電子部品(オンボード) ：「SOD-1」の検索結果

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

標準ツェナー電圧 = 5.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 37Ω最大逆漏れ電流 = 900nA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523F最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 75Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 94Ω最大逆漏れ電流 = 45μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323F最大連続 順方向電流 = 150mAピーク逆繰返し電圧 = 75Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4ns直径 = 1.5mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 400mAピーク逆繰返し電圧 = 50Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 6ns直径 = 1.5mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 900nA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 84Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 84Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 56Ω最大逆漏れ電流 = 1.8μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523Fピン数 = 2mV最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmパワー消費 = 200mWON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 89Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 10V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 160 Ω @ 1 mA， 20 Ω @ 5 mA最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm自動車規格 = AEC-Q101mAこのツェナーダイオード電圧レギュレータは、 SOD-523 表面実装パッケージに収められています。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。標準ツェナー降伏電圧範囲： 2.4 → 75 V 定格安定状態： 500 mW 小型ボディ外形寸法： 0.047 インチ x 0.032 インチ( 1.20 mm x 0.80 mm ) 低いボディ高： 0.028 インチ( 0.7 mm ) クラス 3 (> 16 kV )人体モデルの ESD 定格 エポキシは UL94 、 VO に適合 極性バンドでカソードを表示 リード仕上げ： 100 % つや消しスズ 認定最大リフロー温度： 260C デバイスは MSL 1 の要件に適合します 鉛フリーパッケージを用意 用途 携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなど、スペースが限られている用途に適しています。

標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm標準電圧温度係数 = 5.3mV/Kツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 75Ω最大逆漏れ電流 = 2.7μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F