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非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor

Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。

PSoC 3 (8051コア)、Cypress. PSoC 3 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、設定可能なアナログ / デジタルロジックブロックを備えた8051コアマイクロコントローラデバイスとプログラム可能なインターコネクトで構成されています。 また、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、及び設定可能なI/Oも含まれています。

Cypress PSoC 1 ( M8C コア). PSoC 1 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、M8C-core マイクロコントローラと設定可能なアナログとデジタル ロジックのブロックとともに、プログラム可能な相互接続を備えています。さらに、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、設定可能なI/Oを搭載しています。

Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力

PSoC ファミリは、多くのプログラマブルシステムオンチップコントローラデバイスで構成されています。これらのデバイスは、複数の従来の MCU ベースのシステムコンポーネントを、低コストのシングルチッププログラマブルコンポーネントに置き換えるように設計されています。PSoC デバイスには、アナログ / デジタルロジックの構成可能なブロックとプログラマブルインターコネクトが組み込まれています。このアーキテクチャにより、個々のアプリケーションの要件に合わせて、カスタマイズされたペリフェラル設定を作成できます。また、高速 CPU 、フラッシュプログラムメモリ、 SRAM データメモリ、及び構成可能な I/O が、便利なピン配列に用意されています。

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力

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F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス

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F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス

4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 512 x 8 として構成されています。高耐久性： 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み 151 年間のデータ保持 NODELAY 書き込み Advanced の高信頼性強誘電体プロセス 超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI ) 周波数：最大 20 MHz シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です。SPI モード 0 ( 0 、0 )及びモード 3 ( 1 、1 )をサポート 洗練された書き込み保護スキーム 書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護 書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護 1/4 、1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護 低消費電力 200 mA アクティブ電流 @ 1 MHz スタンバイ電流： 3 mA (標準 低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V 産業温度： -40 ℃ → +85 ℃ パッケージ 8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ 8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです