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非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,898 税込3,188
5日以内出荷

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,198 税込3,518
5日以内出荷

Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレルデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm長さ = 18.51mm幅 = 10.26mm高さ = 1.04mm動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
6,398 税込7,038
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仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
4,398,000 税込4,837,800
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Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 Vbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
199,800 税込219,780
7日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 18ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 128kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
159,800 税込175,780
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
59,980 税込65,978
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
47,980 税込52,778
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 64kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
169,800 税込186,780
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm幅 = 4mm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
929 税込1,022
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 64Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,198 税込2,418
7日以内出荷

F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2.7 Vbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
119,800 税込131,780
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 32kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
94,980 税込104,478
5日以内出荷

F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
69,980 税込76,978
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
26,980 税込29,678
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
24,980 税込27,478
5日以内出荷

4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 512 x 8 として構成されています。高耐久性: 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み 151 年間のデータ保持 NODELAY 書き込み Advanced の高信頼性強誘電体プロセス 超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI ) 周波数:最大 20 MHz シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です。SPI モード 0 ( 0 、0 )及びモード 3 ( 1 、1 )をサポート 洗練された書き込み保護スキーム 書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護 書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護 1/4 、1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護 低消費電力 200 mA アクティブ電流 @ 1 MHz スタンバイ電流: 3 mA (標準 低電圧動作: VDD = 2.7 → 3.6 V 産業温度: -40 ℃ → +85 ℃ パッケージ 8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ 8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです
仕様メモリサイズ = 4kbit、構成 = 512 M x 8ビット、インターフェースタイプ = シリアル-SPI、データバス幅 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 20ns、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOIC、ピン数 = 8、寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.47mm、長さ = 4.97mm、動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm、高さ = 1.47mm、動作温度 Max = +85 ℃、自動車規格 = AEC-Q100bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
549,800 税込604,780
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(81個)
44,980 税込49,478
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2K x 8インターフェースタイプ = シリアル-SPIデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
23,980 税込26,378
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 2Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
999 税込1,099
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
719 税込791
5日以内出荷

FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
5日以内出荷

F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 8.73mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,398 税込1,538
5日以内出荷

CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります。高速 tAA = 10 ns 低アクティブ電力 ICC = 80 mA @ 10 ns 低 CMOS スタンバイ電力 ISB2 = 3 mA 2.0 V Data 選択解除時に自動的に電源がオフになります。TTL互換の入出力 CE1 、CE2 、OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます。CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています。
仕様メモリサイズ = 1Mbit、構成 = 128 k x 8ビット、ワード数 = 128k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 10ns、クロック周波数 = 100MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOJ、ピン数 = 32、寸法 = 0.83 x 0.305 x 0.11mm、高さ = 0.11mm、動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(750個)
379,800 税込417,780
5日以内出荷

クイックスタートガイド、USB-A Mini-Bケーブル、ジャンパワイヤ 6. CY8CKIT-042-BLE キットは、PSoC 4と追加のBLE (Bluetooth 4.1)ワイヤレス機能を備えています。CY8CKIT-042 PSoC 4200 Pioneerキット、Cypress. CY8CKIT-042 PSoC Pioneer開発キットは、使いやすくコスト効果の高いプラットフォームです。作成や設計が簡単になります。この開発キットは、Arduinoシールドのハードウェア互換性と、使いやすいFCC認定のPSoC BLE及びPRoC BLEモジュールを活用し、設計の柔軟性を最大限に高められるよう設計されています。この開発プラットフォームを使用すると、ミックスドシグナル機能とBluetooth LE無線の両方を必要とする組込みソリューションを簡単に開発できます。PSoC CreatorソフトウェアはPC上で動作し、システムの設計、アプリケーションファームウェアの記述、PSoCへのコードのダウンロード、内蔵デバッガを使用したステップスルー実行が可能です。オンボードの内容 48 MHz CY8C4245AXI-483 Cortex-M0コアPSoC 4200 (32 KBフラッシュメモリ、4 KB SRAMを搭載) オンボードCY8C5868LTI-LP039 PSoC 5LPベースのプログラマ デバッガ オンボードNCP1117DT +3.3 V電圧レギュレータ SmartSense自動調整機能付きCapSenseRタッチスライダ PSoC 4用のリセットプッシュボタン ユーザープッシュボタン ユーザーRGB LED PSoC 5LP用のステータスLED PSoC 4のプログラミング デバッグ用USB Mini-Bコネクタ 6ピンDigilent Pmod拡張コネクタ Arduino Uno v3 Shieldヘッダ PSoC 5LP用10ピンプログラミングヘッダ PSoC 5LP GPIO用12ピン拡張ヘッダ 電源: USBコネクタ(Vbus +5 dc)又はArduino Shieldヘッダ(Vin +5 +12 dc)から 用途 組み込み設計と開発 センシング及び計装 電源管理 通信及びネットワーキング 信号処理
仕様分類 = 開発 ボードキット名 = Pioneerテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex M0プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 =CY8C4245AXI-483プロセッサ種類 = MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
6,498 税込7,148
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