能動部品 ：「低電流」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 低漏洩。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 3μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。出力電圧 Min = 2.5 (カソード) V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。電圧リファレンス、調節可能、Fairchild Semiconductor. このFairchild Semiconductorの低電力、低電流用途向けシャントレギュレータは、調整可能 / プログラム可能な出力電圧と優れた熱安定性を特長としています。 このシャントレギュレータは、低ダイナミック出力インピーダンスと高速ターンオン応答特性を備え、産業用使用温度範囲で動作します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。長さ = 3.04mm。自動車規格 = AEC-Q101mm。低消費電力用途に最適な車載用パワー MOSFET 。50V 、 200mA 、 3.5 Ω 、シングル N チャネル、 SOT-23 、ロジックレベル、鉛フリーPPAP対応のため、車載用途に適しています。低スレッショルド電圧( VGS ( TH )： 0.5 ～ 1.5 V ) ミニチュア表面実装パッケージ 低電圧で簡単に駆動できます 基板スペースを節約します 用途 低電力スイッチ デジタルスイッチ あらゆる低電流自動車用アプリケーション 最終製品 インフォテイメント ( エンターテイメント、マルチメディア、ナビゲーションシステムなど ) ボディコントロールモジュール (BCM 、 FOB キー、ゲートウェイ、 LF システム、 HVAC など ) セキュリティシステム

実装タイプ = 表面実装。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = 4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。幅 = 4mm。MM74HCT14 は、 Advanced シリコンゲート CMOS 技術を使用して、標準 CMOS の低電力損失と高いノイズ耐性を実現し、 10 個の LS-TTL 負荷を駆動できます。74HCT ロジックファミリは、機能的かつピン配列で、標準 74LS ロジックファミリと互換性があります。VCC とアースへの内部ダイオードクランプにより、静電放電によって入力が損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源電圧範囲： 4.5V ～ 5.5V 低静止電流：最大 10 μ A 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.6 V @ VCC = 4.5 V TTL 、 LS ピン配列、及び入力しきい値に対応 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = CMOS。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 4mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74HC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。MM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 110 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。高性能シリコンゲート CMOS ： MC74HC08A は、 LS08 とピン配列が同じです。デバイス入力は、標準 CMOS 出力と互換性があり、プルアップ抵抗器を備え、 LSTTL 出力と互換性があります。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS 、 NMOS 、 TTL への直接インターフェイス出力 動作電圧範囲： 2 ～ 6V 低入力電流： 1mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 24 個の FET または 6 個の同等の Gates

論理回路 = 74HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.2mA。低レベル出力電流 Max = 7.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 45 ns@ 150 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.59mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = 4000。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 6。入力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。高レベル出力電流 Max = -4.7mA。低レベル出力電流 Max = 30mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 140 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = +18 Vmm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = バッファ。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 6。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = LCX。動作供給電圧 Max = 5.5 V。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.7 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 4.5mm

ロジックタイプ = トランシーバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 35mA。低レベル出力電流 Max = -35mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165ns。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = -0.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は、標準 CMOS 出力と互換性があり、プルアップ抵抗器を備え、 LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は、データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり、 I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは、データが A から B 、または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS 、 NMOS 、 TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 Gates

コンパレータタイプ = ローパワー。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UDFN。電源タイプ = 単一電源。出力タイプ = オープンドレイン。回路数 = 1。ピン数 = 6。標準シングル供給電圧 = 0.85 → 6 V。寸法 = 1.2 x 1 x 0.5mm。長さ = 1.2mm。幅 = 1mm。高さ = 0.5mm。標準CMRR = 80dB。標準PSRR = 80dB。コンパレータ、ST Microelectronics. 高速コンパレータ(応答時間が速い) 低消費電力コンパレータ(低動作電流: 210 nA) 耐熱性認定デバイス 車載用グレードのコンパレータは、AEC-Q100及びAEC-Q101の認定を取得

論理回路 = HCT。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 9。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 6mA。低レベル出力電流 Max = 6mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 38 ns @ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 4.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.2 ns @ 30 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = S70。ピン数 = 5。論理回路 = LVCMOS。寸法 = 2 x 1.25 x 1mm。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 1.25mm。TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

論理回路 = ACT。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 24mA。低レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

論理回路 = 74ACT。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = TTL。高レベル出力電流 Max = -75mA。低レベル出力電流 Max = 75mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns。幅 = 7.6mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = VHC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 8mA。高レベル出力電流 Max = -8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = 74AC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 46.3 ns @ 30 pF。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = S70。ピン数 = 5。論理回路 = LVCMOS。寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm。高さ = 0.9mm。長さ = 2mm。TinyLogic ULP、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = シングルエンド。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = +18 Vmm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = CMOS。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = ACT。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。出力タイプ = 3ステート。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = 24mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = ACT。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = Dタイプフリップフロップ。出力信号タイプ = 差動。トリガータイプ = 正エッジ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 225 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。MM74HC74A は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用し、同等の LS-TTL 部品と同様の動作速度を実現します。標準的な CMOS 集積回路で高いノイズ耐性と低電力消費を Ability で、 10 の LS-TTL 負荷を駆動します。このフリップフロップは、独立したデータ、プリセット、クリア、クロック入力、及び Q / Q # 出力を備えています。データ入力に存在するロジックレベルは、クロックパルスの立ち上がり遷移中に出力に転送されます。プリセットとクリアは、クロックに依存せず、適切な入力で低レベルに実現されます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 20 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 40 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic HS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。幅 = 1.7mm。TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA。出力電圧 = 50 mV。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。最大スイッチング周波数 = 100 kHz。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。幅 = 4mm。低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準 入力コモンモード範囲にはアースが含まれています 低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング 広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品 バッテリ充電器 用途 スイッチモード電源

論理回路 = LCX。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。出力タイプ = 3ステート。寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 3.6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -55 ℃

ロジックタイプ = インバータ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = 4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

論理回路 = HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。伝播遅延テスト条件 = 45pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 45 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。自動車規格 = AEC-Q100

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = シングルエンド。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 250 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。幅 = 4mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LSTTL。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。幅 = 4.5mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

出力電流 Max = 500mA。出力電圧 = 1.25 V。ラインレギュレーション = 0.04 mV/V。精度 = ±0.9%。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SO。基準電圧 = 1.26V。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。NCP3334 は、高性能、低ドロップアウト( LDO )リニア電圧レギュレータです。ラインと負荷に対する +/-0.9 % の精度、超低静止電流とノイズにより、今日の家庭用電化製品に必要なすべての機能を搭載しています。このユニークなデバイスは、最小負荷電流要件なしで安定し、 1.0 μ F の小型コンデンサで安定します。NCP3334 は、逆バイアス保護機能を備えています。ライン及び負荷に対する高い精度(±0.9 % @ 25 ℃) 低ドロップアウト電圧： 340 mV (最大) @ 500 mA 38 μ Vrms の低ノイズ 低シャットダウン電流 (0.07 μ A) 逆バイアス保護 供給電圧範囲： 2.6 → 12 V サーマルシャットダウン保護 電流制限 安定性には 1.0 uF の出力静電容量のみが必要です MLCC を含むあらゆるタイプのコンデンサと安定します 安定性のための最小出力電流要件なし 鉛フリーデバイスです 用途 PCMCIAカード 携帯電話 カムコーダーとカメラ ネットワーキングシステム、DSL / ケーブルモデム ケーブルセットトップボックス MP3 / CDプレーヤー ディスプレイ及びモニタ

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 96 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = AC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。回路数 = 8。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 5 V。精度 = ±2.5%。極性 = 正。パッケージタイプ = T0-220。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。高さ = 15.75mm。幅 = 4.82mm。入力 - 出力電圧差<： 0.6 V @ 100 mA 出力電流は 100 mA 超です 低バイアス電流 60 V ロードダンプ保護 -50 V の逆過渡保護 サーマルシャットダウンによる内部電流制限 一時ミラー - イメージ保護 バッテリ駆動機器に最適です 2 つのオプションのリードフォームを備えた経済的な 5 リード TO-220 パッケージ 表面実装 SOP-8 、 D2PAK 、及び DPAK パッケージで提供されます 高精度( +/-2 % )リファレンス( LM2931AC )を用意しています 用途 消費者向けバッテリ駆動製品 ハンドヘルド機器 自動車

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。高さ = 2.34mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74AC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = TTL。高レベル出力電流 Max = -75mA。低レベル出力電流 Max = 75mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS