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方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 120V。最小ブレークダウン電圧 = 50V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 0.9mm。IEC61000-4-2レベル4. SMTトランジェントサブレッサ - CDS3シリーズ. ESD用途で高性能を発揮するように最適化された双方向セラミック半導体です。. 優れたESD耐性(最小3000 ESDパルス) あらゆるESDイベント(正と負の両方)を安全にアースに放電 鉛フリーニッケルバリア終端

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 42V。最小ブレークダウン電圧 = 22V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = 0603 (1608M)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 2000W。最大ピークパルス電流 = 30A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 1.75 x 0.9 x 0.9mm。幅 = 0.9mm。IEC61000-4-2レベル4. SMTトランジェントサブレッサ - CDS3シリーズ. ESD用途で高性能を発揮するように最適化された双方向セラミック半導体です。. 優れたESD耐性(最小3000 ESDパルス) あらゆるESDイベント(正と負の両方)を安全にアースに放電 鉛フリーニッケルバリア終端

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 30V。最小ブレークダウン電圧 = 10V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 9V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1600W。最大ピークパルス電流 = 30A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 0.9mm。IEC61000-4-2レベル4. SMTトランジェントサブレッサ - CDS3シリーズ. ESD用途で高性能を発揮するように最適化された双方向セラミック半導体です。. 優れたESD耐性(最小3000 ESDパルス) あらゆるESDイベント(正と負の両方)を安全にアースに放電 鉛フリーニッケルバリア終端