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)2.4
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， オープンコレクタ出力， FODM611R2onsemi￥299,800税込￥329,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
実装タイプ 表面実装出力デバイス オープンコレクタ最大順方向電圧 1.5Vチャンネル数 1ピン数 5パッケージタイプ MFP最大入力電流 10 mA絶縁電圧 3.75 kVrmsシリーズ FODMコモンモード過渡耐性 (CMTi) 20kV/ s 最小 CMTi を特徴とする高ノイズ耐性 高速 10 Mbit/s の日付レート( NRZ - 最大 100 ns 伝搬遅延：最大 35 ns パルス幅歪み最大 40 ns 伝播遅延スキュー 温度範囲: -40 +85 用途 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， オープンコレクタ出力， FODM611R2onsemi￥1,898税込￥2,088
1箱(10個)
7日以内出荷
チャンネル数1ピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応パッケージMFP実装タイプ表面実装出力デバイスオープンコレクタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)3.75
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM2705R2onsemi￥1,498税込￥1,648
1袋(20個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 300%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODMオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， FODM121AR2Vonsemi￥1,298税込￥1,428
1袋(25個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 10 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODM
RoHS指令(10物質対応)対応
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- 機構部品(電子部品)
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