電子部品(オンボード) :「ステート」の検索結果

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699 税込769
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2,998 税込3,298
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仕様APA831ソケットはAQZ262, AQZ264には適合いたしません。. Photo MOS リレーパワー タイプ. ソリッドステートリレーとメカニカルリレーの長所を兼ね備えたPhotoMOSリレー パワー制御を可能にした出力インターフェース用 入出力間耐電圧:2,500Vの高絶縁 AC/DC負荷制御が可能 取付方式スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET
1個
1,798 税込1,978
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329 税込362
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仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)4.4×4.3×2.1 取付方式表面実装 極数1 奥行(mm)4.3 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOP 最大ターンオン時間3ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)5 dc 最大負荷電圧(V)60 電圧制御範囲(V)1.5→5
1個
249 税込274
5日以内出荷

仕様UL、C-UL、VDE. AQHシリーズ. この小型DIPタイプ基板実装ソリッドステートリレーは、AC負荷制御に最適で、高絶縁耐力を備えています。 主な用途には、家庭用電化製品、産業機器などがあります。. AC負荷制御に最適な小型DIPタイプSSR ゼロクロス(15 Vと50 V)及びランダムという2つのタイプを用意 高絶縁耐力、5000 V ac (入出力間) 寸法(mm)9.78×6.4×3.9 取付方式基板実装 最大負荷電流(A)0.9 スイッチング方式ランダム RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-30 → +85 パッケージDIP8 ターミナルタイプスルーホール 最大ターンオン時間0.1ms 出力装置フォトトライアック 最大電圧制御(V)1.3 最大負荷電圧(V)600 電圧制御範囲(V)1.21→1.3
1個
299 税込329
5日以内出荷

仕様リレータイプ:ソリッドステートリレー 寸法(mm)9.78×6.4×3.4 取付方式基板実装 極数1 シリーズAQ-H 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.6 スイッチング方式ゼロクロス RoHS指令(10物質対応)対応 特性UL、C-UL、VDE. AQHシリーズ. この小型DIPタイプ基板実装ソリッドステートリレーは、AC負荷制御に最適で、高絶縁耐力を備えています。 主な用途には、家庭用電化製品、産業機器などがあります。. AC負荷制御に最適な小型DIPタイプSSR ゼロクロス(15 Vと50 V)及びランダムという2つのタイプを用意 高絶縁耐力、5000 V ac (入出力間) 動作温度範囲(℃)-30 → +85 出力装置フォトトライアック 最小電圧制御(V)1.3 最大負荷電圧(V)600 電圧制御範囲(V)1.3→6
1個
269 税込296
5日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.3 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.12 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)400 最小負荷電圧(V)320
1個
489 税込538
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 範囲AQY 最大負荷電流(A)1.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)60 最小負荷電圧(V)48
1個
389 税込428
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 範囲AQV 最大負荷電流(A)0.3 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)400 最小負荷電圧(V)320
1個
449 税込494
7日以内出荷

仕様Panasonic DIP6 ピンタイプは、低オン抵抗で絶縁が強化されています。40 V 、 60 V 、 100 V 、 200 V 、 250 V 、 400 V 、 600 V 、 1 、 000 V の幅広い負荷電圧タイプ 低オン抵抗(標準) 0.6O ( AQV251 ) I/O 絶縁の強化絶縁タイプ: 5 、 000 Vrms 可能 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.75 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.25 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)200 最小負荷電圧(V)160
1個
929 税込1,022
7日以内出荷

仕様Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁: 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成2 x SPNO 範囲AWQ 最大負荷電流(A)1.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)60 最小負荷電圧(V)48
1個
949 税込1,044
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 最大負荷電流(A)1.5 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.5 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)60 最小負荷電圧(V)60 ac/dc
1個
309 税込340
7日以内出荷

仕様Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁: 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成2 x SPNO 範囲AWQ 最大負荷電流(A)0.3 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)400 最小負荷電圧(V)320
1個
999 税込1,099
7日以内出荷

仕様UL、CSA. AQV210E / AQV210EHソリッドステートリレー. MOSFET出力段を備えた光電子PhotoMOSリレー 用途: 電話機、通信機器、高速通信システム 寸法(mm)8.8×6.4×3.9 取付方式基板実装 接点構成SPST 最大負荷電流(mA)130 漏れ電流(μA)1 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージDIP6 最大ターンオン時間2ms 出力装置PhotoMOS 最小電圧制御(V)1.14 最大負荷電圧(V)350 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1セット(50個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズAQ-H 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.6 スイッチング方式ゼロクロスリレースイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置トライアック 最大負荷電圧(V)200 rms 最小負荷電圧(V)100 rms
1袋(2個)
399 税込439
7日以内出荷

仕様Panasonic マイクロミニチュア SON パッケージ C x R5 : 25 V の負荷電圧超小型 SON パッケージは、スペースの節約と高さに貢献します 実装密度 SON タイプは、約の新しい Photo MOS です 既存の SSOP タイプの体積比は 43 % C x R5 - 出力静電容量(標準) 1.1 pF 、オン抵抗(標準) 5.5 O 取付方式表面実装 シリーズPhotoMOS 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.15 スイッチング方式AC/DC RoHS指令(10物質対応)対応 最小負荷電流(A)0.15 出力装置MOSFET 最大負荷電圧(V)25 最小負荷電圧(V)15
1個
1,198 税込1,318
7日以内出荷

仕様UL、CSA. AQV210E / AQV210EHソリッドステートリレー. MOSFET出力段を備えた光電子PhotoMOSリレー 用途: 電話機、通信機器、高速通信システム 寸法(mm)8.8×6.4×3.9 取付方式基板実装 最大負荷電流(mA)130 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージDIP6 ターミナルタイプスルーホール 最大ターンオン時間2ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最小動作温度(℃)-40 最大負荷電圧(V)350 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
499 税込549
5日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQV 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)150 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)400 ac/dc
1個
969 税込1,066
7日以内出荷

取付方式表面実装 シリーズAQV 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)30 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)1000 ac/dc
1個
969 税込1,066
7日以内出荷

仕様UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm)2.65×4.45×1.8 取付方式基板実装 接点構成SPST 最大負荷電流(A)0.12 RoHS指令(10物質対応)対応 動作温度範囲(℃)-40 → +85 パッケージSSOP 最大ターンオン時間0.5ms 出力装置PhotoMOS 最大電圧制御(V)1.5 最大負荷電圧(V)40 電圧制御範囲(V)1.14→1.5
1個
999 税込1,099
5日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQW 接点構成DPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)100 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)350 ac/dc
1個
739 税込813
7日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQV 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)500 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)60 ac/dc
1個
579 税込637
7日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQY 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(A)1.6 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)40 ac/dc
1個
949 税込1,044
7日以内出荷

取付方式基板実装 シリーズAQY 接点構成SPST 範囲PhotoMOS 最大負荷電流(mA)250 スイッチング方式MOSFETスイッチング RoHS指令(10物質対応)対応 出力装置Photo MOSFET 最大負荷電圧(V)40 ac/dc
1個
1,398 税込1,538
7日以内出荷

1個
1,098 税込1,208
当日出荷から翌々日出荷
バリエーション一覧へ (7種類の商品があります)

Panasonic(パナソニック)フォトカプラ
仕様●APA831ソケットはAQZ262, AQZ264には適合いたしません。. Photo MOS リレーパワー タイプ. ソリッドステートリレーとメカニカルリレーの長所を兼ね備えたPhotoMOSリレー パワー制御を可能にした出力インターフェース用 入出力間耐電圧:2,500Vの高絶縁 AC/DC負荷制御が可能●コード番号:444-835 アズワン品番65-7257-10
1個
349 税込384
7日以内出荷

タイプ入力電流:DC ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)対応 特性APA831ソケットはAQZ262, AQZ264には適合いたしません。. Photo MOS リレーパワー タイプ. ソリッドステートリレーとメカニカルリレーの長所を兼ね備えたPhotoMOSリレー パワー制御を可能にした出力インターフェース用 入出力間耐電圧:2,500Vの高絶縁 AC/DC負荷制御が可能 パッケージSIL 実装タイプスルーホール実装 出力デバイスMOSFET 最大入力電流(mA)50 絶縁電圧(V)2500
1個
1,198 税込1,318
5日以内出荷

タイプ入力電流:DC ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)対応 特性カナダ / 米国のUL認定. AQV SSR. DIP6ピンタイプ基板実装ソリッドステートリレーは抵抗が低く、コストパフォーマンスに優れています。この基板リレーの主な用途には、高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷の制御などが挙げられます。. 高感度及び低抵抗 AC又はDCスイッチング 低熱EMF、約1 μV 動作温度範囲: -40 → +85℃ 高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷を制御 パッケージDIP 実装タイプスルーホール実装 出力デバイスMOSFET 最大入力電流(mA)50 絶縁電圧(kV)1.5rms
1個
869 税込956
5日以内出荷

タイプ入力電流:DC ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)対応 特性フォトモスリレー、HEタイプ. ソリッドステートと機械式リレーの長所を組み合わせたフォトモスリレー 低オン抵抗と低価格のバランスを取るのに役立つ豊富なバリエーション マイクロアナログ信号制御が可能 回路開のときに低電流漏洩 AC / DC負荷制御が可能 パッケージDIP 実装タイプスルーホール実装 出力デバイスMOSFET 最大入力電流(mA)50 絶縁電圧(kV)1.5rms
1個
999 税込1,099
5日以内出荷

タイプ入力電流:DC ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)対応 特性カナダ / 米国のUL認定. AQV SSR. DIP6ピンタイプ基板実装ソリッドステートリレーは抵抗が低く、コストパフォーマンスに優れています。この基板リレーの主な用途には、高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷の制御などが挙げられます。. 高感度及び低抵抗 AC又はDCスイッチング 低熱EMF、約1 μV 動作温度範囲: -40 → +85℃ 高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷を制御 パッケージDIP 実装タイプスルーホール実装 出力デバイスMOSFET 最大入力電流(mA)50 絶縁電圧(kV)1.5rms
1個
899 税込989
5日以内出荷

タイプ入力電流:DC ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)対応 特性カナダ / 米国のUL認定. AQV SSR. DIP6ピンタイプ基板実装ソリッドステートリレーは抵抗が低く、コストパフォーマンスに優れています。この基板リレーの主な用途には、高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷の制御などが挙げられます。. 高感度及び低抵抗 AC又はDCスイッチング 低熱EMF、約1 μV 動作温度範囲: -40 → +85℃ 高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷を制御 パッケージDIP 実装タイプスルーホール実装 出力デバイスMOSFET 最大入力電流(mA)50 絶縁電圧(kV)1.5rms
1個
999 税込1,099
5日以内出荷