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一般的によく使われる17種類のトランジスタがパッケージされています。 ちょっとした回路を製作するのに便利です。 ※手作業で梱包しておりますので、1個か2個の数量の違いはあるかと思います。ご容赦ください。 ※2種類のリード(ストレートとベント)がパッケージに混在しています。

高温逆方向漏れ電流が大きい：H・Irが最大200μAと大きい (Vr=Vrm Tj=150℃) お勧めポイント 姉妹品：EM-1Y EM-1Z EM-1 EM-1A EM-1B と姉妹品です。 逆方向の漏れ電流が小さい：逆方向の漏れ電流が20μAと小さい。

プロオーディオ用OPアンプICの代表NE5532のセカンドソース品です。 低周波用のローノイズOPアンプとしてコストの割りに性能が高くオーディオ以外にも広く使われています。同型のセカンドソースは各社製造しており工業的には大同小異です。 オーディオ用としてはそれぞれ音質が異なると言われ評価も様々です。

TIの開発した4回路入りJ-FET入力型OPアンプです。 2回路入りTL072の4回路版です。入力インピーダンスが高くバイアス電流がほとんど流れない特性はバイポーラ入力型よりもOPアンプの理想に近く特性のバランスが取れた使いやすい製品として使われ続けています。 電源電圧は±15Vが標準で+5V以下の単電源など低電圧での使用には向きません。

74HCxxシリーズのC-MOS標準ロジックICです。 標準ロジックICはもともとLSIの集積度が低くPLDも無かった時代に任意のロジック回路を製作するために使用されました。 NOT、AND、OR、FF等々ロジック回路の最小単位を数個ずつ一つの回路に収めたもので必要なものを複数組み合わせて使います。そのため、入出力の電気的特性は同じシリーズの標準ロジックICならば直接接続が可能なように標準化されています。 大きく分けてTTLとC-MOSがあり入出力の電圧・電流仕様が異なるので相互の接続は工夫が要ります。(通常、LSIはどちらかの仕様に合わせられています。)その他、シリーズによって速度や動作電圧が異なります。 74HCxxシリーズはC-MOSとして代表的な品種です。 74LSxxなどTTLと異なり動作電圧に幅があるので+5V系、+3.3V系どちらでも使用可能です。

NANDゲート4回路入りの標準ロジックICです。推奨動作電圧3～18Vと高電圧で使用可能です。 同じくNANDゲートIC、74HC00とはピン配置が異なります。

4回路の独立した双方向スイッチが内蔵されているので、アナログやデジタル信号のスイッチングに適しています。 CONT入力を”H”にするとスイッチ入出力間は低インピーダンス、”L”にすると高インピーダンスになります。 スイッチング速度が速い。 ON抵抗は、電源電圧が大きいと小さくなります。(Vdd-Vss=15V時 70Ω)

内部回路がシンプルな1段ゲート(インバータ)構成のため、CR発振回路や水晶発振回路などに適しています。 TC4584BPとピンコンパチブルです。 レベル伝搬遅延時間が小さい。

豊富なラインナップで金型部品としてのスプリングの標準化を実現しました。金型業界はもとより、機械部品として幅広くユーザーにご愛用頂いております。

ATATMEL-ICEデバッグ / プログラマ

MCP6001 / 6002 / 6004オペアンプ

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

パラレルインターフェイスペリフェラル、Microchip

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 27.7V最小ブレークダウン電圧 = 19V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 22A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 3.6mmTVSダイオードアキシャル双方向600 W、Taiwan Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 85V最小ブレークダウン電圧 = 58.9V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 53Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.6 x 3.6 x 3.6mm高さ = 3.6mmTVSダイオードアキシャル双方向600 W、Taiwan Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 100， 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 146V最小ブレークダウン電圧 77.9V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 70Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 69A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 5.3mmTransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 60Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 750mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 40AVishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V