マイコン :「micro エレメント」の検索結果

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仕様●ダイオード構成 : 絶縁型A●1チップ当たりのエレメント数 : 2●最大逆電圧 : 1200V●パッケージタイプ : ISOTOP●ピン数 : 4V●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 38.2mm●幅 : 25.5mm●高さ : 12.2mm●寸法 : 38.2×25.5×12.2mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,998 税込4,398
欠品中

仕様●ダイオード構成 : 絶縁型A●1チップ当たりのエレメント数 : 2●最大逆電圧 : 1200V●パッケージタイプ : ISOTOP●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピン数 : 4V●最大ダイオードキャパシタンス : 45pF●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 38.2mm●幅 : 24.8mm●高さ : 12.2mm●寸法 : 38.2×24.8×12.2mm●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
39,980 税込43,978
7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大連続コレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 200●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.05mA●動作温度 Min : -65 ℃mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
899 税込989
7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : SOT-32●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 25 W●最小DC電流ゲイン : 25●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 3 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.8×7.8×2.7mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,598 税込3,958
7日以内出荷

1セット(30個)
21,980 税込24,178
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 200 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 400 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
6,498 税込7,148
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 320 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM) RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
39,980 税込43,978
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 40 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 60 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
229,800 税込252,780
7日以内出荷

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