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位相制御サイリスタ、Littelfuse. 熱制御やモータ制御などの位相制御用途向けの優れた単方向スイッチです。高感度ゲートSCRは、マイクロアンペアの電流で簡単にトリガできます。標準の位相制御SCRは、数マイクロアンペアの電流でトリガできます(1.5 V未満の電位で)。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 49.9V。最小ブレークダウン電圧 = 34.2V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 30.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.3 Dia. x 9.5mm。テスト電流 = 1mA。1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.45V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 144.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。サージ電流レーティング = 200A。1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

SMT単方向1500 W TVSダイオード、1.5SMCシリーズ、Littelfuse

1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

アキシャル双方向1500 W TVSダイオード、1.5KEシリーズ、Littelfuse

位相制御サイリスタ、Littelfuse. 熱制御やモータ制御などの位相制御用途向けの優れた単方向スイッチです。 高感度ゲートSCRは、マイクロアンペアの電流で簡単にトリガできます。 標準の位相制御SCRは、数マイクロアンペアの電流でトリガできます(1.5 V未満の電位で)。

サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-220。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 250A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 75mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。最大保持電流 = 80mA。ピン数 = 3。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 800V。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-220AB。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 250A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 30mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。最大保持電流 = 40mA。ピン数 = 3。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-220AB。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 250A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 30mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。最大保持電流 = 40mA。ピン数 = 3。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 800V。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 100A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 40mA。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。長さ = 10.28mm。幅 = 4.82mm。高さ = 15.75mm。繰返しピークオフステート電流 = 2mA。トライアック、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 61.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.417mm。高さ = 2.417mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 105A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.7V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 800V。最大保持電流 = 50mA。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。長さ = 10.28mm。幅 = 4.82mm。高さ = 15.75mm。ピークオンステージ電圧 = 1.55V。トライアック、ON Semiconductor