能動部品 ：「表面実装」の検索結果
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商品豆知識
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 380トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 250 mW。最小DC電流ゲイン = 380。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。汎用NPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 250 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥11,980
税込￥13,178
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：184 A●最大ドレイン-ソース間電圧：55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：40 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.3V●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大ゲート-ソース間電圧：15 V●パッケージタイプ：LFPAK●実装タイプ：表面実装●ピン数：4 + Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：85 W●標準ターンオフ遅延時間：44 ns●RoHS適合状況：適合●コード番号：170-4884
アズワン品番68-4150-95
1セット(1500個)
￥169,800
税込￥186,780
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥339
税込￥373
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥169
税込￥186
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー：74HC 、 ロジック機能：デコーダ， デマルチプレクサ 、 デマルチプレックス能力：2-of-4 、 1チップ当たりのエレメント数：2 、 1エレメント当たりの入力イネーブル数：1 、 出力タイプ：CMOS 、 極性：反転 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：16 、 寸法：6.4 x 5.4 x 1.8mm 、 高さ：1.8mm 、 長さ：6.4mm 、 動作供給電圧 Max：5.5 V 、 動作温度 Max：+125 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥1,598
税込￥1,758
欠品中
仕様標準ツェナー電圧 = 12V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = SOD-66ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 21mA最大逆漏れ電流 = 5μA直径 = 2.6mm寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.8mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,098
税込￥1,208
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.72 nC @ 4.5 VNチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(100個)
￥759
税込￥835
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥169
税込￥186
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 900mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥389
税込￥428
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm74HCファミリロジックゲート、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICの標準ロジックゲート製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
RoHS指令(10物質対応)対応
1本(57個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm標準電圧温度係数 = 11.4mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。
1袋(20個)
￥249
税込￥274
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥309
税込￥340
6日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = UMDツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 1.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード300 mW、BZX384シリーズ、Nexperia. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX384-B)、約5 % (BZX384-C) 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥629
税込￥692
5日以内出荷
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