INFINEONのディスクリートその他関連用品

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

Infineon のオフライン SMPS 電流モードコントローラ IC は、 650 CoolMOS を内蔵し、 DIP-7 パッケージのスタートアップセルを備えています。より堅牢な設計で、 -40 C まで使用できます優れた性能には、 BiCMOS 技術、アクティブバーストモード、内蔵周波数ジッタ、ソフトゲート駆動、伝播遅延補償などがあります。 ソフトスタート時間、内蔵ブランキング時間、過負荷保護のための延長可能なブランキング時間、外部自動リスタートイネーブル機能などを内蔵しています最低スタンバイ電力要件 <： 50 mW 40 C までの低い動作温度 過負荷、過熱、過電圧に対する自動リスタート保護 広い VCC ソフトドライブで EMI が低く抑えられています

RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。

Infineon のシリコンチューニングダイオードは、携帯型通信機器の VCO 向けに低電圧調整動作を実現静電容量の拡散が非常に低くなっています。鉛フリー RoHS対応

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

PFCコントローラ - CCM、Infineon. 不連続導通モード動作を利用するInfineon及びInternational RectifierのPFC (力率補正)コントローラ製品です。

Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。

Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。

MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor