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仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-41●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 30V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●直径 : 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード RoHS指令(10物質対応)対応
1個
46 税込51
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仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor 直径(Φmm)1.53 ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式小信号 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(V)1 ピーク逆繰返し電圧(V)100 ピーク逆回復時間(ns)4 最大連続順方向電流(mA)300
1箱(50個)
379 税込417
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仕様●出力電流 Max : 1A●出力電圧 : 5 V●ラインレギュレーション : 6 mV●精度 : ±1%●極性 : 正●パッケージタイプ : SOT-223mA●ピン数 : 3+Tab●出力タイプ : 固定●寸法 : 6.7 x 3.7 x 1.69mm●動作温度 Max : +125 ℃mm●長さ : 6.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,798 税込1,978
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仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大連続コレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 200●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.05mA●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
239 税込263
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仕様●レギュレータタイプ : リニア電圧A●出力電圧 : 24 V●ラインレギュレーション : 480 mV●ロードレギュレーション : 480 mV●極性 : 正●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定W●寸法 : 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max : +125 ℃mm●長さ : 10.28mm●7824リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
829 税込912
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仕様●レギュレータ機能 : ステップダウン●出力電流 Max : 1A●出力数 : 1●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : D2PAK●ピン数 : 5●出力タイプ : 固定●最大スイッチング周波数 : 52 kHz●スイッチングレギュレータ : あり●効率 : 77 (Typ.)%●寸法 : 10.23 x 10.61 x 4.57mm●動作温度 Min : -40 ℃mm●幅 : 10.61mm●LM2575 シリーズのバックスイッチングレギュレータは●ステップダウンスイッチングレギュレータ(バックコンバータ)の簡単で便利な設計に最適なモノリシック集積回路です。このシリーズの回路はすべて●優れたライン / 負荷調整により 1.0 A の負荷を駆動することができます。これらのデバイスは●固定出力電圧 3.3 V ● 5.0 V ● 12 V ● 15 V ●出力調整可能なタイプが用意されています。このバックスイッチングレギュレータは●電源設計を簡素化するために外部コンポーネントの数を最小限に抑えるように設計されています。LM2575 との併用に最適化された標準シリーズのインダクタは●複数の異なるインダクタメーカーによって提供されています。LM2575 コンバータはスイッチモード電源であるため●一般的な 3 端子リニアレギュレータと比較すると●特に高入力電圧での効率が大幅に高くなります。多くの場合● LM2575 レギュレータの消費電力が非常に低いため●ヒートシンクが不要で●サイズを大幅に縮小することができます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,498 税込2,748
欠品中

仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596 幅(mm)29 寸法(mm)29×29×11.23 ピン数(ピン)4 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 回路構成シングル パッケージGBPC 実装タイプスクリュー マウント ピーク平均順方向電流(A)12 ピーク逆繰返し電圧(V)400 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 ピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 最大動作温度(℃)150 最小動作温度(℃)-55
1箱(2個)
1,598 税込1,758
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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40 最大エミッタ-ベース間電圧(V)6 最大コレクタ-ベース間電圧(V)75 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)600 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン100 最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
289 税込318
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仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60 最大エミッタ-ベース間電圧(V)6 最大コレクタ-ベース間電圧(V)120 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(A)1 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン135, 200 最大動作周波数(MHz)160 最大パワー消費750 mW
1箱(10個)
359 税込395
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仕様最大動作周波数:30 MHz 寸法(mm)20×5×26 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor パッケージTO-264 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)250 最大パワー消費(W)150 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)250 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(A)17 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン80
1箱(5個)
4,198 税込4,618
5日以内出荷

仕様●ダイオードタイプ:整流器●ダイオードテクノロジー:シリコンジャンクション●ダイオード構成:シングル●整流タイプ:スイッチング●最大連続 順方向電流:15A ピン数(ピン)2 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性整流ダイオード、10 A → 80 A、Fairchild Semiconductor パッケージTO-220AC 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(V)3.2 ピーク逆繰返し電圧(V)1200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200 ピーク逆回復時間(ns)75
1個
349 税込384
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仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor チャンネル数1 ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 パッケージPDIP 実装タイプスルーホール実装 出力デバイスフォトトライアック 最大順方向電圧(V)1.15 最大入力電流(mA)60 絶縁電圧(kVrms)5.3
1箱(5個)
489 税込538
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仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40 最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)-200 トランジスタタイプPNP 最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
189 税込208
5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式汎用 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(V)1.15 ピーク逆繰返し電圧(V)400 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50 最大連続順方向電流(A)2 ピーク逆回復時間(μs)2
1セット(50個)
1,898 税込2,088
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仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor 寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm ピン数(ピン)2 ダイオード(構成)シングル 動作温度(℃)(Min)-65 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 最大パワー消費(W)1 テスト電流(mA)14 最大逆漏れ電流(μA)5 ツェナータイプ汎用 ツェナー電圧許容性(%)5 最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
1箱(100個)
1,398 税込1,538
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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)800 トランジスタタイプNPN 最大動作周波数(MHz)100 最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
229 税込252
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仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)60 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)-800 トランジスタタイプPNP 最小DC電流ゲイン100 最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
259 税込285
5日以内出荷

仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●セット/リセット:リセット●論理回路:74HC タイプロジック:D タイプ 入力CMOS ピン数(ピン)20 トリガー正エッジ 極性非反転 動作温度(℃)(Max)+85 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Max)6 1チップ当たりのエレメント数8 最大伝播遅延時間@最大CL170ns 出力タイプLSTTL
1セット(10個)
1,298 税込1,428
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仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、入力タイプ:シュミットトリガ●シュミットトリガ入力:あり●論理回路:HC 幅(mm)4 寸法(mm)8.75×4×1.5 タイプロジック:インバータ 出力電流(mA)低レベル:(Max)5.2、高レベル:(Max)-5.2 ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Max)6 1チップ当たりのエレメント数6 最大伝播遅延時間@最大CL125 ns @ 2 V、 21 ns @ 6 V、 25 ns @ 4.5 V
1箱(10個)
749 税込824
5日以内出荷

仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、伝播遅延テスト条件:50pF、論理回路:HC タイプロジック:OR 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)5.2 高レベル出力電流(mA)(Max)5.2 最大伝播遅延時間@最大CL125ns エレメント数4 ゲートあたりの入力数2 シュミットトリガー入力なし
1箱(25個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

直径(Φmm)1.91 ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル 整流方式小信号 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 ピーク逆繰返し電圧(V)150 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4 ピーク逆回復時間(μs)3 最大連続順方向電流(mA)200
1箱(50個)
939 税込1,033
5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ:DC●最大電流変換率:6 チャンネル数2 ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 パッケージSMT 実装タイプ表面実装 標準上昇時間2.4μs 標準降下時間2.4μs 出力デバイスフォトトランジスタ 最大順方向電圧(V)1.3 最大入力電流(mA)10 絶縁電圧(kVrms)5
1箱(10個)
1,398 税込1,538
欠品中

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)-55 (Min) RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA)500 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5 最大ゲートしきい値電圧(V)3 最小ゲートしきい値電圧(V)0.8 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費830 mW
1箱(10個)
329 税込362
5日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 高さ(mm)1.2 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)350 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA)300 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8 最小ゲートしきい値電圧(V)1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
1,198 税込1,318
5日以内出荷

仕様MM74HC00 NAND Gates は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用し、標準 CMOS 集積回路の低電力消費で LS-TTL Gates と同様の動作速度を実現します。Gates はすべて、バッファ出力を備えています。すべてのデバイスはノイズ耐性に優れ、 10 個の LS-TTL 負荷を駆動できます Ability74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的で、ピン配列互換です。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加するこ 高さ(mm)1.5 タイプロジック:NAND 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)5.2 高レベル出力電流(mA)(Max)5.2 最大伝播遅延時間@最大CL15 ns @ 15 pF ゲートあたりの入力数2
1箱(25個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)40 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)-600 トランジスタタイプPNP 最小DC電流ゲイン100 最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
289 税込318
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様論理回路:74HC 寸法(mm)8.75×4×1.5 高さ(mm)1.5 タイプロジック:インバータ シュミット トリガー 入力タイプ:CMOS 出力電流(mA)低レベル:(Max)4、高レベル:(Max)-5.2 ピン数(ピン)14 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数6 最大伝播遅延時間@最大CL188 ns @ 50 pF 出力タイプCMOS
1箱(25個)
2,798 税込3,078
5日以内出荷

仕様●論理回路:HCT●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:20●寸法:12.95 x 7.6 x 2.4mm●低レベル出力電流 Max:6mA●高レベル出力電流 Max:6mA●伝播遅延テスト条件:50pF●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:45 ns @ 50 pF●動作温度 Max:+125 ℃●動作供給電圧 Min:4.5 V●動作温度 Min:-55 ℃●高性能シリコンゲート CMOS MC74HCT573A は、 LS573 と同じピン配列です。このデバイスは、 TTL 又は NMOS 出力を高速 CMOS 入力にインターフェイスするレベルコンバータとして使用できます。 これらのラッチは、ラッチイネーブルがハイの場合、データに対してトランスペアレントに見えます(出力は非同期に変化します)。ラッチ・イネーブルが低くなると、セットアップ時間とホールド時間を満たすデータがラッチされます。 出力イネーブル入力はラッチの状態には影響しませんが、出力イネーブルがハイの場合、すべてのデバイス出力はハイインピーダンス状態に強制されます。したがって、出力がイネーブルになっていなくてもデータがラッチされることがあります。 74HCT573A は HCT373A と同じ機能を備えていますが、出力と反対側にデータ入力を備えているので、基板レイアウトを容易にできます。出力駆動能力: 15 LSTTL 負荷 TTL / CMOS 互換の入力レベル CMOS 、 NMOS 、 TTL への直接インターフェイス出力 動作電圧範囲 :4.5 ~ 5.5 V 低入力電流: 10 mA チップの複雑さ: 234 FET または 58.5 相当 Gates 伝搬遅延の改善 待機電力を 50% 削減します 鉛フリーパッケージで提供されます。ここに記載されている仕様は、標準デバイスと鉛フリーデバイスの両方に適用されます RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)ほか
2,898 税込3,188
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (6種類の商品があります)

仕様●レギュレータタイプ : リニア電圧mA●出力電圧 : 5 V●ラインレギュレーション : 3 mV/V●精度 : 2%●極性 : 正●パッケージタイプ : TSOP●ピン数 : 5●出力タイプ : 固定mW●寸法 : 3 x 1.5 x 1mm●入力電圧 Min : 2.1 Vmm●長さ : 3mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●5 V●8 V●10 V●及び調整式●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
3,298 税込3,628
5日以内出荷

仕様●出力電流 Max : 300mA●出力電圧 : 3.3 V●ラインレギュレーション : 10 mV●精度 : 2%●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-223μA●ピン数 : 3+Tab●出力タイプ : 固定●寸法 : 6.7 x 3.7 x 1.65mm●動作温度 Min : -40 ℃mm●長さ : 6.7mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●250 → 300 mA●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
999 税込1,099
5日以内出荷

仕様●電圧管理タイプ : 電圧モニター●管理数 : 1●最大リセット閾値電圧 : 1.295V●最小リセット閾値電圧 : 1.245V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●寸法 : 5 x 4 x 1.5mm●最大リセット閾値電圧 : 40V●動作供給電圧 Max : 40 V●動作温度 Min : 0 ℃V●マイクロプロセッサ監視/リセット回路●On Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

仕様●出力電流 Max : 1.5A●出力電圧 : -1.2 → -37 V●ラインレギュレーション : 0.04 %/V●ロードレギュレーション : 50 mV●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : D2PAK●ピン数 : 3 + TabV●出力タイプ : 可変●寸法 : 10.23 x 9.34 x 4.57mm●高さ : 4.57mm●幅 : 9.34mm●出力電流: 1.5 A 超 出力は -1.2 → -37 V の範囲で調整可能 内部の熱的過負荷保護 内部短絡電流制限定(温度あり 出力トランジスタ安全動作領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作 多数の固定電圧のストッキングを除去します 表面実装 D2PAK パッケージ及び標準 3 リードトランジスタパッケージで提供されます 鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様●出力電流 Max : 1.1A●出力電圧 : 3.3 V●ラインレギュレーション : 0.2 %●ロードレギュレーション : 33 mV●実装タイプ : 表面実装●静止電流 : 700μA●ピン数 : 3+TabV●出力タイプ : 固定●寸法 : 6.7 x 3.7 x 1.69mm●入力電圧 Max : 18 Vmm●幅 : 3.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
96,980 税込106,678
5日以内出荷

onsemionsemi 電源スイッチIC
エコ商品
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)ほか
2,198 税込2,418
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (3種類の商品があります)

RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)ほか
1,498 税込1,648
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (6種類の商品があります)

仕様●公称電圧 : 2.5V●パッケージタイプ : SOIC●基準タイプ : 固定●立上がり精度 : ±3 %●実装タイプ : 表面実装●トポロジー : シャント●出力電流 Max : 20mA●出力電圧 Min : 2.425 V●出力電圧 Max : 2.575 V●ピン数 : 8●ロードレギュレーション : 20 mV●寸法 : 5 x 4 x 1.5mm●幅 : 4mm●電圧基準●0.6 → 4.096 V●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(98個)
5,998 税込6,598
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ : 8kbit●インターフェースタイプ : シリアル-I2C●パッケージタイプ : TSSOP●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●構成 : 1 k x 8ビット●動作供給電圧 Min : 1.7 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 1.7 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 3 x 4. 4x 0.9mm●データ保持 : 100年 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
109,800 税込120,780
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仕様●論理回路 : ECL●ロジックタイプ : クロック ドライバ●入力信号タイプ : ECL, HSTL, PECL●出力ロジックレベル : ECL, PECL●動作/操作モード : 差動●シングルエンド●クロック入力数 : 2●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : LQFP●ピン数 : 32●寸法 : 7 x 7 x 1.45mm●長さ : 7mm●幅 : 7mm●高さ : 1.45mm●動作供給電圧 Max : 3.8 V●動作温度 Min : -40 ℃●クロックバッファ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,198 税込1,318
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仕様●メモリサイズ : 1Mbit●インターフェースタイプ : シリアル-I2C●パッケージタイプ : UDFN●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●構成 : 128 x 8ビット●動作供給電圧 Min : 1.8 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 1.8 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 3 x 2 x 0.5mm●自動車規格 : AEC-Q100ns●EEPROMシリアルI2C●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
369,800 税込406,780
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