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RoHS10物質対応(5)
ISSI， SRAM 4Mbit， 256 K x 16 ビット， 44-Pin IS62WV25616BLL-55TLIISSI￥819税込￥901
1個
5日以内出荷
プロダクトパッケージ製品の内391-731P，391-725P，391-680P，391-729P，392-362P，391-719P，391-640P，391-630P，391-684P，391-703P，391-624P，391-707P，391-696P，391-628PにおいてDRAMの表記がありますがSRAMです。.SRAM、ISSI.ISSIスタティックRAM製品は、高性能CMOSテクノロジーを使用しています。5V高速非同期SRAM、高期低電力非同期SRAM、5V低電力タイプ非同期SRAM、超低電力CMOSスタティックRAM、PowerSaver：sup>：TM：/sup>：低電力非同期SRAMなど、幅広いスタティックRAM製品を取り揃えています。ご用意しています。ISSISRAMデバイスは、さまざまな電圧、メモリサイズ、構成の製品を取り揃えています。CPUキャッシュメモリ、組み込みプロセッサ、ハードドライブ、産業エレクトロニクス用スイッチなどさまざまな用途に適しています。.電源:1.8V/3.3V/5V提供パッケージ:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP選択可能な構成:x8及びx16高速非同期SRAMの場合はECC機能も使用可能
仕様ローパワーあり、最大ランダムアクセス時間：55ns寸法(mm)18.52×10.29×1.05タイプタイミング：非シンクロナス構成256Kx16ビットメモリー4Mbitピン数(ピン)44RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2.5、(Max)3.6アドレスバス幅18bit1ワード当たりのビット数16bitワード数256k
ISSI， SRAM 8Mbit， 512 K x 16ビット， 44-Pin IS62WV51216BLL-55TLIISSI￥1,198税込￥1,318
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プロダクトパッケージ製品の内391-731P，391-725P，391-680P，391-729P，392-362P，391-719P，391-640P，391-630P，391-684P，391-703P，391-624P，391-707P，391-696P，391-628PにおいてDRAMの表記がありますがSRAMです。.SRAM、ISSI.ISSIスタティックRAM製品は、高性能CMOSテクノロジーを使用しています。5V高速非同期SRAM、高期低電力非同期SRAM、5V低電力タイプ非同期SRAM、超低電力CMOSスタティックRAM、PowerSaver：sup>：TM：/sup>：低電力非同期SRAMなど、幅広いスタティックRAM製品を取り揃えています。ご用意しています。ISSISRAMデバイスは、さまざまな電圧、メモリサイズ、構成の製品を取り揃えています。CPUキャッシュメモリ、組み込みプロセッサ、ハードドライブ、産業エレクトロニクス用スイッチなどさまざまな用途に適しています。.電源:1.8V/3.3V/5V提供パッケージ:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP選択可能な構成:x8及びx16高速非同期SRAMの場合はECC機能も使用可能
仕様ローパワーあり、最大ランダムアクセス時間：55ns寸法(mm)18.52×10.29×1.05高さ(mm)1.05タイプタイミング：非シンクロナス構成512Kx16ビットメモリー8Mbitピン数(ピン)44RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2.5アドレスバス幅19bit1ワード当たりのビット数16bitワード数512k
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