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ピーク平均順方向電流 40A。ピーク逆繰返し電圧 800V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ PB。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 400A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 500μA。寸法 30.3 5.1 20.3mm。高さ 20.3mm。SIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+T SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 100W。シリーズ = RPH100。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -300ppm/℃。最大温度係数 = +300ppm/℃。100 W厚膜型の電力抵抗器. Vishay Sfernice RPH100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器 この新しいエンクロージャは、RCH製品の拡張版として開発されました。 無誘導性 過負荷及びエンクロージャからの低熱放射に対応

シリーズ = NTHS。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -3.84%/K。熱時定数 = 13s。抵抗@ 25℃ = 10kΩ。許容差 = ±5%。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。最大定格電力 = 280mW。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.8mm。動作温度 Min = -40℃。NTCサーミスタ、SMD 0402 / 0603 / 0805 / 1206チップ特長 標準サイズで利用可能な抵抗値を拡張 100 % Snによるラップアラウンドニッケルバリア終端 ハイブリッド回路との併用に備えた設計の柔軟性を実現 用途 バッテリ充電器 電力供給業者 オフィス機器