RoHS
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)600
トランジスタタイプNPN
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥199
税込￥219
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)200
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥999
税込￥1,099
当日出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)500
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5
最大ゲートしきい値電圧(V)3
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費830 mW
1箱(10個)
￥329
税込￥362
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： デュアル電源●回路数 ： 2●ピン数 ： 8●標準ゲイン帯域幅積 ： 5MHz●標準デュアル供給電圧 ： ±2 → ±18V●標準スルーレート ： 2V/μs●最大動作周波数 ： 100 kHz●動作温度 Min ： -40 ℃●標準電圧ゲイン ： 106 dB●高さ ： 1.5mm●MC33178●MC33179●低消費電力●低ノイズオペアンプ●ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC33178/9シリーズのオペアンプは●バイポーラテクノロジーを使用する高品質のオーディオとデータ信号処理用途向けの製品です。 高周波数PNP入力トランジスタを使用して●低入力オフセット電圧●低ノイズ●及び低歪みを実現しています。 また●アンプ1つあたりわずか420 μAのドレイン電流で高出力電流駆動能力を発揮します。 デュアルバージョンとクワッドバージョンがあり●DIP及びSOICパッケージで提供されます。. 600 W出力駆動能力 大出力電圧スイング 低オフセット電圧: 0.15 mV (平均) 低全高調波歪み: 0.0024 % (@ 1 kHz●600 W負荷) 高ゲイン帯域幅: 5 MHz 高スルーレート: 2 V/μs デュアル電源動作: ±2 → ±18 V 入力にESDクランプ付き
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥589
税込￥648
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ ： NAND●入力タイプ ： シュミットトリガ●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●シュミットトリガ入力 ： あり●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 190ns●高レベル出力電流 Max ： -25mA●低レベル出力電流 Max ： 25mA●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 14●寸法 ： 8.75 x 4 x 1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC132A は● LS132 とピン配列が同じです。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC2A を使用して●ノイズ耐性を強化したり●波形をゆっくり変化させたりすることができます。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の Gates
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 500 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： TO-92●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.8V●最大パワー消費 ： 830 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は●Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは●オンステート抵抗を最小限に抑え●頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥329
税込￥362
翌々日出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-41●最大連続 順方向電流 ： 1A●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●直径 ： 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥46
税込￥51
3日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)44
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥899
税込￥989
7日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式スイッチング
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(mV)920
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)15
1箱(10個)
￥379
税込￥417
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ7 nC @ 4.5 V
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥699
税込￥769
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：85 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(
パッケージTO-3PN
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)214000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1個
￥539
税込￥593
11日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：6.6 A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)2500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥729
税込￥802
5日以内出荷
寸法(mm)5.1×4.1×8.2
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160
最大パワー消費(mW)900
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
トランジスタ構成シングル
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100， 160
1箱(25個)
￥1,198
税込￥1,318
翌々日出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160
最大パワー消費(mW)900
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)160
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100， 160
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥679
税込￥747
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)53
最大逆漏れ電流(μA)10
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
1箱(100個)
￥899
税込￥989
翌々日出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65
最大パワー消費(mW)500
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-100
トランジスタタイプPNP
最大動作周波数(MHz)150
1箱(100個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
長さ(mm)1.3
幅(mm)0.9
高さ(mm)0.7
寸法1.3 x 0.9 x 0.7mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大ダイオードキャパシタンス(pF)4
最大逆電圧(V)75
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：6
チャンネル数2
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPDIP
実装タイプスルーホール実装
標準上昇時間2.4μs
標準降下時間2.4μs
出力デバイスフォトトランジスタ
最大順方向電圧(V)1.3
最大入力電流(mA)10
絶縁電圧(kVrms)5
1箱(10個)
￥849
税込￥934
7日以内出荷
仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、入力タイプ：シュミットトリガ●シュミットトリガ入力：あり●論理回路：HC
幅(mm)4
寸法(mm)8.75×4×1.5
タイプロジック：インバータ
出力電流(mA)低レベル：(Max)5.2、高レベル：(Max)-5.2
ピン数(ピン)14
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Max)6
1チップ当たりのエレメント数6
最大伝播遅延時間@最大CL125 ns @ 2 V、 21 ns @ 6 V、 25 ns @ 4.5 V
1箱(10個)
￥749
税込￥824
5日以内出荷
仕様入力電流タイプ：DC
チャンネル数1
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
パッケージDIP-W
実装タイプスルーホール実装
標準上昇時間2μs
標準降下時間2μs
出力デバイストランジスタ
最大順方向電圧(V)1.5
絶縁電圧(Vrms)4170
1箱(5個)
￥599
税込￥659
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法1.91 (Dia.) x 4.56mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
テスト電流(mA)20
最大逆漏れ電流(μA)1
最大パワー消費(mW)500
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)30
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Max)+200
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)7.5
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)45
仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不
直径(Φmm)2.72
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式ファストリカバリー
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30
最大連続順方向電流(A)1
ピーク逆回復時間(ns)50
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大連続ドレイン電流：1.3 A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)160
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥399
税込￥439
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)40
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-600
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)14
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
1箱(100個)
￥889
税込￥978
5日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 3 mV/V●精度 ： 2%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： TSOP●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定mW●寸法 ： 3 x 1.5 x 1mm●入力電圧 Min ： 2.1 Vmm●長さ ： 3mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●5 V●8 V●10 V●及び調整式●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥3,298
税込￥3,628
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 300mA●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 10 mV●精度 ： 2%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-223μA●ピン数 ： 3+Tab●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.65mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 6.7mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●250 → 300 mA●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥999
税込￥1,099
7日以内出荷
仕様●電圧管理タイプ ： 電圧モニター●管理数 ： 1●最大リセット閾値電圧 ： 1.295V●最小リセット閾値電圧 ： 1.245V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●最大リセット閾値電圧 ： 40V●動作供給電圧 Max ： 40 V●動作温度 Min ： 0 ℃V●マイクロプロセッサ監視/リセット回路●On Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,798
税込￥1,978
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.5A●出力電圧 ： -1.2 → -37 V●ラインレギュレーション ： 0.04 %/V●ロードレギュレーション ： 50 mV●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK●ピン数 ： 3 + TabV●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.23 x 9.34 x 4.57mm●高さ ： 4.57mm●幅 ： 9.34mm●出力電流： 1.5 A 超 出力は -1.2 → -37 V の範囲で調整可能 内部の熱的過負荷保護 内部短絡電流制限定(温度あり 出力トランジスタ安全動作領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作 多数の固定電圧のストッキングを除去します 表面実装 D2PAK パッケージ及び標準 3 リードトランジスタパッケージで提供されます 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,898
税込￥2,088
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.1A●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 0.2 %●ロードレギュレーション ： 33 mV●実装タイプ ： 表面実装●静止電流 ： 700μA●ピン数 ： 3+TabV●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.69mm●入力電圧 Max ： 18 Vmm●幅 ： 3.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥96,980
税込￥106,678
7日以内出荷
仕様●公称電圧 ： 2.5V●パッケージタイプ ： SOIC●基準タイプ ： 固定●立上がり精度 ： ±3 %●実装タイプ ： 表面実装●トポロジー ： シャント●出力電流 Max ： 20mA●出力電圧 Min ： 2.425 V●出力電圧 Max ： 2.575 V●ピン数 ： 8●ロードレギュレーション ： 20 mV●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●幅 ： 4mm●電圧基準●0.6 → 4.096 V●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(98個)
￥5,998
税込￥6,598
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ ： 8kbit●インターフェースタイプ ： シリアル-I2C●パッケージタイプ ： TSSOP●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●構成 ： 1 k x 8ビット●動作供給電圧 Min ： 1.7 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●プログラミング電圧 ： 1.7 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 ： 8bit●寸法 ： 3 x 4. 4x 0.9mm●データ保持 ： 100年
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥109,800
税込￥120,780
7日以内出荷
仕様●論理回路 ： ECL●ロジックタイプ ： クロック ドライバ●入力信号タイプ ： ECL， HSTL， PECL●出力ロジックレベル ： ECL， PECL●動作/操作モード ： 差動●シングルエンド●クロック入力数 ： 2●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： LQFP●ピン数 ： 32●寸法 ： 7 x 7 x 1.45mm●長さ ： 7mm●幅 ： 7mm●高さ ： 1.45mm●動作供給電圧 Max ： 3.8 V●動作温度 Min ： -40 ℃●クロックバッファ●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ ： 1Mbit●インターフェースタイプ ： シリアル-I2C●パッケージタイプ ： UDFN●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●構成 ： 128 x 8ビット●動作供給電圧 Min ： 1.8 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●プログラミング電圧 ： 1.8 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 ： 8bit●寸法 ： 3 x 2 x 0.5mm●自動車規格 ： AEC-Q100ns●EEPROMシリアルI2C●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥369,800
税込￥406,780
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