受動部品その他関連用品 ：「表面実装」の検索結果
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仕様●ダイオード構成 ： シングルV●1チップ当たりのエレメント数 ： 6●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●最大逆漏れ電流 ： 2μA●寸法 ： 5×1.65×4mm●順電圧 ： 1.3V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥699
税込￥769
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仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -45 V●パッケージタイプ ： SOT-32●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 36 W●最小DC電流ゲイン ： 40●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 45 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 3 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 10.8×7.8×2.7mm●PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥2,898
税込￥3,188
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングルV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最大パワー消費 ： 600 W●パッケージタイプ ： DO-214AA (SMB)●ツェナータイプ ： 双方向●ピン数 ： 2●最大逆漏れ電流 ： 200nA●寸法 ： 3.95×2.25×4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングルV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最大パワー消費 ： 600 W●パッケージタイプ ： DO-214AA (SMB)●ツェナータイプ ： 双方向●ピン数 ： 2●最大逆漏れ電流 ： 200nA●寸法 ： 3.95×2.25×4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●SM6TY シリーズは、サージや静電放電から敏感な車載回路を保護するように設計されています。プレーナ技術が採用されており、長期間にわたる信頼性と安定性を確保するために低漏洩電流と高ジャンクション温度が求められるハイエンド回路に対応しています。Peak パルス電力： 600 W ( 10/1000 μ s )及び 4 kW ( 8/20 μ s ) スタンドオフ電圧範囲： 5 → 188 V 単方向タイプと双方向タイプがあります 低漏洩電流： 0.2 μ A @ 25 ° C 、 1 μ A @ 85 ° C 動作 Tj 最大： 150 ° C Tj での最大高出力 : 最大 515 W (10/1000 μ s) リード仕上げ：つや消しスズめっき
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥2,398
税込￥2,638
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仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -40 V●パッケージタイプ ： SOT-223 (SC-73)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 1.6 W●最小DC電流ゲイン ： 50●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 40 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 1.8×6.3×3.3mm●汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥36,980
税込￥40,678
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仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-223 (SC-73)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 1.6 W●最小DC電流ゲイン ： 150●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 150 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 7 V●最大動作周波数 ： 130 MHz●ピン数 ： 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 1.8×6.5×3.5mm●汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -1.5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -400 V●パッケージタイプ ： SOT-223 (SC-73)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 1.6 W●最小DC電流ゲイン ： 16●トランジスタ構成 ： シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高電圧トランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥47,980
税込￥52,778
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仕様●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大パワー消費 ： 1.6 W●トランジスタ構成 ： シングル●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.8mm●The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.Very low collector to emitter saturation voltage 3A continuous collector current DC current gain， hFE >100 SOT-223 plastic package for surface mounting circuits in tape and reel packing 40 V breakdown voltage V(BR)CER Applications Power management in portable equipment Voltage regulation in bias supply circuits Switching regulator in battery charger applications Heavy load driver
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥38,980
税込￥42,878
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仕様●ピン数 ： 8●パッケージタイプ ： SOIC●実装タイプ ： 表面実装●STMicroelectronics OMNIFETシリーズ 完全自動保護パワーMOSFET. OMNIFETシリーズの完全自動保護ローサイドドライバは、その堅牢さと向上した信頼性で評価されています。このソリッドステートパワースイッチは、特に車載環境における誘導負荷及び抵抗負荷用に設計されています。. リニア電流制限 過熱保護 短絡保護 ESD 保護 クランプ内蔵
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥479,800
税込￥527,780
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -30 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 2.4×6.6×6.2mm●PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥979
税込￥1,077
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仕様●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大パワー消費 ： 15 W●トランジスタ構成 ： シングル●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 2.17mm●The device is manufactured in Planar technology with ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.This device is qualified for automotive application High current gain characteristic Very low collector to emitter saturation voltage Surface-mounting DPAK (TO-252) power package in tape& reel (suffix ”；T4) Fast-switching speed Applications CCFL drivers Voltage regulators Relay drivers High efficiency， low voltage， switching applications
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,698
税込￥1,868
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仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 1.5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 15 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 500 mW●最小DC電流ゲイン ： 200●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 15 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●小信号NPN及びPNPトランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,398
税込￥1,538
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仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-89●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 1.4 W●最小DC電流ゲイン ： 160●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●最大動作周波数 ： 130 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,698
税込￥1,868
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 65 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15000 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 150 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 7 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,498
税込￥1,648
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仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 2.4×6.6×6.2mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥139,800
税込￥153,780
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： コンプレックスアレイ●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-323 (SC-70)●ピン数 ： 6●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 2.2mm●USBポートESD保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥219
税込￥241
5日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： コンプレックスアレイ●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-323 (SC-70)●ピン数 ： 6●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 2.2mm●USBポートESD保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥76,980
税込￥84,678
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.7V●最小ブレークダウン電圧 6.7V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 6V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 170A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 50μA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 121V●最小ブレークダウン電圧 64.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 58V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 19A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●長さ 4.6mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,098
税込￥1,208
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 21.7V●最小ブレークダウン電圧 11.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ SMC●最大逆スタンドオフ電圧 10.2V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 461A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 7.15×6.25×2.45mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥719
税込￥791
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングル●最大クランピング電圧 ： 21.7V●最小ブレークダウン電圧 ： 11.4V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 10.2V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 600W●最大ピークパルス電流 ： 184A●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 4.6×3.95×2.45mm●長さ ： 4.6mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥63,980
税込￥70,378
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 32.5V●最小ブレークダウン電圧 16.7V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 15V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 123A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥39,980
税込￥43,978
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 18V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 102A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥41,980
税込￥46,178
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●動作温度 Min ： -30 ℃●動作温度 Max ： +85 ℃mm●静電容量 ： 20pF●EMIフィルタとESD保護機能を内蔵、IPAD(TM)デバイス用のEMIFシリーズ、STMicroelectronics. 高いカットオフ周波数ローパスフィルタ400 MHz 効率の高いEMIフィルタ マイク、携帯電話、カメラ、LCDディスプレイ、メモリカード用のHDMI、USB、又はシリアルインターフェイスにおけるマルチメディア用途
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,298
税込￥1,428
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 10.3V●最小ブレークダウン電圧 4.1V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 3.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 200A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 200μA●SMLVTUV3、低電圧Transil(TM). 単方向Transil(TM)ダイオード ピークパルス電力: 600 (10/1000 μs) 逆方向スタンドオフ電圧 3.3 低クランプファクタ 高速な応答時間
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥119,800
税込￥131,780
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 20μA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥39,980
税込￥43,978
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングル●最大クランピング電圧 ： 27.2V●最小ブレークダウン電圧 ： 14.4V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 13V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 400W●最大ピークパルス電流 ： 85A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 2.03mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
￥81,980
税込￥90,178
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 25.3V●最小ブレークダウン電圧 13.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 12V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 157A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥35,980
税込￥39,578
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 23A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
￥86,980
税込￥95,678
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 40A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥47,980
税込￥52,778
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 20 W●最小DC電流ゲイン ： 40●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥119,800
税込￥131,780
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 32.5V●最小ブレークダウン電圧 16.7V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 15V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 71A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 2.95×4.6×2.03mm●高さ 2.03mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
￥76,980
税込￥84,678
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 353V●最小ブレークダウン電圧 189V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 170V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 11.3A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 174A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×2.95×2.03mm●テスト電流 10mA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
￥78,980
税込￥86,878
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 450 V●シリーズ ： MDmesh K3， SuperMESH3●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥199,800
税込￥219,780
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 55 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●幅 ： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥339,800
税込￥373,780
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 27.2V●最小ブレークダウン電圧 14.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ SMC●最大逆スタンドオフ電圧 12.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 368A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 7.15×6.25×2.45mm●長さ 7.15mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥139,800
税込￥153,780
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20.9V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AB (SMC)●最大逆スタンドオフ電圧 18.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 254A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -40℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 40 V●パッケージタイプ ： PowerSO●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 10●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 73 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●標準パワーゲイン ： 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥3,698
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 28 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
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