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チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
999 税込1,099
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
2,298 税込2,528
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
2,798 税込3,078
5日以内出荷

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 28 ns @ 45 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(36個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

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