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エコ商品
仕様●ロジックタイプ ： NAND●入力タイプ ： シュミットトリガ●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●シュミットトリガ入力 ： あり●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 190ns●高レベル出力電流 Max ： -25mA●低レベル出力電流 Max ： 25mA●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 14●寸法 ： 8.75 x 4 x 1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC132A は● LS132 とピン配列が同じです。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC2A を使用して●ノイズ耐性を強化したり●波形をゆっくり変化させたりすることができます。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の Gates
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-41●最大連続 順方向電流 ： 1A●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●直径 ： 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 25A●ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 質量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥46
税込￥51
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)44
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥899
税込￥989
7日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ7 nC @ 4.5 V
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥699
税込￥769
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：85 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(
パッケージTO-3PN
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)214000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1個
￥539
税込￥593
5日以内出荷
仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596
幅(mm)29
寸法(mm)29×29×11.23
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
回路構成シングル
パッケージGBPC
実装タイプスクリュー マウント
ピーク平均順方向電流(A)12
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300
ピーク逆電流(μA)500
ピーク順方向電圧(V)1.1
最大動作温度(℃)150
最小動作温度(℃)-55
1箱(2個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)600
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン135， 200
最大動作周波数(MHz)160
最大パワー消費750 mW
1箱(10個)
￥359
税込￥395
5日以内出荷
仕様●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続 順方向電流：15A
ピン数(ピン)2
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性整流ダイオード、10 A → 80 A、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-220AC
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)3.2
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200
ピーク逆回復時間(ns)75
1個
￥349
税込￥384
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)53
最大逆漏れ電流(μA)10
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
1箱(100個)
￥899
税込￥989
翌々日出荷
仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.15
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50
最大連続順方向電流(A)2
ピーク逆回復時間(μs)2
1セット(50個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
長さ(mm)1.3
幅(mm)0.9
高さ(mm)0.7
寸法1.3 x 0.9 x 0.7mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大ダイオードキャパシタンス(pF)4
最大逆電圧(V)75
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
直径(Φmm)1.53
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)100
ピーク逆回復時間(ns)4
最大連続順方向電流(mA)300
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-800
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥259
税込￥285
5日以内出荷
仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、入力タイプ：シュミットトリガ●シュミットトリガ入力：あり●論理回路：HC
幅(mm)4
寸法(mm)8.75×4×1.5
タイプロジック：インバータ
出力電流(mA)低レベル：(Max)5.2、高レベル：(Max)-5.2
ピン数(ピン)14
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Max)6
1チップ当たりのエレメント数6
最大伝播遅延時間@最大CL125 ns @ 2 V、 21 ns @ 6 V、 25 ns @ 4.5 V
1箱(10個)
￥749
税込￥824
5日以内出荷
直径(Φmm)1.91
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
ピーク逆繰返し電圧(V)150
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(μs)3
最大連続順方向電流(mA)200
1箱(50個)
￥939
税込￥1,033
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法1.91 (Dia.) x 4.56mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
テスト電流(mA)20
最大逆漏れ電流(μA)1
最大パワー消費(mW)500
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)30
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)200
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥999
税込￥1,099
当日出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：6
チャンネル数2
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
パッケージSMT
実装タイプ表面実装
標準上昇時間2.4μs
標準降下時間2.4μs
出力デバイスフォトトランジスタ
最大順方向電圧(V)1.3
最大入力電流(mA)10
絶縁電圧(kVrms)5
1箱(10個)
￥1,398
税込￥1,538
欠品中
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Max)+200
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)7.5
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)45
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)500
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5
最大ゲートしきい値電圧(V)3
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費830 mW
1箱(10個)
￥329
税込￥362
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)1.2
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)300
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)40
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-600
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)14
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
1箱(100個)
￥889
税込￥978
5日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 3 mV/V●精度 ： 2%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： TSOP●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定mW●寸法 ： 3 x 1.5 x 1mm●入力電圧 Min ： 2.1 Vmm●長さ ： 3mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●5 V●8 V●10 V●及び調整式●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥3,298
税込￥3,628
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 300mA●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 10 mV●精度 ： 2%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-223μA●ピン数 ： 3+Tab●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.65mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 6.7mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●250 → 300 mA●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥999
税込￥1,099
7日以内出荷
仕様●電圧管理タイプ ： 電圧モニター●管理数 ： 1●最大リセット閾値電圧 ： 1.295V●最小リセット閾値電圧 ： 1.245V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●最大リセット閾値電圧 ： 40V●動作供給電圧 Max ： 40 V●動作温度 Min ： 0 ℃V●マイクロプロセッサ監視/リセット回路●On Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,798
税込￥1,978
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.5A●出力電圧 ： -1.2 → -37 V●ラインレギュレーション ： 0.04 %/V●ロードレギュレーション ： 50 mV●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK●ピン数 ： 3 + TabV●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.23 x 9.34 x 4.57mm●高さ ： 4.57mm●幅 ： 9.34mm●出力電流： 1.5 A 超 出力は -1.2 → -37 V の範囲で調整可能 内部の熱的過負荷保護 内部短絡電流制限定(温度あり 出力トランジスタ安全動作領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作 多数の固定電圧のストッキングを除去します 表面実装 D2PAK パッケージ及び標準 3 リードトランジスタパッケージで提供されます 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,898
税込￥2,088
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.1A●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 0.2 %●ロードレギュレーション ： 33 mV●実装タイプ ： 表面実装●静止電流 ： 700μA●ピン数 ： 3+TabV●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.69mm●入力電圧 Max ： 18 Vmm●幅 ： 3.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥96,980
税込￥106,678
7日以内出荷
仕様●公称電圧 ： 2.5V●パッケージタイプ ： SOIC●基準タイプ ： 固定●立上がり精度 ： ±3 %●実装タイプ ： 表面実装●トポロジー ： シャント●出力電流 Max ： 20mA●出力電圧 Min ： 2.425 V●出力電圧 Max ： 2.575 V●ピン数 ： 8●ロードレギュレーション ： 20 mV●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●幅 ： 4mm●電圧基準●0.6 → 4.096 V●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(98個)
￥5,998
税込￥6,598
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ ： 8kbit●インターフェースタイプ ： シリアル-I2C●パッケージタイプ ： TSSOP●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●構成 ： 1 k x 8ビット●動作供給電圧 Min ： 1.7 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●プログラミング電圧 ： 1.7 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 ： 8bit●寸法 ： 3 x 4. 4x 0.9mm●データ保持 ： 100年
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥109,800
税込￥120,780
7日以内出荷
仕様●論理回路 ： ECL●ロジックタイプ ： クロック ドライバ●入力信号タイプ ： ECL， HSTL， PECL●出力ロジックレベル ： ECL， PECL●動作/操作モード ： 差動●シングルエンド●クロック入力数 ： 2●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： LQFP●ピン数 ： 32●寸法 ： 7 x 7 x 1.45mm●長さ ： 7mm●幅 ： 7mm●高さ ： 1.45mm●動作供給電圧 Max ： 3.8 V●動作温度 Min ： -40 ℃●クロックバッファ●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ ： 1Mbit●インターフェースタイプ ： シリアル-I2C●パッケージタイプ ： UDFN●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●構成 ： 128 x 8ビット●動作供給電圧 Min ： 1.8 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●プログラミング電圧 ： 1.8 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 ： 8bit●寸法 ： 3 x 2 x 0.5mm●自動車規格 ： AEC-Q100ns●EEPROMシリアルI2C●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥369,800
税込￥406,780
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 700mA●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 50 mV●精度 ： ±2%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DPAK●ピン数 ： 3●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.73 x 6.22 x 2.38mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 6.73mm●MC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは●内部電流制限●サーマルシャットダウン●及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル●オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V●8 V●12 V●15 V●18 V●20 V●24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで●最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(75個)
￥4,298
税込￥4,728
欠品中
仕様●電圧管理タイプ ： 過電圧保護●管理数 ： 1●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： UDFN●ピン数 ： 6●寸法 ： 2 x 2 x 0.5mm●最大リセット閾値電圧 ： 20V●動作供給電圧 Max ： 20 V●動作温度 Max ： +85 ℃●電圧保護●ON Semiconductor. 電圧保護コントローラ バッテリ保護コントローラ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： 低ドロップアウト電圧mA●出力数 ： 1●ラインレギュレーション ： 1.5 mV/V●精度 ： ±5%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●基準電圧 ： 1.26V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●入力電圧 Max ： 40 Vmm●長さ ： 5mm●可変リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥69,980
税込￥76,978
7日以内出荷
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