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onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 60 V， 8 A， 3-Pin TO-220onsemi

￥689税込￥758

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仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 1000●最大コレクタ-ベース間電圧： 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.5mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホールパッケージTO-92 3 ピンonsemi

￥329税込￥362

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 500 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： TO-92●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 3V●最低ゲートしきい値電圧： 0.8V●最大パワー消費： 830 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は●Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは●オンステート抵抗を最小限に抑え●頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817B300onsemi

￥419税込￥461

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仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：2.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-B実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)70最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi 整流ダイオード， 1A， 1000V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7Vonsemi

￥269税込￥296

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仕様●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続順方向電流：1A直径(Φmm)2.7ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応特性ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下耐高サージ電流高電流に対応ガラス不動態化ジャンクション整流器とはこれらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不パッケージDO-41実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.7ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)75

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onsemi 整流ダイオード， 1A， 30V スルーホール， 2-Pin DO-41 ショットキーバリアonsemi

￥34税込￥37

1個

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仕様●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： DO-41●最大連続順方向電流： 1A●ピーク逆繰返し電圧： 30V●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：ショットキー整流器●ダイオードタイプ：ショットキー●ピン数： 2●1チップ当たりのエレメント数： 1●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●直径： 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷多数キャリア伝導低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ還流ダイオード極性保護ダイオードRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥2,198税込￥2,418

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(mW)120000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 25A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2502onsemi

￥1,998税込￥2,198

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仕様UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上ファストン端子寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)25ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， KSC2383YTAonsemi

￥2,498税込￥2,748

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仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160最大動作周波数(MHz)100

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥299税込￥329

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：125 nC @ 20 VシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)131チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 800 mA， BC33740TAonsemi

￥259税込￥285

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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100最大パワー消費625 mW

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onsemi 小信号整流ダイオード， 500mA， 200V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥2,398税込￥2,638

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仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.91ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)500

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 200 mA， 2N3904BUonsemi

￥999税込￥1,099

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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)200トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100

onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805CTGonsemi

￥4,598税込￥5,058

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仕様●出力電流 Max ： 1A●出力電圧： 5 V●ラインレギュレーション： 20 mV●精度： ±4%●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min ： 0 ℃mm●長さ： 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 電圧レギュレータ低ドロップアウト電圧 5 V， 3+Tab-Pin， NCP1117ST50T3Gonsemi

￥1,998税込￥2,198

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仕様●出力電流 Max ： 1A●出力電圧： 5 V●ラインレギュレーション： 6 mV●精度： ±1%●極性：正●パッケージタイプ： SOT-223mA●ピン数： 3+Tab●出力タイプ：固定●寸法： 6.7 x 3.7 x 1.69mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ： 6.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。出力電流は 1A を超えます固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端スイッチング電源ポストレギュレーションハードドライブコントローラバッテリ充電器RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805ABTGonsemi

￥379税込￥417

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仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧A●出力電圧： 5 V●ラインレギュレーション： 10 mV●ロードレギュレーション： 25 mV%●極性：正●パッケージタイプ： TO-220mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ： 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317MABTGonsemi

￥1,498税込￥1,648

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仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧mA●出力電圧： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション： 0.07 %/V●精度： 2%●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220●ピン数： 3V●出力タイプ：可変●寸法： 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ： 10.28mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Pチャンネル JFET， 3-Pin SOT-23onsemi

￥419税込￥461

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仕様●チャンネルタイプ： P●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流： 1.5 to 20mA●最大ドレイン-ゲート間電圧： 25V dc●回路構成：シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗： 300 Ω●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOT-23●ピン数： 3●ソースゲートオンキャパシタンス： 11pF●寸法： 3.04 x 1.4 x 1.01mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●PチャンネルJFET●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 整流ダイオード， 10A， 35V 表面実装， 3-Pin DPAK (TO-252) ショットキーバリア 550mVonsemi

￥1,098税込￥1,208

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仕様●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●最大連続順方向電流： 10A●ピーク逆繰返し電圧： 35V●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：ショットキー整流器●ダイオードタイプ：ショットキー●ピン数： 3●最大順方向降下電圧： 550mV●1チップ当たりのエレメント数： 1●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 10A●メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥419税込￥461

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：3 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi 整流ダイオード， 3A， 200V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 950mVonsemi

￥639税込￥703

1箱(10個)

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仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)950ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(ns)20

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 12 A， FJP13009H2TUonsemi

￥1,698税込￥1,868

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5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ寸法(mm)9.9×4.5×9.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(W)100最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)700トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン8， 15

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， H11AA1Monsemi

￥569税込￥626

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5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：AC●最小電流伝送率：0.2チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 15A， 600V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1506onsemi

￥4,398税込￥4,838

1箱(5個)

7日以内出荷

仕様GBPC1506:15 A ブリッジ整流器一体成形ヒートシンクにより、熱抵抗が非常に低く、最大限の放熱を実現していますサージ過負荷定格： 300 → 400 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上端子仕上げ材質 - 銀(ワイヤタイプ GBPC-W パッケージ向けにはんだ付け可能)、 - GBPC パッケージ用にニッケル用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(50個)

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仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 2最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)110チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 1 Wonsemi

￥799税込￥879

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)34最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)4

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 600 mA， 2N4401BUonsemi

￥199税込￥219

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)600トランジスタタイプNPN最大パワー消費625 mW

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -200 mA， 2N3906BUonsemi

￥189税込￥208

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-200トランジスタタイプPNP最大パワー消費625 mW

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3063Monsemi

￥789税込￥868

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアックドライバ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)4170ac(最小)

onsemi スイッチングダイオード表面実装， 1A， 600V，シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.1Vonsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95高さ(mm)2.2寸法4.75 x 2.95 x 2.2mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1.4最大逆電圧(V)600

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， 6N136Monsemi

￥979税込￥1,077

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仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.7最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi 反射型光センサ 4-Pin SMD 表面実装onsemi

￥679税込￥747

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長さ(mm)3.6幅(mm)2.9寸法(mm)3.6×2.9×1.7高さ(mm)1.7チャンネル数1ピン数(ピン)4動作温度(℃)-40 → +85RoHS指令(10物質対応)対応特性反射型フォトインタラプタ. フォトトランジスタ出力付き反射型エミッタとディテクタの向きが同じ小型誤検出を最小限度に抑える可視光ブロック光学IC (GP2A231LRSAF)、TTL直接接続に対応パッケージSMD実装タイプ表面実装標準上昇時間20μs標準降下時間20μs出力デバイスフォトトランジスタ最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40

onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 1 Wonsemi

￥449税込￥494

1箱(20個)

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仕様ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格寸法(mm)5.21×2.72×2.72ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)15最大逆漏れ電流(nA)500ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)15

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onsemi TVSダイオード，双方向，スルーホール， 21.2V， P6KE15CAonsemi

￥349税込￥384

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5日以内出荷

仕様ダイオード構成：シングル寸法(mm)7.62×3.56×3.56ピン数(ピン)2特性TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild SemiconductorパッケージDO-15実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)12.8最大クランピング電圧(V)21.2最小ブレークダウン電圧(V)14.3ピークパルスパワー消費(W)600最大ピークパルス電流(A)28最大逆漏れ電流(μA)5最小動作温度(℃)-65

onsemi 940nm 赤外線発光ダイオード， 5 mm 砲弾型 (T-1 3/4) (6.1 Dia. x 8.77mm)onsemi

￥1,998税込￥2,198

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欠品中

仕様指向半値角：40°寸法(mm)6.1 Dia.×8.77ピーク波長(nm)940ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応LED使用数(個)1実装タイプスルーホール実装最大供給電圧(V)1.6放射強度(mW/sr)27 (Minimum)材質(LED)AlGaAs、GaAs

onsemi 小信号整流ダイオード， 300mA， 100V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥329税込￥362

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仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.53ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300

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onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -800 mA， PN2907ATAonsemi

￥289税込￥318

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仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-800トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大パワー消費625 mW

onsemi ツェナーダイオード 6.8V スルーホール 1 Wonsemi

￥769税込￥846

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仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)37最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)3.5

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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホールパッケージTO-92 3 ピンonsemi

￥329税込￥362

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仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)500最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5最大ゲートしきい値電圧(V)3最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費830 mW

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥239税込￥263

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仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)170最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6最大ゲートしきい値電圧(V)2最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ1.8 nC @ 10 V最大パワー消費360 mW

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