能動部品 ：「ADE」の検索結果

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5V。ラインレギュレーション = 150 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。幅 = 4.19mm。MC79L00リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC79L00 シリーズリニア電圧レギュレータは、負電圧レギュレータです。 このファミリの製品の出力電圧は固定で、5 V、12 V又は15 Vです。 外部デバイスを必要とせず、100 mAの出力電流を必要とする用途に適しています。 ON SemiconductorのMC79L00シリーズは、短絡電流制限機能や熱過負荷保護を内蔵した、強固な集積回路(IC)です。 主な用途には、オンカード調整や、小さな出力電流の負電圧レベルが要求される場合などがあります。 外部デバイスがなくても動作します。. 鉛フリーパッケージを用意

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5 V。ラインレギュレーション = 50 mV。精度 = 4%。極性 = 負。パッケージタイプ = DPAK。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。高さ = 2.38mm。幅 = 6.22mm。負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 12 V。ラインレギュレーション = 240 mV。ロードレギュレーション = 240 mV%。極性 = 正。静止電流 = 3.4mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 30.02mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4.82mm。MC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の 12 V リニア電圧レギュレータは、 MC7812 ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。ポジティブ 7812 電圧レギュレータには、外部コンポーネントは不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全区域補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 15 V。ラインレギュレーション = 20 mV。ロードレギュレーション = 25 mV%。極性 = 正。静止電流 = 3.5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 30.02mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4.82mm。MC7815リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductorのリニア電圧レギュレータは、2 %又は4 %の公差で15 Vの固定電圧を出力します。 MC7815正電圧レギュレータには、安全動作領域補償が組み込まれています。また、内部の電流制限及びサーマルシャットダウン過負荷保護の機能も備えています。 出力を調整する場合を除き、外部コンポーネントは不要です。 このデバイスは、電子産業におけるさまざまな用途に適しています。. 出力電圧: 15 V 鉛フリーパッケージを用意

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 100 mV。精度 = ±4%。極性 = 正。パッケージタイプ = D2PAKmA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.24 x 9.35 x 30.02mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。長さ = 10.24mm。ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは、MC7805ファミリに属しています。これらの製品は、ローカル、オンカード調整など、幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず、内部の熱過負荷保護と電流制限、さらに安全領域補償を内蔵しています。

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 12 V。ラインレギュレーション = 50 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。極性 = 正。静止電流 = 6mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 5W。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。MC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 50 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 正。静止電流 = 0.8mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. この注目の ON Semiconductor リニア電圧レギュレータのファミリは 7805 ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 鉛フリーパッケージを用意 出力電圧の公差: 2 %及び4 %

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = -37 → -1.2 V。ラインレギュレーション = 0.04 %/V。ロードレギュレーション = 1 %。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220。基準電圧 = -1.25V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。高さ = 9.28mm。長さ = 10.28mm。可変リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 12 V。ラインレギュレーション = 240 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。極性 = 正。静止電流 = 8mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 15W。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。MC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の 12 V リニア電圧レギュレータは、 MC7812 ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。ポジティブ 7812 電圧レギュレータには、外部コンポーネントは不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全区域補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

出力電流 Max = 500mA。出力電圧 = -5 V。ラインレギュレーション = 80 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DPAKmA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。高さ = 2.38mm。幅 = 6.22mm。負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 50 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 正。パッケージタイプ = DPAK。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。長さ = 6.73mm。MC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 12 V。ラインレギュレーション = 250 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 正。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4.19mm。MC78L00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. この注目の ON Semiconductor 5 V リニア電圧レギュレータは、 MC78L00A ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。この正電圧レギュレータには、外部コンポーネントが不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全面積補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = -12 V。ラインレギュレーション = 240 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。極性 = 負。静止電流 = 8mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 15W。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4.82mm。負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -15 V。ラインレギュレーション = 80 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4.82mm。負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 18 V。ラインレギュレーション = 325 mV。ロードレギュレーション = 170 mV。極性 = 正。静止電流 = 6.5mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 625mW。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。長さ = 5.2mm。MC78L00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. この注目の ON Semiconductor 5 V リニア電圧レギュレータは、 MC78L00A ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。この正電圧レギュレータには、外部コンポーネントが不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全面積補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 8 V。ラインレギュレーション = 175 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 正。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4mm。MC78L00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. この注目の ON Semiconductor 5 V リニア電圧レギュレータは、 MC78L00A ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。この正電圧レギュレータには、外部コンポーネントが不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全面積補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 1.5 %/V、70 mV%。極性 = 正。パッケージタイプ = TO-220。基準電圧 = 1.25V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4.82mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 1.5 %%。極性 = 正。パッケージタイプ = DPAK。基準電圧 = 1.3V。出力タイプ = 可変。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 6.22mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.04 %/V。ロードレギュレーション = 0.5 %。極性 = 正。パッケージタイプ = D2PAK。基準電圧 = 1.3V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.24 x 9.35 x 4.57mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 9.35mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 0.5 %%。極性 = 正。パッケージタイプ = SOIC。基準電圧 = 1.3V。出力タイプ = 可変。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 325 mV。ロードレギュレーション = 170 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-92mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 625mW。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。長さ = 5.2mm。MC79L00リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC79L00 シリーズリニア電圧レギュレータは、負電圧レギュレータです。 このファミリの製品の出力電圧は固定で、5 V、12 V又は15 Vです。 外部デバイスを必要とせず、100 mAの出力電流を必要とする用途に適しています。 ON SemiconductorのMC79L00シリーズは、短絡電流制限機能や熱過負荷保護を内蔵した、強固な集積回路(IC)です。 主な用途には、オンカード調整や、小さな出力電流の負電圧レベルが要求される場合などがあります。 外部デバイスがなくても動作します。. 鉛フリーパッケージを用意

出力電流 Max = 3A。出力電圧 = 0.3 → 3.5 V。精度 = ±20%。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DFNμA。基準電圧 = 0.5 → 1.8V。出力タイプ = 可変W。寸法 = 3 x 3 x 0.95mm。高さ = 0.95mm。幅 = 3mm。DDR終端レギュレータ、ON Semiconductor. 高度なダブルデータレート(DDR)同期ダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)向けの終端レギュレータ

出力電流 Max = 3A。出力電圧 = 1.24 → 13 V。ラインレギュレーション = 0.5 %。精度 = ±2%。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。基準電圧 = 1.26V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.23 x 9.34 x 4.57mm。高さ = 4.57mm。幅 = 9.34mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、2.1 A超、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 3.3 V。ラインレギュレーション = 10 mV。ロードレギュレーション = 25 mV。極性 = 正。静止電流 = 0.004mA。ピン数 = 3+Tab。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.65mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 3.7mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、250 → 300 mA、ON Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 69 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 307 W。トランジスタ構成 シングル。長さ 10.67mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 61 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 417000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。高さ 9.4mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 23 A。最大ドレイン-ソース間電圧 400 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 235 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 5mm。動作温度 Min -55 ℃V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 9.19mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 66 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 37 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.9mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 120 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 750 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.87mm。順方向ダイオード電圧 1.2V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 51 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 320000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 6.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 570 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 56 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.22mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 100 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 55 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 2.5 kW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 20mm。高さ 20mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 440 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 15.87mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。